在半導(dǎo)體陶瓷的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，吉致電子（JEEZ Electronics）作為國產(chǎn)CMP耗材供應(yīng)商，其拋光液（Slurry）和拋光墊（Polishing Pad）等產(chǎn)品可應(yīng)用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是結(jié)合吉致電子的技術(shù)特點(diǎn)，半導(dǎo)體陶瓷CMP中的潛在應(yīng)用方案：

吉致電子CMP拋光液在半導(dǎo)體陶瓷中的應(yīng)用

半導(dǎo)體陶瓷CMP研磨拋光漿料特性與適配性

CMP Slurry磨料類型：

納米氧化硅（SiO2）漿料：適用于SiC、GaN等硬質(zhì)陶瓷，通過表面氧化反應(yīng)（如SiC + H2O2 → SiO2 + CO2）實(shí)現(xiàn)高效去除。

氧化鋁（Al2O3）漿料：針對(duì)Al2O3、ZrO2等中硬度陶瓷，優(yōu)化粒徑分布（如50-200nm）以減少劃傷。

復(fù)合磨料：可能提供SiO2/Al2O3混合磨料，平衡化學(xué)活性與機(jī)械強(qiáng)度。

pH適配：提供酸性（pH 2-5）或堿性（pH 9-11）配方，適配不同陶瓷的化學(xué)穩(wěn)定性（如AlN在酸性下更穩(wěn)定）。

專利添加劑：可能包含緩蝕劑（抑制過度腐蝕）或表面活性劑（改善潤濕性）。

應(yīng)用案例：

SiC晶圓拋光：吉致電子的SiO2基漿料或可配合H2O2氧化劑，實(shí)現(xiàn)SiC的高材料去除率（MRR>200nm/min）和低表面粗糙度（Ra<0.5nm）。

吉致電子半導(dǎo)體陶瓷CMP研磨液優(yōu)勢(shì)

國產(chǎn)化替代：降低對(duì)進(jìn)口CMP拋光漿料的依賴，成本可控。

通過接入吉致電子的CMP耗材，可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體陶瓷研磨拋光的國產(chǎn)化解決方案，但需結(jié)合具體材料特性和工藝窗口進(jìn)行嚴(yán)格驗(yàn)證。建議直接聯(lián)系吉致電子技術(shù)團(tuán)隊(duì)獲取定制化數(shù)據(jù)。

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