吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

碳化硅SiC襯底CMP拋光液拋光墊[ 10-15 14:55 ]

一、碳化硅CMP工藝：精密制造的“表面革命”碳化硅（SiC）以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)特性，成為半導(dǎo)體功率器件、新能源汽車(chē)電子等高端領(lǐng)域的核心材料。而化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）作為實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底原子級(jí)光滑表面的關(guān)鍵工藝，其核心效能直接由拋光液與拋光墊兩大耗材決定。吉致電子深耕CMP材料領(lǐng)域多年，針對(duì)碳化硅襯底拋光的4道核心制程，打造了全系列適配的拋光液Slurry與拋光墊Pad產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)“高效去除”與“超精表面”的完美平衡。二、碳化硅拋光液：化學(xué)

吉致電子非晶鋯拋光液有哪些（鋯基非晶合金CMP工藝）[ 10-13 14:29 ]

非晶鋯（Amorphous Zirconium），也常被稱(chēng)為鋯基非晶合金或鋯基大塊金屬玻璃（Zr-based Bulk Metallic Glass, Zr-BMG），是一種通過(guò)特殊工藝使鋯（Zr）與其他金屬元素（如銅、鎳、鋁、鈦等）形成的無(wú)定形晶體結(jié)構(gòu)的金屬材料，核心特征是原子排列不具備傳統(tǒng)晶體材料的長(zhǎng)程有序性，呈現(xiàn)“玻璃態(tài)”的微觀結(jié)構(gòu)。由于其“高強(qiáng)度、高耐磨、高耐蝕”的綜合性能，非晶鋯已在多個(gè)高要求領(lǐng)域落地應(yīng)用：醫(yī)療領(lǐng)域口腔修復(fù)：非晶鋯的硬度與牙釉質(zhì)接近，耐口腔酸

覆銅陶瓷基板為什么選擇CMP拋光工藝（AMB/DPC/DBC陶瓷板）[ 09-25 16:58 ]

陶瓷覆銅板（如Al2O3、AlN陶瓷基覆銅板）作為高功率電子器件（如IGBT、LED芯片）的關(guān)鍵載體，對(duì)表面質(zhì)量和性能有嚴(yán)苛要求：極低表面粗糙度：陶瓷基板與金屬銅層的結(jié)合面需平整光滑，否則會(huì)導(dǎo)致覆銅時(shí)出現(xiàn)氣泡、分層，影響導(dǎo)熱性和電氣可靠性；無(wú)損傷表面：陶瓷材料脆性高，傳統(tǒng)機(jī)械拋光易產(chǎn)生劃痕、微裂紋，破壞絕緣性能和結(jié)構(gòu)強(qiáng)度；高精度厚度控制：部分高頻、高功率場(chǎng)景下，陶瓷基板厚度公差需控制在±5μm內(nèi)，直接影響器件封裝密度和散熱效率。這些需求恰好與化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）“化學(xué)腐蝕+機(jī)械研磨&rd

告別傳統(tǒng)蠟粘，藍(lán)寶石襯底CMP吸附墊真香！[ 09-19 13:39 ]

在藍(lán)寶石襯底化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，無(wú)蠟吸附墊Template是實(shí)現(xiàn)襯底穩(wěn)定固定、保障拋光精度與良率的核心輔助部件，TP墊的作用是圍繞“無(wú)損傷固定”“精準(zhǔn)工藝控制”“高效生產(chǎn)”三大核心目標(biāo)展開(kāi)，具體可拆解為以5個(gè)關(guān)鍵維度：1.藍(lán)寶石襯底吸附墊的功能：替代傳統(tǒng)蠟粘，實(shí)現(xiàn)“無(wú)損傷固定”傳統(tǒng)藍(lán)寶石襯底CMP中，常采用熱蠟粘貼方式將襯底固定在陶瓷吸盤(pán)上（通過(guò)加熱蠟層融化后貼合、冷卻后固化），但存在明顯缺陷：蠟層殘留需額外清洗（

