吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

碳化硅SiC襯底CMP拋光液拋光墊

一、碳化硅CMP工藝：精密制造的“表面革命”碳化硅（SiC）以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)特性，成為半導(dǎo)體功率器件、新能源汽車電子等高端領(lǐng)域的核心材料。而化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）作為實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底原子級(jí)光滑表面的關(guān)鍵工藝，其核心效能直接由拋光液與拋光墊兩大耗材決定。吉致電子深耕CMP材料領(lǐng)域多年，針對(duì)碳化硅襯底拋光的4道核心制程，打造了全系列適配的拋光液Slurry與拋光墊Pad產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)“高效去除”與“超精表面”的完美平衡。二、碳化硅拋光液：化學(xué)

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吉致電子非晶鋯拋光液有哪些（鋯基非晶合金CMP工藝）

非晶鋯（Amorphous Zirconium），也常被稱為鋯基非晶合金或鋯基大塊金屬玻璃（Zr-based Bulk Metallic Glass, Zr-BMG），是一種通過(guò)特殊工藝使鋯（Zr）與其他金屬元素（如銅、鎳、鋁、鈦等）形成的無(wú)定形晶體結(jié)構(gòu)的金屬材料，核心特征是原子排列不具備傳統(tǒng)晶體材料的長(zhǎng)程有序性，呈現(xiàn)“玻璃態(tài)”的微觀結(jié)構(gòu)。由于其“高強(qiáng)度、高耐磨、高耐蝕”的綜合性能，非晶鋯已在多個(gè)高要求領(lǐng)域落地應(yīng)用：醫(yī)療領(lǐng)域口腔修復(fù)：非晶鋯的硬度與牙釉質(zhì)接近，耐口腔酸

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吉致電子CMP晶圓拋光液的特性與選型指南

在晶圓制造的全局平面化環(huán)節(jié)，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是關(guān)鍵工藝，而CMP拋光液作為核心耗材，直接決定晶圓表面平整度、缺陷率等關(guān)鍵指標(biāo)，影響芯片最終性能與良率。吉致電子小編根據(jù)CMP拋光液的核心優(yōu)勢(shì)與選型方向，為半導(dǎo)體制造企業(yè)提供實(shí)用參考。一、CMP拋光液的4大核心特性CMP拋光液由磨料、氧化劑、螯合劑等組分復(fù)配而成，需兼顧“化學(xué)腐蝕”與“機(jī)械研磨”協(xié)同作用，核心特性可概括為：1.化學(xué)-機(jī)械協(xié)同精準(zhǔn)可控拋光時(shí)，氧化劑先將晶圓表面材料氧化為易去除的氧化物，螯合劑與氧化物形成

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帶背膠的阻尼布拋光墊：CMP工藝的高效適配型輔助核心

在化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，帶背膠的阻尼布拋光墊是連接拋光盤與工件的關(guān)鍵部件，憑借精準(zhǔn)適配性與穩(wěn)定性能，為CMP相關(guān)設(shè)備及工藝提供可靠支撐，帶背膠的阻尼布拋光墊CMP PAD優(yōu)點(diǎn)有以下4點(diǎn)：一、精準(zhǔn)適配，安裝便捷背膠采用高粘接力特種膠（可選國(guó)產(chǎn)/3M），無(wú)需額外夾具就可直接緊密貼合拋光頭或載臺(tái)，避免高速旋轉(zhuǎn)（10-150rpm）時(shí)“跑位”，保障拋光軌跡一致；厚度公差≤±0.02mm，支持0.5～5mm多規(guī)格選擇，還能按4/8/12英寸硅片等工件尺寸靈活裁剪，適配不同CMP

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桂香迎佳節(jié)，紅旗映月圓--吉致電子祝您雙節(jié)快樂(lè)!

