吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

無(wú)蠟吸附墊成精密拋光新核心？吉致電子賦能蘋(píng)果Logo品質(zhì)突破

從iPhone、MacBook的不銹鋼Logo，到iWatch的鈦合金部件，再到iPad的鋁合金標(biāo)識(shí)，其鏡面級(jí)的視覺(jué)與觸感體驗(yàn)，已成為全球消費(fèi)者對(duì)高端品質(zhì)的直觀認(rèn)知。而這一驚艷效果的實(shí)現(xiàn)，背后離不開(kāi)化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝的核心突破，其中無(wú)蠟吸附墊（Template） 更是決定蘋(píng)果Logo拋光精度與品質(zhì)的關(guān)鍵技術(shù)支撐。一、蘋(píng)果Logo的CMP拋光為何必須“去蠟”？傳統(tǒng)工藝的三大致命局限長(zhǎng)期以來(lái)，消費(fèi)電子精密部件拋光多依賴(lài)蠟粘固定工藝，即將

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CMP工藝中油性金剛石與水性金剛石研磨液的差異及應(yīng)用解析

CMP工藝中油性與水性金剛石研磨液的差異及應(yīng)用解析在CMP化學(xué)機(jī)械工藝中研磨液作為核心耗材，直接影響工件的拋光效率、表面質(zhì)量及生產(chǎn)成本。其中，油性金剛拋光液與水性金剛石研磨液憑借各自獨(dú)特的性能特點(diǎn)，在不同加工場(chǎng)景中發(fā)揮著重要作用。吉致電子小編將從成分、性能及應(yīng)用場(chǎng)景三方面，深入解析兩者的差異，為行業(yè)應(yīng)用提供參考。一、核心成分差異研磨液的基礎(chǔ)成分決定了其基本特性，油性與水性金剛石研磨液在分散介質(zhì)及輔助添加劑上存在顯著區(qū)別：油性金剛拋光液：以油類(lèi)（如酒精基、礦物油基等）為主要分散介質(zhì)，配合潤(rùn)滑劑、防銹劑及金剛石磨粒組成

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吉致電子CMP放射狀同心圓開(kāi)槽紋理拋光墊，賦能精密拋光

在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，拋光墊作為核心耗材，其紋理設(shè)計(jì)直接影響拋光效率、表面質(zhì)量與材料適配性。其中，放射狀同心圓開(kāi)槽紋理拋光墊憑借獨(dú)特的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)，成為半導(dǎo)體、光學(xué)、金屬及陶瓷等領(lǐng)域精密加工的關(guān)鍵支撐，為電子材料制造注入高效、穩(wěn)定的技術(shù)動(dòng)力。一、核心特性：精準(zhǔn)破解拋光工藝痛點(diǎn)放射狀同心圓開(kāi)槽紋理融合了兩種溝槽設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)，從拋光液管理、材料去除、碎屑處理到表面均一性控制，全方位優(yōu)化拋光過(guò)程，解決傳統(tǒng)拋光墊易出現(xiàn)的局部干涸、排屑不暢、邊緣過(guò)度磨損等問(wèn)題。1. 拋光液均勻分布，保障反應(yīng)連續(xù)性放射狀溝槽可引導(dǎo)拋光液從

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阻尼布精拋墊：硬脆材料CMP拋光高精度解決方案

在CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝中適，拋光墊CMP Pad的性能對(duì)精密元件表面處理效果影響極大。吉致電子阻尼布拋光墊（精拋墊）質(zhì)地細(xì)膩，表面柔軟、多孔、彈性好且使用周期長(zhǎng)，用于晶圓、金屬、脆硬材料的最終拋光。吉致電子阻尼布精拋墊采用特殊纖維結(jié)構(gòu)，構(gòu)建起三維網(wǎng)絡(luò)孔隙。這些孔隙如同細(xì)密的管道，在拋光時(shí)能夠高效輸送拋光漿料，讓漿料均勻覆蓋元件表面，從而提升拋光表面的一致性。同時(shí)，拋光墊的孔隙能迅速將拋光過(guò)程中產(chǎn)生的碎屑排走，有效避免碎屑在元件表面反復(fù)摩擦，降低表面被劃傷的風(fēng)險(xiǎn)，極大提升了拋光后元件的表面質(zhì)量。在碳化硅SiC襯底、

