吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

半導(dǎo)體拋光液---半導(dǎo)體材料有哪些？

  半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為：第一代元素半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導(dǎo)體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因為禁帶寬度大于2.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在國內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道&

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吉致電子Slurry拋光漿料--阻擋層拋光液

  目前，超大規(guī)模集成電路芯片的集成度已經(jīng)達到了數(shù)十億個元件，特征尺寸已經(jīng)達到了納米級，這就需要微電子技術(shù)中的數(shù)百道工序，尤其是多層布線、襯底、介質(zhì)等必須通過CMP化學(xué)機械技術(shù)，拋光液和拋光墊磨拋達到平坦化。VLSI布線正從傳統(tǒng)的鋁布線工藝向銅布線工藝轉(zhuǎn)變。  銅材質(zhì)具有快速遷移的特性，容易通過介質(zhì)層擴散，導(dǎo)致相鄰銅線之間漏電，進而導(dǎo)致器件特性失效。一般在沉積銅之前，在介質(zhì)襯底上沉積擴散阻擋層，工業(yè)上已經(jīng)廣泛使用的阻擋層材料是tan/ta。  化學(xué)拋光(CMP)技術(shù)slurry拋光漿料

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陶瓷覆銅板DPC/DBC研磨拋光液工藝

  陶瓷覆銅板的制作工藝主要是DPC工藝和DBC工藝，DPC產(chǎn)品具備線路精準(zhǔn)度高與表面平整度高的特性,非常適用于覆晶/共晶工藝,配合高導(dǎo)熱的陶瓷基體,顯著提升了散熱效率,是最適合高功率、小尺寸發(fā)展需求的陶瓷散熱基板。陶瓷覆銅基板需要用到CMP拋光工藝，利用拋光液和拋光墊達到表面光潔度或鏡面效果。  CMP拋光液對陶瓷覆銅基板的拋光研磨，可以做到粗拋、中拋、精拋效果。粗拋工藝，陶瓷覆銅板表面去除率高，快速拋磨。精拋工藝，基板表面無劃痕，可達反光鏡面效果。吉致電子針對陶瓷覆銅板制備的拋光研

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吉致電子--不銹鋼工件的研磨拋光工序

不銹鋼拋光液CMP拋光液，主要應(yīng)用于不銹鋼工件表面研磨拋光工藝，不銹鋼拋光液一般有去粗、粗拋、中拋、精拋鏡面四道流程。去粗工藝:不銹鋼拋光液用較粗磨料配方液先去除表面刀痕、毛刺，切割線等痕跡，研磨去除部分余料；的粗拋工藝:研磨移除劃痕和刀痕，提高表面平整度；中拋工藝:進階拋光劃痕、麻點，拋光霧面，不銹鋼中拋液提高不銹鋼工件表面亮度。精拋鏡面拋光：用不銹鋼精拋液精細(xì)化拋磨，保持工件表面的亮度升級亮度反光度，不銹鋼表面達到反光鏡面。吉致電子CMP手機鈦合金件研磨拋光液/鋁合金件研磨拋光液/鎂合金件研磨拋光液/不銹鋼研磨

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不銹鋼拋光液的CMP鏡面拋光

  手機、電腦、平板電腦等移動終端設(shè)備，會用到不銹鋼、鈦合金、鋁合金等金屬材質(zhì)，為了達到增強光澤度和平坦度，金屬手機工件需要Logo拋光、攝像頭保護件拋光、手機按鍵拋光、手機邊框拋光等工藝流程。目前3C電子設(shè)備用到最多的拋光方式為CMP拋光工藝，最常用的金屬拋光液--不銹鋼拋光液。  吉致電子不銹鋼拋光液針對這些不銹鋼工件的拋光設(shè)計而成，適用于拋光304、316和316L等不銹鋼材料?？捎糜诓讳P鋼件的粗拋、中拋和精拋工藝，以達到鏡面效果。不銹鋼拋光液經(jīng)過特殊配方調(diào)配，化學(xué)拋光作用溫和，對機臺和工

