吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產

吉致電子--共慶2024花好月圓中秋節(jié)

  海上生明月，天涯共此時！2024中秋佳節(jié)將近，月到中秋分外明，佳節(jié)喜氣伴你行。人逢喜事精神爽，人月兩圓事業(yè)成。心寬氣順身體棒，合家幸福享天倫。  無論您在天涯海角，無錫吉致電子科技有限公司全體成員都深深祝褔您，----中秋團圓，幸福美滿，佳節(jié)快樂!無錫吉致電子科技有限公司http://www.lygpingan.cn/聯系電話：17706168670郵編：214000?地址：江蘇省無錫市新吳區(qū)新榮路6號

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吉致電子藍寶石拋光液雙面研磨與單面精磨

  藍寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產生的線痕、裂紋和殘余應力等表面、亞表面損傷層，提升藍寶石晶片的表面質量，從而達到 LED 芯片制備的表面質量要求。CMP化學機械研磨工藝是解決藍寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一，那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的，研磨拋光耗材該怎么選？  藍寶石襯底雙面研磨可實現上、下兩個平面的實時同步加工，有效減小兩個平面之間因加工引起的應力應變差，具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層，而化學機

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襯底與晶圓材料的選擇與特性

襯底材料半導體襯底材料的選擇對器件性能有重大影響。常見的襯底材料包括硅、砷化鎵、碳化硅等。硅襯底：硅SI是最常見的襯底材料，因其優(yōu)良的電學、熱學和機械特性廣泛應用于集成電路和微電子器件。硅襯底具有成本低、加工成熟、易于大規(guī)模生產等優(yōu)點。砷化鎵襯底：砷化鎵GaAs具有高電子遷移率和良好的光電特性，常用于高頻器件和光電器件。雖然成本較高，但在特定領域有無可替代的優(yōu)勢。碳化硅襯底：碳化硅SIC具有高硬度、高熱導率和高溫穩(wěn)定性，適用于高溫、高功率和高頻應用。碳化硅襯底的加工難度較大，但其優(yōu)異的性能使其在特定領域有著重要應用

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CMP拋光液---半導體拋光液種類有哪些

  半導體拋光液種類有哪些？CMP拋光液在集成電路領域的應用遠不止晶圓拋光，半導體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進入10nm制程后CMP次數將翻倍，達到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化  STI淺溝槽隔離技術是用氧化物隔開各個門電路，使各門電路之間互不導通，STI CMP工藝的目標是去除填充在淺溝槽中的

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吉致電子 Cu CMP研磨工藝的三個步驟

Cu CMP研磨工藝通常包括三步。第一步：用來磨掉晶圓表面的大部分金屬。第二步：通過降低研磨速率的方法精磨與阻擋層接觸的金屬,并通過終點偵測技術（Endpoint）使研磨停在阻擋層上。第三步：磨掉阻擋層以及少量的介質氧化物,并用大量的去離子水（DIW）清洗研磨墊和晶圓。Cu CMP研磨工藝中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之對阻擋層和介質層具有高的選擇性,而第三步的研磨液通常是偏堿性,對不同材料具有不同的選擇性。這兩種研磨液（金屬研磨液/介質研磨液）都應該含有H2O2、抗腐蝕的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物

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CMP拋光墊的種類及特點

Cmp拋光墊種類可按材質結構主要有：聚合物拋光墊、無紡布拋光墊、帶絨毛結構的無紡布拋光墊、復合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強度高、耐磨性強、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點，是最常用的拋光墊材料之一。 圖 聚氨酯拋光墊微觀結構 在拋光過程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠將磨料顆粒保持在拋光液中，可以實現高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘渣的排出。但聚氨酯拋光墊硬度過高，拋光過程中變形小，加工過程中容