桂香迎佳節(jié)，紅旗映月圓致吉致電子的各位伙伴：丹桂浮香，皓月凌空；紅旗漫卷，九州同慶。當(dāng)中秋的清輝邂逅國(guó)慶的榮光，便暈染出最動(dòng)人的時(shí)代畫卷。承蒙諸君攜手同行，我們于歲月中沉淀初心，在征程上共筑華章。此刻，愿這輪明月承載團(tuán)圓的期盼，愿這方沃土延續(xù)盛世的安康。謹(jǐn)以中秋的皎潔、國(guó)慶的赤誠(chéng)，祝君闔家圓滿，事業(yè)昌隆，家國(guó)同輝，歲歲無(wú)憂。                            

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藍(lán)寶石襯底CMP拋光為什么要用吸附墊

在藍(lán)寶石襯底的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）加工中，吸附墊（也常稱為 “真空吸附墊” 或 “承載吸附墊”）是連接拋光機(jī)工作臺(tái)與藍(lán)寶石襯底的核心輔助部件，其作用貫穿 “襯底固定 - 壓力傳遞 - 拋光穩(wěn)定性 - 表面質(zhì)量保障” 全流程，直接影響 CMP 加工的效率、精度與成品良率。以下從核心作用和技術(shù)意義兩方面展開詳細(xì)解析：一、吸附墊的核心作用吸附墊的本質(zhì)是通過(guò) “物理吸附 + 柔性適配” 實(shí)現(xiàn)襯底與工作臺(tái)的可靠結(jié)合，具體功能可拆

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覆銅陶瓷基板為什么選擇CMP拋光工藝（AMB/DPC/DBC陶瓷板）

陶瓷覆銅板（如Al2O3、AlN陶瓷基覆銅板）作為高功率電子器件（如IGBT、LED芯片）的關(guān)鍵載體，對(duì)表面質(zhì)量和性能有嚴(yán)苛要求：極低表面粗糙度：陶瓷基板與金屬銅層的結(jié)合面需平整光滑，否則會(huì)導(dǎo)致覆銅時(shí)出現(xiàn)氣泡、分層，影響導(dǎo)熱性和電氣可靠性；無(wú)損傷表面：陶瓷材料脆性高，傳統(tǒng)機(jī)械拋光易產(chǎn)生劃痕、微裂紋，破壞絕緣性能和結(jié)構(gòu)強(qiáng)度；高精度厚度控制：部分高頻、高功率場(chǎng)景下，陶瓷基板厚度公差需控制在±5μm內(nèi)，直接影響器件封裝密度和散熱效率。這些需求恰好與化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）“化學(xué)腐蝕+機(jī)械研磨&rd

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吉致電子鉬片CMP拋光液—高效低損傷，適配高精度鉬加工

鉬片的CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝是實(shí)現(xiàn)其高精度表面制備的核心技術(shù)，尤其適用于半導(dǎo)體、航空航天等對(duì)鉬片/鉬圓/鉬襯底表面粗糙度、平坦度要求嚴(yán)苛的領(lǐng)域。鉬合金工件的CMP加工及拋光液推薦需結(jié)合工藝原理、應(yīng)用場(chǎng)景及實(shí)際生產(chǎn)需求綜合分析：一、鉬片CMP工藝的核心優(yōu)點(diǎn)CMP的本質(zhì)是“化學(xué)腐蝕 + 機(jī)械研磨”的協(xié)同作用，相比傳統(tǒng)機(jī)械拋光（如砂輪拋光、金剛石刀具拋光）或純化學(xué)拋光/電解拋光等，CMP工藝在鉬片加工中展現(xiàn)出不可替代的優(yōu)勢(shì)：1.表面質(zhì)量極高，滿足精密領(lǐng)域需求鉬作為高硬度金屬（莫氏硬度5.5，熔點(diǎn)2

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告別傳統(tǒng)蠟粘，藍(lán)寶石襯底CMP吸附墊真香！

