化學(xué)機械拋光(CMP)如何優(yōu)化陶瓷覆銅板平坦化?
陶瓷覆銅板(Ceramic Copper-Clad Laminate,簡稱陶瓷基覆銅板或DBC/DPC)是一種高性能電子基板材料,廣泛應(yīng)用于高功率、高溫、高頻等苛刻環(huán)境下的電子器件中。它由陶瓷基板和覆銅層通過特殊工藝結(jié)合而成,兼具陶瓷的優(yōu)異性能和金屬銅的導(dǎo)電特性。
陶瓷覆銅板CMP研磨液是一種專用于化學(xué)機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)工藝的特殊液體,用于對陶瓷覆銅板(如DBC、DPC等)表面進行高精度平坦化處理。其核心作用是通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應(yīng),去除銅層和陶瓷基材表面的不平整、缺陷或殘留物,從而獲得超平滑、無損傷的表面,滿足高精度電子封裝的要求。
陶瓷覆銅板研磨液關(guān)鍵性能要求
高去除率(MRR):單位時間內(nèi)材料去除量需可控(如銅層0.5-2 μm/min)。
低表面粗糙度:拋光后表面粗糙度(Ra)通常需<1 nm(對高頻電路至關(guān)重要)。
高選擇性:銅與陶瓷的拋光速率比需優(yōu)化,防止界面臺階(Dishing)。
低缺陷率:減少劃痕、顆粒殘留、腐蝕坑等。
穩(wěn)定性:磨料不沉降、成分不分解,壽命長。
吉致電子陶瓷覆銅板CMP拋光液Slurry應(yīng)用場景
陶瓷覆銅板制程:
DBC工藝:拋光銅層以改善鍵合強度。
DPC工藝:電鍍銅后的表面平坦化,確保光刻精度。
功率模塊封裝:如IGBT、SiC模塊的襯底拋光。
三維集成:TSV(硅通孔)銅填充后的全局平坦化。
陶瓷覆銅板CMP研磨液是高端電子制造中的關(guān)鍵耗材,其性能直接影響功率器件的散熱、電氣連接及可靠性。隨著第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)的普及,對CMP工藝的要求將進一步提升,推動研磨液向更高效、環(huán)保的方向發(fā)展。
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