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半導體晶圓常見材質有哪些

半導體晶圓常見材質有哪些？晶圓常見的材質包括硅、藍寶石、氮化硅等。一、硅晶圓硅是目前制造半導體器件的主要材料，因其易加工、價格較低等優(yōu)良性能被廣泛采用。硅晶圓表面光潔度高，可重復性好，在光電子技術、光學等領域有著重要的應用。其制造過程主要包括單晶生長、切片和拋光等工序。二、藍寶石晶圓藍寶石（sapphire）是一種高硬度透明晶體，其晶格結構與GaAs、Al2O3等半導體材料相近，尤其因其較大的帶隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到廣泛應用。此外，藍寶石的高強度、高抗腐蝕性也使其成為防護材料，如用于

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吉致電子CMP拋光墊的作用

CMP技術是指被拋光材料在化學和機械的共同作用下，工件表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。cmp拋光液中的化學成分與被拋磨工件材料表面進行化學反應，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機械載荷；④維持拋光過程所需的機械和化學環(huán)境。除拋光墊的力學性能以外，其表面組織

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襯底與晶圓在半導體制造中的應用

  襯底和晶圓是半導體制造過程中的兩個重要概念。襯底是作為基礎層的材料，承載著芯片和器件；而晶圓則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導體芯片的主要基板。襯底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圓則是襯底的一部分，具有特定的尺寸和方向。襯底用于承載和沉積薄膜，而晶圓用于生長材料、制造芯片和執(zhí)行光刻等工藝步驟。 襯底的應用：承載半導體芯片：襯底是半導體芯片的基礎，提供穩(wěn)定的平臺來構建電子器件和集成電路。基礎層的沉積：在制造過程中，襯底上可能需要進行一系列的薄膜沉積，如氧化物、金屬等。這些薄膜可以提供保

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金屬互連中的大馬士革工藝

 在半導體制程中為了連接不同的電路元件，傳遞電子信號和為電路元件供電，需要使用導電金屬來形成互連結構。鋁曾經是半導體行業(yè)中用于這些互聯結構的主要材料。然而，隨著半導體技術的進步和特征尺寸的不斷縮小，銅成為了替代選擇，那么這個過程是如何演變的呢？  金屬互連工藝歷史：早期的集成電路使用了金作為互連材料，到60-90年代中期，鋁逐漸成為集成電路制造中最主要的互連導線材料。1997年，美國 IBM 公司公布了先進的銅互連技術，標志著銅正式開始替代鋁成為高性能集成電路的主要互連材料。 

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藍寶石激光領域視窗拋光液

  藍寶石激光領域視窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸從0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的規(guī)格制造,包括階梯邊緣、橢圓形邊緣望造、孔、槽和楔角。  藍寶激光領域視窗對快速移動的沙子、鹽水和其他顆粒物具有抵抗力,非常適合所有類型的激光武器系統(tǒng)、大功率微波和其他需要極其平坦和堅固的光學技術的應用。  吉致電子藍寶石激光領域視窗拋光液，具有良好的穩(wěn)定性，提高藍寶石視窗片拋光速率的同時保證藍寶石表面光滑、無缺陷的全局平坦化質量。無錫吉致電子科

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半導體晶圓CMP化學機械研磨拋光的原因

 什么是CMP化學機械研磨拋光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其實為化學與機械研磨（C&MP）的意思，化學作用與機械作用平等。目前CMP已成為半導體制程主流，其重要的原因主要有二：①為了縮小芯片面積，因此采用集成度高、細線化的多層金屬互連線（七層以上），因線寬極細，且需多層堆疊，故光刻制程即為一關鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平，平坦度差，則會影響光刻精確度，因此需以CMP達成晶圓上金屬層間之全面平坦化（Global Planarization）。②為了降低元件之電

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SiC碳化硅襯底加工的主要步驟

SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個步驟：晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射線衍射法為晶錠定向，當一束 X 射線入射到需要定向的晶面后，通過衍射光束的角度來確定晶面的晶向。2.外圓滾磨：在石墨坩堝中生長的單晶的直徑大于標準尺寸，通過外圓滾磨將直徑減小到標準尺寸。3.端面磨：SiC 襯底一般有兩個定位邊，主定位邊與副定位邊，通過端面磨開出定位邊。4.線切割：線切割是碳化硅SiC 襯底加工過程中一道較為重要的工序。線切過程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面