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半導(dǎo)體CMP工藝核心：金屬互聯(lián)層與介質(zhì)層Slurry拋光液的類(lèi)型劃分

在半導(dǎo)體芯片制造中，化學(xué)機(jī)械拋光CMP是關(guān)鍵工藝，其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材，直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無(wú)論是 導(dǎo)線;（互連層）還是絕緣骨架（介質(zhì)層），都需靠它實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)平整。下面吉致電子小編就來(lái)拆解下半導(dǎo)體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質(zhì)層CMP拋光液的類(lèi)型和應(yīng)用場(chǎng)景。一、金屬互連層CMP拋光液（后端 BEOL 核心）核心需求是選擇性除金屬、護(hù)絕緣 / 阻擋層，主流類(lèi)型有：銅（Cu）CMP 拋光液14n

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CMP拋光墊怎么選？吉致電子聚氨酯拋光墊適配全工序需求

在化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝中，聚氨酯拋光墊（Polyurethane Polishing Pad）是實(shí)現(xiàn)化學(xué)作用與機(jī)械研磨協(xié)同” 的核心耗材之一，直接決定拋光后的表面平整度（Global Planarity）、表面粗糙度（Surface Roughness）及拋光效率，其應(yīng)用可從功能定位、關(guān)鍵作用、選型邏輯及使用要點(diǎn)四個(gè)維度展開(kāi)：一、核心功能定位：CMP工藝的;機(jī)械研磨載體CMP 的本質(zhì)是通過(guò)

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國(guó)產(chǎn)CMP拋光墊：吉致電子無(wú)紡布?jí)|如何比肩Fujibo？

在化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，拋光墊CMP PAD對(duì)精密元件表面處理質(zhì)量影響重大，高端市場(chǎng)長(zhǎng)期被國(guó)際巨頭壟斷，國(guó)產(chǎn)替代拋光墊/研磨墊的需求強(qiáng)烈。無(wú)錫吉致電子憑借多年技術(shù)積累，研發(fā)的高性能無(wú)紡布及半導(dǎo)體拋光墊系列產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)對(duì)Fujibo(富士紡)等進(jìn)口品牌的替代，在拋光效率、使用壽命和本土定制化服務(wù)上優(yōu)勢(shì)顯著。無(wú)紡布拋光墊的技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景及國(guó)產(chǎn)化突破意義，為相關(guān)行業(yè)提供高性?xún)r(jià)比拋光方案。吉致電子無(wú)紡布拋光墊，以特殊纖維結(jié)構(gòu)和創(chuàng)新工藝，實(shí)現(xiàn)高耐磨性與優(yōu)異拋光性能的結(jié)合。相比傳統(tǒng)聚氨酯拋光墊，其三維網(wǎng)絡(luò)孔隙能更有效輸

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CMP拋光液廠家：半導(dǎo)體拋光液解決方案--吉致電子科技

無(wú)錫吉致電子科技有限公司作為國(guó)內(nèi)CMP拋光耗材專(zhuān)業(yè)制造商，多年研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，致力于為半導(dǎo)體、集成電路、3D封裝等領(lǐng)域提供高性能化學(xué)機(jī)械拋光解決方案。CMP Slurry系列涵蓋射頻濾波器拋光液、鎢拋光液、銅拋光液、淺槽隔離(STI)拋光液以及TSV硅通孔專(zhuān)用拋光液等，廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、3D NAND、DRAM等先進(jìn)制程的量產(chǎn)環(huán)節(jié)。一、吉致電子半導(dǎo)體拋光液產(chǎn)品特點(diǎn)CMP拋光液產(chǎn)品具備以下優(yōu)勢(shì)：卓越的懸浮穩(wěn)定性：顆粒分散均勻，不易沉淀和團(tuán)聚，使用方便，有效避免因顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致的工件表面劃傷缺陷?；瘜W(xué)-機(jī)械協(xié)同作用：通過(guò)

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CMP拋光液斷供危機(jī)？吉致電子國(guó)產(chǎn)替代方案降本30%+