在藍(lán)寶石襯底化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，無(wú)蠟吸附墊Template是實(shí)現(xiàn)襯底穩(wěn)定固定、保障拋光精度與良率的核心輔助部件，TP墊的作用是圍繞“無(wú)損傷固定”“精準(zhǔn)工藝控制”“高效生產(chǎn)”三大核心目標(biāo)展開，具體可拆解為以5個(gè)關(guān)鍵維度：1.藍(lán)寶石襯底吸附墊的功能：替代傳統(tǒng)蠟粘，實(shí)現(xiàn)“無(wú)損傷固定”傳統(tǒng)藍(lán)寶石襯底CMP中，常采用熱蠟粘貼方式將襯底固定在陶瓷吸盤上（通過(guò)加熱蠟層融化后貼合、冷卻后固化），但存在明顯缺陷：蠟層殘留需額外清洗（

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從性能到場(chǎng)景：吉致電子CMP Pad軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)墊的區(qū)別

在精密拋光領(lǐng)域（如半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、藍(lán)寶石襯底等加工），拋光墊CMP PAD的硬度是影響拋光效果的核心參數(shù)之一。CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝中軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)拋光墊的差異，本質(zhì)上是“材料形變能力”與“機(jī)械作用強(qiáng)度”的對(duì)立與適配，其優(yōu)點(diǎn)和差別主要體現(xiàn)在拋光效率、表面質(zhì)量、適用場(chǎng)景等多個(gè)維度，具體可通過(guò)以下對(duì)比清晰呈現(xiàn)：一、核心定義與材質(zhì)差異首先需明確二者的本質(zhì)區(qū)別：硬質(zhì)拋光墊：通常以高分子聚合物（如聚氨酯、聚酰亞胺）為基材，添加剛性填料（如氧化鈰、氧化鋁、碳化硅微粉），整

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無(wú)蠟吸附墊成精密拋光新核心？吉致電子賦能蘋果Logo品質(zhì)突破

從iPhone、MacBook的不銹鋼Logo，到iWatch的鈦合金部件，再到iPad的鋁合金標(biāo)識(shí)，其鏡面級(jí)的視覺(jué)與觸感體驗(yàn)，已成為全球消費(fèi)者對(duì)高端品質(zhì)的直觀認(rèn)知。而這一驚艷效果的實(shí)現(xiàn)，背后離不開化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝的核心突破，其中無(wú)蠟吸附墊（Template） 更是決定蘋果Logo拋光精度與品質(zhì)的關(guān)鍵技術(shù)支撐。一、蘋果Logo的CMP拋光為何必須“去蠟”？傳統(tǒng)工藝的三大致命局限長(zhǎng)期以來(lái)，消費(fèi)電子精密部件拋光多依賴蠟粘固定工藝，即將

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CMP工藝中油性金剛石與水性金剛石研磨液的差異及應(yīng)用解析

CMP工藝中油性與水性金剛石研磨液的差異及應(yīng)用解析在CMP化學(xué)機(jī)械工藝中研磨液作為核心耗材，直接影響工件的拋光效率、表面質(zhì)量及生產(chǎn)成本。其中，油性金剛拋光液與水性金剛石研磨液憑借各自獨(dú)特的性能特點(diǎn)，在不同加工場(chǎng)景中發(fā)揮著重要作用。吉致電子小編將從成分、性能及應(yīng)用場(chǎng)景三方面，深入解析兩者的差異，為行業(yè)應(yīng)用提供參考。一、核心成分差異研磨液的基礎(chǔ)成分決定了其基本特性，油性與水性金剛石研磨液在分散介質(zhì)及輔助添加劑上存在顯著區(qū)別：油性金剛拋光液：以油類（如酒精基、礦物油基等）為主要分散介質(zhì)，配合潤(rùn)滑劑、防銹劑及金剛石磨粒組成