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LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液

鉭酸鋰LiTaO3作為非線性光學晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現今以光技術產業(yè)為中心的IT 產業(yè)中得到了廣泛的應用。 晶體材料的結構與其光學性能息息相關，鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料，具有很高的應用價值。LiTaO3晶體以它的化學性能穩(wěn)定高（不溶與水），居里點高于600℃，不易出現退極化現象，介電損耗低，探測率優(yōu)值高的優(yōu)良特性，成為熱釋電紅外探測器的應用材料。  經過CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造，尤其以它良好的機電耦合、溫度系數等綜合性

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吉致電子主要業(yè)務及CMP產品有哪些

吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務及服務行業(yè)有：半導體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產品包括：拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產品質量嚴格管控，多年研發(fā)經驗技術，已為數家百強企業(yè)提供拋光解決方案并長期合作。吉致電子CMP拋光液產品主要包括以下系列：半導體集成電路：Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /

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芯片制造為什么使用單晶硅做襯底

芯片制造中為什么都喜歡用單晶硅作為襯底材料呢?那是因為單晶硅片具有以下優(yōu)點：單晶硅片是半導體器件制造的基礎材料，應用廣泛。計算機芯片、智能手機中的處理器、存儲器.傳感器等都是使用單晶硅片制造的。單晶硅具有顯著的半導體性能：單晶硅是一種半導體材料，具有較弱的導電性。該材料的電導率受光、電、磁、溫度等因素的影響，隨著溫度的升高而增加。超純的單晶硅屬于本征半導體，但在其中摻入亞A族元素，如硼，則可形成p型硅半導體，摻入微量的VA族元素，如磷或砷，則可形成n型硅半導體。通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體制作在同一塊半導

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吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性

  氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應用前景的半導體材料，具有優(yōu)異的電子特性和光學性能。在現代電子設備中，氮化鎵被廣泛應用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領域，并且在未來的 5G 通訊、電動汽車等領域也具有巨大的發(fā)展?jié)摿ΑＨ欢?，氮化鎵在制備過程中容易受到表面缺陷的影響，影響其性能和穩(wěn)定性，所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要，淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。 氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現在以下幾個方面：1，提高器件的光電性能：氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質量影響著器件的

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吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區(qū)別

  在半導體制造過程中，襯底和晶圓是兩個常見的術語。它們扮演著重要的角色，但在定義、結構和用途上存在一些差異和區(qū)別。  襯底---作為基礎層的材料，承載著芯片和器件。它通常是一個硅片或其他材料的薄片，作為承載芯片和電子器件的基礎。襯底可以看作是半導體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關注其表面的平整度、清潔度和粗糙度，確保后續(xù)工藝如外延生長、薄膜沉積等能夠順利進行。  晶圓---則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝

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吉致電子--單晶硅與多晶硅的區(qū)別

吉致電子粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液可用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面簡單談談單晶硅和多晶硅的區(qū)別： 單晶硅和多晶硅是兩種不同的硅材料，它們的主要區(qū)別在于晶體結構、物理性質和用途等方面。  ①晶體排列組成不一樣：  單晶硅是由許多晶體周期性排列而成的，其晶體結構具有高度的有序性和一致性，因此其晶體內部的原子排列和晶體缺陷都比較少。  多晶硅是由許多小的晶體組成的，每個小晶體的晶體結構都有一定的差異，因此其晶體內部的原子排列和晶體缺陷都比較復雜。 ②

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看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術

碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應，給現有的加工技術帶來了巨大的挑戰(zhàn)，被視為典型難加工材料。高效率、高質量的碳化硅襯底加工技術成了當下的研究熱點。  碳化硅相較于第一、二代半導體材料具有更優(yōu)良的熱學、電學性能，如寬禁帶、高導熱、高溫度穩(wěn)定 性和低介電常數等，這些優(yōu)勢使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料廣泛應用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片，碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質量對器件的使用性能有著極為重要的影響。因

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