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吉致電子淺槽隔離拋光液怎么用

  吉致電子淺槽隔離拋光液適用范圍：單晶硅、多晶硅的研磨拋光，存儲器制程和背照式傳感器(BSI)制程等。  STI Slurry 適用于集成電路當(dāng)中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型凹陷可調(diào)，低缺陷等特性?？蓱?yīng)用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學(xué)物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。  可定制選擇穩(wěn)定的選擇比，去除速率，對氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點。BS

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吉致電子CMP不銹鋼拋光液的特點

吉致電子CMP拋光液在不銹鋼材料的表面精密加工工藝中，能夠獲得高亮度、無視覺缺陷的拋光效果，在手機、pad、數(shù)碼相機等電子產(chǎn)品中有很好的應(yīng)用。吉致電子不銹鋼拋光液在實際應(yīng)用中憑借高濃度、高稀釋比例等卓越的性能得到了客戶的充分肯定，主要用于不銹鋼的CMP工藝，目前已在國內(nèi)主流的手機代工客戶處得到良好的應(yīng)用。能拋光不銹鋼LOGO鏡面，拋光后光滑如鏡，不出現(xiàn)R角，無麻點，無劃傷，無拋光紋，達到理想的光潔度。不銹鋼拋光液的特點：①能夠在不銹鋼的CMP過程中大大提高表面的光亮度和平坦化。②不銹鋼拋光液具有表面張力低、易清洗、

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金屬手機邊框的鏡面拋光方法是什么？

  手機金屬外殼/手機邊框材質(zhì)一般為不銹鋼、鈦合金、鋁合金等，如華為\Iphone手機金屬邊框要達到完美的鏡面效果需要精拋步驟----手機鏡面拋光液slurry的主要成份是二氧化硅，二氧化硅拋光液外觀為乳白色，呈懸浮液狀態(tài)，在拋光過程中起到收光磨料的作用。  金屬手機精拋液的主要技術(shù)要求是什么呢？①鏡面拋光液PH值的選擇：PH值高低很可能會影響到最終的拋光效果，高低差別會導(dǎo)致手機金屬工件發(fā)黑氧化，以及麻點和起霧，所以如何控制PH值非常重要。②鏡面拋光液磨粒大小的選擇：氧化硅磨料顆粒大小，直接影響

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碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程

碳化硅襯底CMP化學(xué)機械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進行加工；主要目的是去除線切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對碳化硅襯底加工采用專門的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當(dāng)）又可以達到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精

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碳化硅襯底拋光液的特點

碳化硅半導(dǎo)體晶片的制作一般在切片后需要用CMP拋光液進行拋光，以移除表面的缺陷與損傷。碳化硅（Sic）晶片以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT）生長碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關(guān)器件。碳化硅襯底具有碳極性面和硅極性面，因為碳面與硅面的極性不同，所以化學(xué)活性也不同，故雙面cmp拋光速率具有差異。吉致電子碳化硅襯底拋光液（Sic Slurry）為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學(xué)機械平坦化配制的高精度拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓

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吉致電子 射頻濾波器拋光液slurry廠家

  射頻濾波器發(fā)展至今，基本主要有兩種構(gòu)型，其中，一類是SAW濾波器（聲表面波，Surface Acoustic Wave），另一類是BAW濾波器（體聲波，Bulk Acoustic Wave），而BAW濾波器又可細(xì)分為SMR（固態(tài)裝配諧振器,Solidly Mounted Resonator）和FBAR（薄膜腔諧振器,Film Bulk Acoustic Resonator）4-6。目前市場主流的濾波器是SAW（聲表面波濾波器）、BAW（體聲波濾波器）和FBAR（薄膜腔聲諧振濾波器）  隨著5