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吉致電子CMP放射狀同心圓開槽紋理拋光墊，賦能精密拋光

在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，拋光墊作為核心耗材，其紋理設(shè)計(jì)直接影響拋光效率、表面質(zhì)量與材料適配性。其中，放射狀同心圓開槽紋理拋光墊憑借獨(dú)特的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)，成為半導(dǎo)體、光學(xué)、金屬及陶瓷等領(lǐng)域精密加工的關(guān)鍵支撐，為電子材料制造注入高效、穩(wěn)定的技術(shù)動(dòng)力。一、核心特性：精準(zhǔn)破解拋光工藝痛點(diǎn)放射狀同心圓開槽紋理融合了兩種溝槽設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)，從拋光液管理、材料去除、碎屑處理到表面均一性控制，全方位優(yōu)化拋光過(guò)程，解決傳統(tǒng)拋光墊易出現(xiàn)的局部干涸、排屑不暢、邊緣過(guò)度磨損等問(wèn)題。1. 拋光液均勻分布，保障反應(yīng)連續(xù)性放射狀溝槽可引導(dǎo)拋光液從

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阻尼布精拋墊：硬脆材料CMP拋光高精度解決方案

在CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝中適，拋光墊CMP Pad的性能對(duì)精密元件表面處理效果影響極大。吉致電子阻尼布拋光墊（精拋墊）質(zhì)地細(xì)膩，表面柔軟、多孔、彈性好且使用周期長(zhǎng)，用于晶圓、金屬、脆硬材料的最終拋光。吉致電子阻尼布精拋墊采用特殊纖維結(jié)構(gòu)，構(gòu)建起三維網(wǎng)絡(luò)孔隙。這些孔隙如同細(xì)密的管道，在拋光時(shí)能夠高效輸送拋光漿料，讓漿料均勻覆蓋元件表面，從而提升拋光表面的一致性。同時(shí)，拋光墊的孔隙能迅速將拋光過(guò)程中產(chǎn)生的碎屑排走，有效避免碎屑在元件表面反復(fù)摩擦，降低表面被劃傷的風(fēng)險(xiǎn)，極大提升了拋光后元件的表面質(zhì)量。在碳化硅SiC襯底、

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半導(dǎo)體CMP工藝核心：金屬互聯(lián)層與介質(zhì)層Slurry拋光液的類型劃分

在半導(dǎo)體芯片制造中，化學(xué)機(jī)械拋光CMP是關(guān)鍵工藝，其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材，直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無(wú)論是 導(dǎo)線;（互連層）還是絕緣骨架（介質(zhì)層），都需靠它實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)平整。下面吉致電子小編就來(lái)拆解下半導(dǎo)體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質(zhì)層CMP拋光液的類型和應(yīng)用場(chǎng)景。一、金屬互連層CMP拋光液（后端 BEOL 核心）核心需求是選擇性除金屬、護(hù)絕緣 / 阻擋層，主流類型有：銅（Cu）CMP 拋光液14n

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CMP拋光墊怎么選？吉致電子聚氨酯拋光墊適配全工序需求

在化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝中，聚氨酯拋光墊（Polyurethane Polishing Pad）是實(shí)現(xiàn)化學(xué)作用與機(jī)械研磨協(xié)同” 的核心耗材之一，直接決定拋光后的表面平整度（Global Planarity）、表面粗糙度（Surface Roughness）及拋光效率，其應(yīng)用可從功能定位、關(guān)鍵作用、選型邏輯及使用要點(diǎn)四個(gè)維度展開：一、核心功能定位：CMP工藝的;機(jī)械研磨載體CMP 的本質(zhì)是通過(guò)

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國(guó)產(chǎn)CMP拋光墊：吉致電子無(wú)紡布?jí)|如何比肩Fujibo？