從性能到場(chǎng)景：吉致電子CMP Pad軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)墊的區(qū)別[ 09-17 15:24 ]

在精密拋光領(lǐng)域（如半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、藍(lán)寶石襯底等加工），拋光墊CMP PAD的硬度是影響拋光效果的核心參數(shù)之一。CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝中軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)拋光墊的差異，本質(zhì)上是“材料形變能力”與“機(jī)械作用強(qiáng)度”的對(duì)立與適配，其優(yōu)點(diǎn)和差別主要體現(xiàn)在拋光效率、表面質(zhì)量、適用場(chǎng)景等多個(gè)維度，具體可通過(guò)以下對(duì)比清晰呈現(xiàn)：一、核心定義與材質(zhì)差異首先需明確二者的本質(zhì)區(qū)別：硬質(zhì)拋光墊：通常以高分子聚合物（如聚氨酯、聚酰亞胺）為基材，添加剛性填料（如氧化鈰、氧化鋁、碳化硅微粉），整

無(wú)蠟吸附墊成精密拋光新核心？吉致電子賦能蘋(píng)果Logo品質(zhì)突破[ 09-11 14:18 ]

從iPhone、MacBook的不銹鋼Logo，到iWatch的鈦合金部件，再到iPad的鋁合金標(biāo)識(shí)，其鏡面級(jí)的視覺(jué)與觸感體驗(yàn)，已成為全球消費(fèi)者對(duì)高端品質(zhì)的直觀認(rèn)知。而這一驚艷效果的實(shí)現(xiàn)，背后離不開(kāi)化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝的核心突破，其中無(wú)蠟吸附墊（Template） 更是決定蘋(píng)果Logo拋光精度與品質(zhì)的關(guān)鍵技術(shù)支撐。一、蘋(píng)果Logo的CMP拋光為何必須“去蠟”？傳統(tǒng)工藝的三大致命局限長(zhǎng)期以來(lái)，消費(fèi)電子精密部件拋光多依賴(lài)蠟粘固定工藝，即將

CMP工藝中油性金剛石與水性金剛石研磨液的差異及應(yīng)用解析[ 09-10 09:03 ]

CMP工藝中油性與水性金剛石研磨液的差異及應(yīng)用解析在CMP化學(xué)機(jī)械工藝中研磨液作為核心耗材，直接影響工件的拋光效率、表面質(zhì)量及生產(chǎn)成本。其中，油性金剛拋光液與水性金剛石研磨液憑借各自獨(dú)特的性能特點(diǎn)，在不同加工場(chǎng)景中發(fā)揮著重要作用。吉致電子小編將從成分、性能及應(yīng)用場(chǎng)景三方面，深入解析兩者的差異，為行業(yè)應(yīng)用提供參考。一、核心成分差異研磨液的基礎(chǔ)成分決定了其基本特性，油性與水性金剛石研磨液在分散介質(zhì)及輔助添加劑上存在顯著區(qū)別：油性金剛拋光液：以油類(lèi)（如酒精基、礦物油基等）為主要分散介質(zhì)，配合潤(rùn)滑劑、防銹劑及金剛石磨粒組成

吉致電子CMP放射狀同心圓開(kāi)槽紋理拋光墊，賦能精密拋光[ 09-05 16:56 ]

在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，拋光墊作為核心耗材，其紋理設(shè)計(jì)直接影響拋光效率、表面質(zhì)量與材料適配性。其中，放射狀同心圓開(kāi)槽紋理拋光墊憑借獨(dú)特的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)，成為半導(dǎo)體、光學(xué)、金屬及陶瓷等領(lǐng)域精密加工的關(guān)鍵支撐，為電子材料制造注入高效、穩(wěn)定的技術(shù)動(dòng)力。一、核心特性：精準(zhǔn)破解拋光工藝痛點(diǎn)放射狀同心圓開(kāi)槽紋理融合了兩種溝槽設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)，從拋光液管理、材料去除、碎屑處理到表面均一性控制，全方位優(yōu)化拋光過(guò)程，解決傳統(tǒng)拋光墊易出現(xiàn)的局部干涸、排屑不暢、邊緣過(guò)度磨損等問(wèn)題。1. 拋光液均勻分布，保障反應(yīng)連續(xù)性放射狀溝槽可引導(dǎo)拋光液從

