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25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產

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先進半導體制造中的CMP Slurry：銅/鎢/碳化硅拋光液技術與國產化進展

文章出處：責任編輯：人氣：-發(fā)表時間：2025-04-22 16:26【大 中 小】

化學機械平坦化（CMP）工藝是半導體制造中的核心技術，其通過化學與機械協同作用實現納米級表面精度，對集成電路性能至關重要。以下從技術、市場及國產化角度進行專業(yè)分析：

一、CMP工藝核心要素

  1. 拋光液（Slurry）

    • 化學組分：氧化劑（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（納米SiO2/Al2O3）、pH調節(jié)劑及緩蝕劑，需針對材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。

    • 關鍵參數：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。

    • 吉致電子優(yōu)勢：25年技術積累可提供SiC晶片（硬度高，需高選擇性研磨液）和鉬（易氧化，需緩蝕配方）等特殊材料解決方案。

  2. 拋光墊（Pad）

    • 多孔聚氨酯材料，硬度/孔隙率影響平坦化效率。需與Slurry協同優(yōu)化，如硬墊（IC1000）配高活性拋光液提升MRR。

  3. 工藝控制

    • 終點檢測（如光學干涉法）確保厚度精度（±5nm）；清洗步驟減少殘留顆粒（缺陷密度＜0.1/cm²）。

    •  

      • CMP耗材廠家吉致電子

二、細分工藝應用

工藝類型技術難點典型應用吉致方案特點
Cu CMP杜邦效應控制（dishing＜30nm）先進制程互連線（7nm以下）低腐蝕速率配方，減少銅線損耗
W CMP氧化物與鎢選擇比（10:1）3D NAND存儲接觸孔高選擇性研磨液抑制底層氧化蝕刻
SiC CMP低MRR（＜100nm/h）功率器件襯底納米金剛石磨料提升效率

三、國產化突破路徑 ：CMP拋光液/CMP拋光墊國產替代

  1. 技術壁壘

    • 高端Slurry市場被Cabot、杜邦壟斷（市占＞70%），核心專利涉及納米磨料分散穩(wěn)定性及金屬絡合劑配方。

  2. 吉致電子積極研發(fā)生產國產替代化CMP耗材

    • 定制化開發(fā)：與晶圓、芯片廠家、高校研究所等聯合開發(fā)，從技術突破、產業(yè)鏈協同、市場策略等多維度推進

    • 磨料自主化，材料創(chuàng)新，配方優(yōu)化。（拋光墊PAD suba800/環(huán)球IC1000/LP66國產替代產品技術成熟穩(wěn)定）

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