在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，CMP化學(xué)機(jī)械平坦化拋光液（Slurry）是晶圓表面平坦化的關(guān)鍵材料，直接影響芯片的性能和良率。長(zhǎng)期以來(lái)，這一市場(chǎng)被海外巨頭壟斷，主要供應(yīng)商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦斷供可能導(dǎo)致生產(chǎn)線停滯，嚴(yán)重影響芯片交付。面對(duì)這一挑戰(zhàn)，吉致電子作為國(guó)內(nèi)高端電子材料供應(yīng)商，已實(shí)現(xiàn)中高端CMP拋光液的自主研發(fā)與量產(chǎn)，為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供堅(jiān)實(shí)保障。國(guó)產(chǎn)CMP拋光液的六大核心優(yōu)勢(shì)1. 顯著成本優(yōu)勢(shì)，降低企業(yè)采購(gòu)壓力價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)：吉致電子CMP拋光液比進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%，大幅降低半導(dǎo)體廠商的材

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多晶金剛石和單晶金剛石拋光液哪個(gè)好？

金剛石拋光液的性能差異根源在于其磨料顆粒的微觀結(jié)構(gòu)。多晶金剛石（又稱(chēng)聚晶金剛石）由納米級(jí)金剛石微晶聚合而成，形成具有多棱面結(jié)構(gòu)的顆粒；而單晶金剛石則是完整的單晶體結(jié)構(gòu)，具有規(guī)則的幾何外形和一致的晶體取向。這種結(jié)構(gòu)差異直接導(dǎo)致了兩類(lèi)拋光液在硬度、形貌和耐磨性方面的不同表現(xiàn)。一、單晶金剛石VS多晶金剛石的顆粒形貌與切削機(jī)理：?jiǎn)尉Ы饎偸チ＠饨羌怃J，初期切削速率高，但磨損后效率下降明顯，4小時(shí)拋光去除率波動(dòng)±15%。多晶金剛石顆粒因微晶隨機(jī)取向，持續(xù)暴露新切削面，自銳性強(qiáng)，去除率波動(dòng)僅 ±5%

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硫化鋅(ZnS)光學(xué)窗口片的化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝

硫化鋅(ZnS)光學(xué)窗口片是一種重要的紅外光學(xué)材料，廣泛應(yīng)用于熱成像、導(dǎo)彈整流罩、激光窗口等領(lǐng)域。為確保ZnS光學(xué)窗口片具備超高表面平整度、優(yōu)異紅外透過(guò)率和低缺陷率，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）成為其精密加工的核心工藝。吉致電子憑借先進(jìn)的CMP技術(shù)，為硫化鋅光學(xué)元件提供高精度拋光解決方案，滿(mǎn)足軍工、光電、半導(dǎo)體等行業(yè)的高標(biāo)準(zhǔn)需求。一、硫化鋅CMP拋光的關(guān)鍵挑戰(zhàn)硫化鋅材料的特性:①硬度適中但脆性高(莫氏硬度3-4)，易產(chǎn)生劃痕或亞表面損傷。②化學(xué)活性較高，需避免

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碲鋅鎘CZT單晶襯底拋光液CMP Slurry

碲鋅鎘（CdZnTe，CZT）晶體屬于典型的軟脆晶體，其力學(xué)特性介于軟質(zhì)和脆性材料之間。軟脆晶體的定義與特征：軟質(zhì)材料：硬度較低（莫氏硬度約2.0–2.5，接近石膏或滑石），易劃傷或塑性變形。脆性材料：斷裂韌性低，易產(chǎn)生裂紋或解理斷裂（類(lèi)似玻璃或硅）。CZT同時(shí)具備這兩種特性，屬于軟而脆的半導(dǎo)體晶體。CdZnTe單晶襯底加工困難：切割、拋光過(guò)程中易產(chǎn)生裂紋、邊緣崩缺或表面損傷。吉致電子的碲鋅鎘（CdZnTe）單晶襯底拋光液針對(duì)CZT材料軟脆、易損傷及表面高要求的特點(diǎn)，采用低損傷納米磨料技術(shù)（如超細(xì)膠體S

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Apple Logo鏡面拋光秘訣:吉致電子金屬CMP拋光液解決方案

在高端消費(fèi)電子領(lǐng)域，3C產(chǎn)品的每一個(gè)細(xì)節(jié)都至關(guān)重要。無(wú)論是iPhone的背面Logo，還是MacBook的金屬標(biāo)志，鏡面級(jí)的拋光效果不僅提升了產(chǎn)品的質(zhì)感，更代表了品牌對(duì)極致的追求。吉致電子金屬Logo拋光液專(zhuān)為鈦合金、鋁合金、不銹鋼等材質(zhì)的標(biāo)志拋光而研發(fā)，通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝，幫助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的鏡面效果，尤其適用于Apple產(chǎn)品標(biāo)志的高標(biāo)準(zhǔn)要求。為什么選擇吉致電子Logo拋光液？1. 納米級(jí)拋光，鏡面效果卓越采用納米級(jí)磨料，確保拋光均勻性，避免劃痕、麻點(diǎn)等問(wèn)題。適用于粗磨、細(xì)磨、拋光全流程，顯著提升