半導(dǎo)體CMP工藝核心：金屬互聯(lián)層與介質(zhì)層Slurry拋光液的類(lèi)型劃分[ 08-28 16:59 ]

在半導(dǎo)體芯片制造中，化學(xué)機(jī)械拋光CMP是關(guān)鍵工藝，其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材，直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無(wú)論是 導(dǎo)線;（互連層）還是絕緣骨架（介質(zhì)層），都需靠它實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)平整。下面吉致電子小編就來(lái)拆解下半導(dǎo)體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質(zhì)層CMP拋光液的類(lèi)型和應(yīng)用場(chǎng)景。一、金屬互連層CMP拋光液（后端 BEOL 核心）核心需求是選擇性除金屬、護(hù)絕緣 / 阻擋層，主流類(lèi)型有：銅（Cu）CMP 拋光液14n

CMP拋光墊怎么選？吉致電子聚氨酯拋光墊適配全工序需求[ 08-27 13:56 ]

在化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝中，聚氨酯拋光墊（Polyurethane Polishing Pad）是實(shí)現(xiàn)化學(xué)作用與機(jī)械研磨協(xié)同” 的核心耗材之一，直接決定拋光后的表面平整度（Global Planarity）、表面粗糙度（Surface Roughness）及拋光效率，其應(yīng)用可從功能定位、關(guān)鍵作用、選型邏輯及使用要點(diǎn)四個(gè)維度展開(kāi)：一、核心功能定位：CMP工藝的;機(jī)械研磨載體CMP 的本質(zhì)是通過(guò)

國(guó)產(chǎn)CMP拋光墊：吉致電子無(wú)紡布?jí)|如何比肩Fujibo？[ 08-14 14:46 ]

在化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，拋光墊CMP PAD對(duì)精密元件表面處理質(zhì)量影響重大，高端市場(chǎng)長(zhǎng)期被國(guó)際巨頭壟斷，國(guó)產(chǎn)替代拋光墊/研磨墊的需求強(qiáng)烈。無(wú)錫吉致電子憑借多年技術(shù)積累，研發(fā)的高性能無(wú)紡布及半導(dǎo)體拋光墊系列產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)對(duì)Fujibo(富士紡)等進(jìn)口品牌的替代，在拋光效率、使用壽命和本土定制化服務(wù)上優(yōu)勢(shì)顯著。無(wú)紡布拋光墊的技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景及國(guó)產(chǎn)化突破意義，為相關(guān)行業(yè)提供高性價(jià)比拋光方案。吉致電子無(wú)紡布拋光墊，以特殊纖維結(jié)構(gòu)和創(chuàng)新工藝，實(shí)現(xiàn)高耐磨性與優(yōu)異拋光性能的結(jié)合。相比傳統(tǒng)聚氨酯拋光墊，其三維網(wǎng)絡(luò)孔隙能更有效輸

硅晶圓芯片拋光如何選擇無(wú)蠟吸附墊？[ 07-04 17:08 ]

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，無(wú)蠟吸附墊Template正逐漸成為提升生產(chǎn)效率與加工精度的關(guān)鍵要素。相較于傳統(tǒng)蠟?zāi)Ｑb夾工藝，無(wú)蠟吸附墊展現(xiàn)出諸多優(yōu)勢(shì)。如何挑選出契合晶圓、芯片CMP拋光需求的無(wú)蠟吸附墊，成為眾多半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。選擇半導(dǎo)體無(wú)蠟吸附墊，吉致電子建議您可從以下幾個(gè)方面考慮：考慮晶圓尺寸與類(lèi)型：不同的半導(dǎo)體加工涉及不同尺寸的晶圓，如8英寸或12英寸等，需選擇與之適配的無(wú)蠟吸附墊。同時(shí)，根據(jù)晶圓材料類(lèi)型，如硅片、SiC、藍(lán)寶石襯底等，選擇具有相應(yīng)材料兼容性的吸附墊，確保在加工過(guò)程中不會(huì)對(duì)晶圓造成化學(xué)腐蝕等損害。關(guān)注吸