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氧化鋁拋光液在藍寶石窗口中的應(yīng)用

  α -氧化鋁(Al2O3)是眾多氧化鋁晶相中的最穩(wěn)定的晶體相，它由其他晶相的氧化鋁在高溫下轉(zhuǎn)變而成，是天然氧化物晶體中硬度最高的物質(zhì)，硬度僅次于金剛石，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于二氧化硅溶膠顆粒，它是一種常用的拋光用磨料，被廣泛用于許多硬質(zhì)材料的拋光上。應(yīng)用于CMP拋光液制備中，常用于在藍寶石窗口的鏡面拋光工藝中。 α -氧化鋁(Al2O3)其實與藍寶石是同一種物質(zhì)或材料，材料結(jié)構(gòu)中的原子排列模式完全相同，區(qū)別在于多晶體與單晶體。因此，從硬度上講α-氧化鋁(Al2O3)納米粉體與藍寶石晶體的硬度相當(dāng)，可以用于

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藍寶石拋光液的成分

  藍寶石拋光液中的主要成分有磨料、表面活性劑、螯合劑、PH調(diào)節(jié)劑等，拋光液是影響CMP（化學(xué)機械拋光）效果最重要的因素之一。評價拋光液性能好壞的指標(biāo)是流動性好，分散均勻，在規(guī)定時間內(nèi)不能產(chǎn)生團聚、沉淀、分層等問題，磨料懸浮性能好，拋光速率快，易清洗且綠色環(huán)保等。  其中，磨料主要影響化學(xué)機械拋光中的機械作用。磨料的選用主要從磨料的種類、濃度以及粒徑三個方面來考慮。目前CMP拋光液中常用的磨料主要有金剛石、氧化鋁、氧化硅等單一磨料，也有氧化硅/氧化鋁混合磨料以及核殼型的復(fù)合磨料等。行業(yè)內(nèi)主流拋光

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半導(dǎo)體拋光液是什么？

  半導(dǎo)體拋光液是什么？簡單來說拋光液是通過化學(xué)機械反應(yīng)，去除半導(dǎo)體工件表面的氧化層，達到光潔度和高平坦要求的化學(xué)液體。  半導(dǎo)體CMP拋光液是超細(xì)固體研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物，制備成均勻分散的懸浮液，起到研磨、潤滑和腐蝕溶解等作用，主要原料包括研磨顆粒、PH調(diào)節(jié)劑、氧化劑和分散劑等。拋光液的分類：根據(jù)酸堿性可以分為：酸性拋光液和堿性拋光液、中性拋光液。根據(jù)拋磨材質(zhì)可以分為：金屬拋光液和非金屬拋光液。根據(jù)拋光對象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等。其中，銅拋光液和鎢拋

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CMP拋光液---復(fù)合磨料拋光液

  復(fù)合磨料拋光液  CMP拋光液產(chǎn)品除了混合磨料外，也有利用各種新興材料制備復(fù)合磨料，常用的方法有納米粒子包覆和摻雜等。如通過結(jié)構(gòu)修飾改善納米粒子的分散性、復(fù)合其他類型材料提升在酸、堿性拋光液中的綜合性能等。  復(fù)合磨料拋光液相比混合磨料和單一磨料，在材料去除率及表面粗糙度方面均有明顯的優(yōu)勢，能實現(xiàn)納米級或亞納米級超低損傷的表面形貌。但復(fù)合磨料的制備工藝相對比較復(fù)雜，目前僅處于實驗室探索階段，距離復(fù)合磨料在大規(guī)模生產(chǎn)上的應(yīng)用還有較遠(yuǎn)的距離。  吉致電子科技25年拋光液生產(chǎn)廠

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相聚吉致 歡度中秋---2022年吉致電子科技中秋團建活動

相聚吉致 歡度中秋  月到中秋分外明，又是一年團圓日。2022年中秋月圓之際，吉致電子科技有限公司的小伙伴們舉辦了別開生面的慶祝活動，自制月餅、小游戲：企鵝敲冰、氣球運杯子、誰是臥底等。  活動中大家同行協(xié)力，分工明確，親手做了別致的冰皮月餅甜甜美美香香糯糯，就跟吉致大家庭一樣充滿甜蜜和快樂。小伙伴們在歡聲笑語中迎接秋意濃情，共享團圓，吉致電子小編祝福大家祝福所有的客戶朋友中秋愉快，事業(yè)圓滿、家庭幸福，生活和和美美！本文由無錫吉致電子科技原創(chuàng)，版權(quán)歸無錫吉致電子科技，未經(jīng)允許，不得轉(zhuǎn)載，轉(zhuǎn)載需附