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吉致電子半導(dǎo)體晶圓無(wú)蠟吸附墊CMP專(zhuān)用

半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，化學(xué)抗性無(wú)蠟吸附墊作為關(guān)鍵耗材，其核心作用在于解決傳統(tǒng)吸附材料的局限性，同時(shí)滿(mǎn)足先進(jìn)制程對(duì)潔凈度、穩(wěn)定性和工藝兼容性的嚴(yán)苛要求。吉致電子半導(dǎo)體CMP專(zhuān)用無(wú)蠟吸附墊產(chǎn)品，解決了傳統(tǒng)吸附墊在嚴(yán)苛化學(xué)環(huán)境下性能不足、適配性差的問(wèn)題，還為碳化硅晶圓等精密元件的高效、高質(zhì)量拋光提供了可靠的解決方案。材料抗性設(shè)計(jì)：采用高分子復(fù)合材料體系，通過(guò)交聯(lián)密度調(diào)控和納米填料改性，實(shí)現(xiàn)對(duì)KMnO4等強(qiáng)氧化性漿料的化學(xué)惰性。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，在80℃/10%KMnO4溶液中浸泡240小時(shí)后，吸附墊的拉伸強(qiáng)

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光儲(chǔ)行業(yè)玻璃硬盤(pán)CMP拋光解決方案

一、玻璃硬盤(pán)CMP拋光液的技術(shù)原理CMP拋光是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的精密表面處理技術(shù)。對(duì)于玻璃硬盤(pán)基板而言，CMP拋光過(guò)程涉及復(fù)雜的物理化學(xué)相互作用：化學(xué)作用：拋光液中的化學(xué)組分與玻璃表面發(fā)生反應(yīng)，生成易于去除的軟化層或反應(yīng)產(chǎn)物。對(duì)于硅酸鹽玻璃，通常涉及Si-O鍵的水解和離子交換反應(yīng)。機(jī)械作用：拋光墊和研磨顆粒通過(guò)機(jī)械摩擦去除表面反應(yīng)層，同時(shí)暴露出新鮮表面繼續(xù)參與化學(xué)反應(yīng)。協(xié)同效應(yīng)：理想的拋光過(guò)程要求化學(xué)腐蝕速率與機(jī)械去除速率達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，以獲得超光滑無(wú)損傷的表面。二、玻璃硬盤(pán)對(duì)CMP拋光液的性能要求為滿(mǎn)足高

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陶瓷基板無(wú)蠟吸附墊的優(yōu)點(diǎn)與選型指南

在陶瓷基板（Al2O3、AlN、SiC等）的化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，無(wú)蠟吸附墊憑借其高精度、無(wú)污染的特性，成為替代傳統(tǒng)蠟粘附工藝的理想選擇。吉致電子為您解析Template這一關(guān)鍵耗材的技術(shù)優(yōu)勢(shì)及選型要點(diǎn)。一、為什么選擇無(wú)蠟吸附墊？1. 杜絕污染，提升良率傳統(tǒng)蠟粘附會(huì)殘留有機(jī)物，導(dǎo)致陶瓷基板后續(xù)工藝（如金屬化）失效。無(wú)蠟吸附墊通過(guò)真空吸附或微紋理固定，避免污染，特別適合高頻/高功率電子器件等嚴(yán)苛應(yīng)用場(chǎng)景。2. 均勻拋光，降低缺陷聚氨酯（PU）材質(zhì)的彈性層可自適應(yīng)基板形貌，配合多孔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，確保壓力分布均勻，減少劃

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襯底與晶圓在半導(dǎo)體制造中的作用及CMP技術(shù)解析