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）如何優(yōu)化陶瓷覆銅板平坦化？[ 05-23 16:32 ]

陶瓷覆銅板（Ceramic Copper-Clad Laminate，簡(jiǎn)稱(chēng)陶瓷基覆銅板或DBC/DPC）是一種高性能電子基板材料，廣泛應(yīng)用于高功率、高溫、高頻等苛刻環(huán)境下的電子器件中。它由陶瓷基板和覆銅層通過(guò)特殊工藝結(jié)合而成，兼具陶瓷的優(yōu)異性能和金屬銅的導(dǎo)電特性。陶瓷覆銅板CMP研磨液是一種專(zhuān)用于化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝的特殊液體，用于對(duì)陶瓷覆銅板（如DBC、DPC等）表面進(jìn)行高精度平坦化處理。其核心作用是通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同效應(yīng)，去除銅層和陶

如何解決二氧化硅拋光液結(jié)晶問(wèn)題？吉致電子CMP拋光專(zhuān)家支招[ 05-08 17:28 ]

在半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃等精密制造領(lǐng)域，二氧化硅（SiO2）拋光液因其高精度、低損傷的特性被廣泛應(yīng)用。然而，拋光液在存儲(chǔ)或使用過(guò)程中可能出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊現(xiàn)象，輕則影響拋光效果，重則導(dǎo)致工件劃傷甚至報(bào)廢。如何有效避免和解決這一問(wèn)題？吉致電子憑借多年CMP拋光液研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專(zhuān)業(yè)解決方案！一、結(jié)晶原因分析二氧化硅拋光液以高純度硅粉為原料，通過(guò)水解法制備，其膠體粒子在水性環(huán)境中形成穩(wěn)定的離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。但若水分流失、溫度波動(dòng)或pH失衡，粒子會(huì)迅速聚集形成硬質(zhì)結(jié)晶。主要誘因包括：存儲(chǔ)不當(dāng)（溫度過(guò)高/過(guò)低、未密封）拋光液停滯（流動(dòng)不

半導(dǎo)體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料[ 02-25 14:44 ]

半導(dǎo)體銅化學(xué)機(jī)械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中銅互連層化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用，確保銅層平整化并實(shí)現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的結(jié)合，實(shí)現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

硬盤(pán)玻璃的表面拋光主要用什么工藝？[ 02-18 13:25 ]

    硬盤(pán)玻璃（也稱(chēng)為硬盤(pán)盤(pán)片基板或玻璃基板）是一種用于制造硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器（HDD）盤(pán)片的特殊玻璃材料。它是硬盤(pán)盤(pán)片的基礎(chǔ)材料，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。硬盤(pán)玻璃通常采用特殊的鋁硅酸鹽玻璃或化學(xué)強(qiáng)化玻璃，具有硬度高、輕量化、低熱膨脹系數(shù)、高表面光潔度的特點(diǎn)。硬盤(pán)玻璃的表面拋光是其制造過(guò)程中非常關(guān)鍵的一環(huán)，因?yàn)橛脖P(pán)盤(pán)片需要極高的表面平整度和光潔度，以確保數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀寫(xiě)的精確性。硬盤(pán)玻璃的表面拋光主要采用CMP化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing）。 &nb

鈮酸鋰/鉭酸鋰晶體拋光液成分及特點(diǎn)[ 02-08 15:14 ]