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什么是混合磨料拋光液？

混合磨料拋光液  拋磨工件材質(zhì)的升級和發(fā)展，對鏡面要求越來越高，單一的磨料已無法滿足CMP行業(yè)需求，研究人員開始嘗試將不同粒徑、不同形貌的一種或多種粒子組合到一起使用，開發(fā)出混合型拋光液。比如，在大粒徑二氧化硅中加入小粒徑的氧化硅，這樣能明顯提高拋光速率，且粒徑相差越大提升率越高，這是因為在磨料在總的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不變的條件下，增大小粒徑磨料的占比能增加硅溶膠顆粒的總體數(shù)量，從而起到了提高拋光速率的作用。  大量的研究成果表明，混合粒子的使用能夠不同程度的提高化學(xué)機械拋光的速率，但是對拋光后表面粗糙度

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納米拋光液---納米氧化鋁拋光液

氧化鋁粉體具有多個晶體形態(tài)，常見的有Y，θ，α，δ等相。其中α相的氧化鋁為其他相的氧化鋁高溫轉(zhuǎn)變而成。作為拋光液用的α氧化鋁顆粒，根據(jù)拋光(粗拋/精拋)的要求不同，a -Al2O3平均顆粒大小可以從100nm到500/1000nm而不同,但不管是何種拋光，氧化鋁的硬團聚體，或超大顆粒越少越好，這些超大顆粒會在拋光過程中給晶體表面造成劃傷，導(dǎo)致整個拋光過程失敗。所以，在制備以a-Al2O3為主體的拋光液過程中，如何控制超大顆粒是一關(guān)鍵。吉致電子氧化鋁研磨液/氧化鋁精拋液，顆粒經(jīng)表面改性處理，按特殊化學(xué)配方充分混合制備

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什么是單一磨料的CMP拋光液？

單一磨料拋光液化學(xué)機械CMP拋光液在研究初期大多是使用單一磨料，如氧化鋁拋光液（Al2O3）、二氧化硅拋光液（SiO2）、二氧化鈰拋光液（CeO2）、氧化鋯拋光液（ZrO2）和金剛石拋光液等。其中研究應(yīng)用最多的是Al2O3、SiO2和CeO2磨料拋光液。氧化鋁拋光液--Al2O3的硬度高，多用于藍寶石、碳化硅、光學(xué)玻璃、晶體和合金材料的拋光，但含Al2O3的拋光液會出現(xiàn)選擇性低、分散穩(wěn)定性不好、易團聚的問題，容易在拋光表面造成劃傷，一般需要配合各種添加劑使用才能獲得良好的拋光表面。氧化硅拋光液--SiO2具有良好的

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CMP拋光液中磨料對拋光效果的影響

磨料對拋光效果的影響在CMP拋光過程中磨料的作用是借助機械力，通過化學(xué)反應(yīng)去除工件或晶圓表面形成的鈍化膜，從而達到表面平坦化的目的。CMP拋光液常用的磨料有硅溶膠SiO2、氧化鋁Al2O3、氧化鈰CeO2、金剛石等。磨料的種類磨料的種類和材質(zhì)決定了拋光液中微粒的硬度和粒徑，從而影響拋光效果。拋光鋁合金工件實驗中相對于氧化鋁拋光液Al2O3磨料，氧化硅拋光液SiO2磨料能獲得較好的表面平整度、更少的表面劃痕和更小的尺寸。原因是硅溶膠拋光液SiO2磨粒尺寸較小，拋光時磨料嵌入晶圓表面的深度較小。 此外，通過優(yōu)

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