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，襯底和晶圓是兩個(gè)密切相關(guān)但又各具功能的核心概念。襯底作為基礎(chǔ)層材料，為整個(gè)芯片制造過(guò)程提供物理支撐；而晶圓則是從襯底材料中切割出來(lái)的圓形硅片，是半導(dǎo)體芯片制造的直接載體。襯底通常是硅或其他半導(dǎo)體材料的薄片，具有優(yōu)異的機(jī)械性能和熱穩(wěn)定性。晶圓作為襯底的一部分，經(jīng)過(guò)精密加工后具有特定的晶體取向和表面特性，能夠滿(mǎn)足后續(xù)復(fù)雜的半導(dǎo)體工藝要求。襯底的核心功能與應(yīng)用承載功能：襯底為半導(dǎo)體芯片提供穩(wěn)定的機(jī)械支撐平臺(tái)，確保在整個(gè)制造過(guò)程中保持結(jié)構(gòu)完整性。優(yōu)質(zhì)的襯底能夠承受高溫、化學(xué)腐蝕等嚴(yán)苛工藝條件而不變形或降解

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吉致電子化學(xué)抗性無(wú)蠟吸附墊：半導(dǎo)體晶圓拋光專(zhuān)屬解決方案

在精密半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，拋光工藝的潔凈度與穩(wěn)定性直接決定晶圓品質(zhì)。吉致電子憑借對(duì)材料科學(xué)與工藝參數(shù)的深度理解，推出化學(xué)抗性無(wú)蠟吸附墊，以獨(dú)家定制化設(shè)計(jì)打破傳統(tǒng)模板局限，為碳化硅SiC晶圓及高錳酸鉀（KMnO4）基漿料等嚴(yán)苛環(huán)境提供高耐久、超潔凈的拋光背附解決方案。一，精準(zhǔn)匹配：從工藝需求到定制化設(shè)計(jì)每一款拋光背附板的性能都需與客戶(hù)的生產(chǎn)場(chǎng)景深度契合?；瘜W(xué)抗性吸附墊的設(shè)計(jì)流程始于全面調(diào)研——從工件特性、漿料化學(xué)性質(zhì)（pH值、腐蝕性）到設(shè)備參數(shù)（壓力、溫度），吉致電子通過(guò)定制化圖紙，精準(zhǔn)適配材料厚

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吉致電子：25 年CMP技術(shù)，鑄就高端手機(jī)鏡面質(zhì)感

當(dāng)高端手機(jī)的金屬邊框以鏡面之姿映出光影流轉(zhuǎn)，指尖劃過(guò)的絲滑觸感背后是3C行業(yè)精密制造的科技結(jié)晶。吉致電子深耕CMP化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)25年，作為3C行業(yè)拋光液及耗材的核心供應(yīng)商與技術(shù)支持廠家，為華為、蘋(píng)果等品牌定制不銹鋼、鈦合金、鋁合金邊框鏡面拋光解決方案，解密手機(jī)「完美鏡面」的誕生密碼。一、手機(jī)邊框鏡面拋光的三大核心挑戰(zhàn)與吉致電子方案手機(jī)金屬邊框的拋光工藝堪稱(chēng)精密制造的 “極限挑戰(zhàn)”，吉致電子針對(duì)核心難點(diǎn)給出定制化解決方案：①材質(zhì)差異大：不銹鋼硬度高、鈦合金易氧化、鋁合金怕腐蝕，傳統(tǒng)拋光液難

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硅晶圓芯片拋光如何選擇無(wú)蠟吸附墊？

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，無(wú)蠟吸附墊Template正逐漸成為提升生產(chǎn)效率與加工精度的關(guān)鍵要素。相較于傳統(tǒng)蠟?zāi)Ｑb夾工藝，無(wú)蠟吸附墊展現(xiàn)出諸多優(yōu)勢(shì)。如何挑選出契合晶圓、芯片CMP拋光需求的無(wú)蠟吸附墊，成為眾多半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。選擇半導(dǎo)體無(wú)蠟吸附墊，吉致電子建議您可從以下幾個(gè)方面考慮：考慮晶圓尺寸與類(lèi)型：不同的半導(dǎo)體加工涉及不同尺寸的晶圓，如8英寸或12英寸等，需選擇與之適配的無(wú)蠟吸附墊。同時(shí)，根據(jù)晶圓材料類(lèi)型，如硅片、SiC、藍(lán)寶石襯底等，選擇具有相應(yīng)材料兼容性的吸附墊，確保在加工過(guò)程中不會(huì)對(duì)晶圓造成化學(xué)腐蝕等損害。關(guān)注吸

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