在化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，拋光墊CMP PAD對(duì)精密元件表面處理質(zhì)量影響重大，高端市場(chǎng)長(zhǎng)期被國(guó)際巨頭壟斷，國(guó)產(chǎn)替代拋光墊/研磨墊的需求強(qiáng)烈。無(wú)錫吉致電子憑借多年技術(shù)積累，研發(fā)的高性能無(wú)紡布及半導(dǎo)體拋光墊系列產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)對(duì)Fujibo(富士紡)等進(jìn)口品牌的替代，在拋光效率、使用壽命和本土定制化服務(wù)上優(yōu)勢(shì)顯著。無(wú)紡布拋光墊的技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景及國(guó)產(chǎn)化突破意義，為相關(guān)行業(yè)提供高性價(jià)比拋光方案。吉致電子無(wú)紡布拋光墊，以特殊纖維結(jié)構(gòu)和創(chuàng)新工藝，實(shí)現(xiàn)高耐磨性與優(yōu)異拋光性能的結(jié)合。相比傳統(tǒng)聚氨酯拋光墊，其三維網(wǎng)絡(luò)孔隙能更有效輸

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CMP拋光液廠家：半導(dǎo)體拋光液解決方案--吉致電子科技

無(wú)錫吉致電子科技有限公司作為國(guó)內(nèi)CMP拋光耗材專業(yè)制造商，多年研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，致力于為半導(dǎo)體、集成電路、3D封裝等領(lǐng)域提供高性能化學(xué)機(jī)械拋光解決方案。CMP Slurry系列涵蓋射頻濾波器拋光液、鎢拋光液、銅拋光液、淺槽隔離(STI)拋光液以及TSV硅通孔專用拋光液等，廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、3D NAND、DRAM等先進(jìn)制程的量產(chǎn)環(huán)節(jié)。一、吉致電子半導(dǎo)體拋光液產(chǎn)品特點(diǎn)CMP拋光液產(chǎn)品具備以下優(yōu)勢(shì)：卓越的懸浮穩(wěn)定性：顆粒分散均勻，不易沉淀和團(tuán)聚，使用方便，有效避免因顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致的工件表面劃傷缺陷?；瘜W(xué)-機(jī)械協(xié)同作用：通過(guò)

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CMP拋光液斷供危機(jī)？吉致電子國(guó)產(chǎn)替代方案降本30%+

在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，CMP化學(xué)機(jī)械平坦化拋光液（Slurry）是晶圓表面平坦化的關(guān)鍵材料，直接影響芯片的性能和良率。長(zhǎng)期以來(lái)，這一市場(chǎng)被海外巨頭壟斷，主要供應(yīng)商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦斷供可能導(dǎo)致生產(chǎn)線停滯，嚴(yán)重影響芯片交付。面對(duì)這一挑戰(zhàn)，吉致電子作為國(guó)內(nèi)高端電子材料供應(yīng)商，已實(shí)現(xiàn)中高端CMP拋光液的自主研發(fā)與量產(chǎn)，為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供堅(jiān)實(shí)保障。國(guó)產(chǎn)CMP拋光液的六大核心優(yōu)勢(shì)1. 顯著成本優(yōu)勢(shì)，降低企業(yè)采購(gòu)壓力價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)：吉致電子CMP拋光液比進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%，大幅降低半導(dǎo)體廠商的材

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多晶金剛石和單晶金剛石拋光液哪個(gè)好？

金剛石拋光液的性能差異根源在于其磨料顆粒的微觀結(jié)構(gòu)。多晶金剛石（又稱聚晶金剛石）由納米級(jí)金剛石微晶聚合而成，形成具有多棱面結(jié)構(gòu)的顆粒；而單晶金剛石則是完整的單晶體結(jié)構(gòu)，具有規(guī)則的幾何外形和一致的晶體取向。這種結(jié)構(gòu)差異直接導(dǎo)致了兩類拋光液在硬度、形貌和耐磨性方面的不同表現(xiàn)。一、單晶金剛石VS多晶金剛石的顆粒形貌與切削機(jī)理：?jiǎn)尉Ы饎偸チ＠饨羌怃J，初期切削速率高，但磨損后效率下降明顯，4小時(shí)拋光去除率波動(dòng)±15%。多晶金剛石顆粒因微晶隨機(jī)取向，持續(xù)暴露新切削面，自銳性強(qiáng)，去除率波動(dòng)僅 ±5%

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