鈮酸鋰（LiNbO?）和鉭酸鋰（LiTaO?）襯底的CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光液是一種專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)高效材料去除和表面平整化的化學(xué)機(jī)械混合物。其組成和特性如下：1. 主要成分磨料：常用磨料包括二氧化硅（SiO?）或氧化鋁（Al?O?）納米顆粒。磨料粒徑通常在20-200 nm之間，以實(shí)現(xiàn)高效的材料去除和表面光滑。氧化劑：用于氧化襯底表面，使其更容易被磨料去除。常見(jiàn)的氧化劑包括過(guò)氧化氫（H?O?）、硝酸（HNO?）或高錳酸鉀（KMnO?）。pH調(diào)節(jié)劑：拋光液的pH值通常控制在9-11之間，以優(yōu)化化學(xué)反應(yīng)和

影響碳化硅襯底質(zhì)量的重要工藝參數(shù)有哪些[ 01-31 17:33 ]

碳化硅襯底提高加工速率和良品率的主要因素除了用對(duì)拋光液和拋光墊，在CMP拋光研磨過(guò)程的工藝參數(shù)也很重要：拋光壓力：適當(dāng)增加壓力可以提高拋光效率，但過(guò)高的壓力可能導(dǎo)致襯底表面產(chǎn)生劃痕、損傷甚至破裂。一般根據(jù)襯底的厚度、硬度以及拋光設(shè)備的性能，壓力范圍在幾十千帕到幾百千帕之間。拋光轉(zhuǎn)速：包括襯底承載臺(tái)的轉(zhuǎn)速和拋光墊的轉(zhuǎn)速。轉(zhuǎn)速影響拋光液在襯底和拋光墊之間的流動(dòng)狀態(tài)以及磨料的磨削作用。較高的轉(zhuǎn)速可以加快拋光速度，但也可能使拋光液分布不均勻，導(dǎo)致表面質(zhì)量下降。轉(zhuǎn)速通常在每分鐘幾十轉(zhuǎn)到幾百轉(zhuǎn)之間調(diào)整。拋光時(shí)間：由襯底需要去除

CMP拋光墊在化學(xué)機(jī)械平面研磨中的作用和效果[ 01-11 10:25 ]

CMP拋光墊在化學(xué)機(jī)械平面研磨中的作用和效果通過(guò)調(diào)整拋光墊的密度和硬度，可以根據(jù)目標(biāo)值（如鏡面光潔度、精度等）進(jìn)行優(yōu)化，確保工件表面達(dá)到鏡面光潔度，同時(shí)與研磨相比，損傷降至最低。在CMP過(guò)程中，拋光墊主要發(fā)揮以下作用：1. 均勻施加壓力：由于拋光墊通常由柔性材料制成，并具有一定的彈性，它能夠在壓力施加時(shí)均勻變形，確保材料的去除速率在整個(gè)晶圓表面上保持一致，避免局部去除過(guò)度或不足。2. 散熱：CMP過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量，拋光墊通常由具有良好導(dǎo)熱性能的材料制成，例如聚氨酯等，能夠快速傳導(dǎo)熱量，防止局部過(guò)熱，從而保護(hù)晶圓

半導(dǎo)體晶圓拋光墊的類(lèi)型有哪些[ 01-10 14:59 ]

一、CMP拋光墊概述CMP拋光墊是半導(dǎo)體晶圓制造中不可或缺的工具之一，主要用于半導(dǎo)體晶圓的拋光和平整處理。這些拋光墊CMP Pad采用優(yōu)質(zhì)材料制作，展現(xiàn)出卓越的耐磨性和平坦度，確保晶圓在拋光過(guò)程中得到妥善保護(hù)，不受損害。根據(jù)不同的材質(zhì)和硬度需求，拋光墊可分為多種類(lèi)型。二、各種自粘式CMP拋光墊的種類(lèi)和特點(diǎn)1. 聚氨酯(PU)拋光墊聚氨酯(PU)拋光墊是拋光墊中的一種常見(jiàn)類(lèi)型，其硬度較低，展現(xiàn)出良好的柔軟性和彈性，特別適用于需要柔軟拋光墊的場(chǎng)合。它的拋光效果出色，使用壽命較長(zhǎng)，但價(jià)格相對(duì)較高。2. 聚酯(PET)拋光