吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

探秘光學玻璃拋光液CMP工藝：吉致電子的技術(shù)革新

解鎖CMP工藝：原理與優(yōu)勢在光學元件加工領域，化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)高精度表面平坦化的核心技術(shù)，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，完成光學玻璃的精密加工。CMP工藝的核心是化學與機械作用的協(xié)同。拋光液中的化學試劑先與玻璃表面反應，形成一層易去除的軟化層；這一化學預處理為后續(xù)機械研磨奠定基礎，通過精準控制反應強度，確保軟化層既易去除又不損傷玻璃本體。隨后機械研磨啟動，拋光墊上的磨料顆粒在特定壓力和轉(zhuǎn)速下，摩擦去除軟化層。通過精確控制拋光壓力、轉(zhuǎn)速及磨料特性等參數(shù)，可實現(xiàn)材料去除量的精準把控，達到所需平坦化精度。

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吉致電子CMP精拋墊：半導體高精度拋光的核心關鍵

化學機械拋光（CMP）技術(shù)作為半導體制造領域唯一能實現(xiàn)全局平坦化的核心工藝，直接決定了芯片的圖形精度、電性能穩(wěn)定性及最終良率，在7nm及以下先進制程中更是不可或缺的關鍵環(huán)節(jié)。而CMP精拋墊（final polishing pad）作為該工藝精拋階段的核心耗材，承擔著“精細修整”晶圓表面的重要使命，是實現(xiàn)超精密平坦化目標的核心支撐。吉致電子深耕半導體耗材領域，其研發(fā)生產(chǎn)的CMP精拋墊憑借精準的設計、卓越的性能和穩(wěn)定的品質(zhì)，成為半導體制造企業(yè)的優(yōu)選合作伙伴，其核心作用可從以下四大維度深度解析：1

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破解G804W高成本與慢響應：國產(chǎn)CMP拋光墊的替代邏輯

在第三代半導體產(chǎn)業(yè)加速迭代的今天，碳化硅（SiC）作為核心材料，正以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場強特性，重塑新能源汽車功率器件、高頻通信器件等高端制造領域的技術(shù)格局。而化學機械拋光（CMP）作為碳化硅加工的關鍵工序，其核心耗材——拋光墊的性能直接決定了器件的成品精度與可靠性。長期以來，日本Fujibo的G804W拋光墊憑借穩(wěn)定的性能，成為全球碳化硅CMP領域的主流選擇之一。如今，隨著國產(chǎn)半導體材料產(chǎn)業(yè)的崛起，吉致電子依托自主研發(fā)實力，在G804W國產(chǎn)替代賽道上實現(xiàn)關鍵突破，為產(chǎn)業(yè)鏈自主可控注入強

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半導體制造的 “表面革命”：硅片拋光的技術(shù)本質(zhì)與基石價值

在半導體產(chǎn)業(yè)的精密制造鏈條中，每一顆高性能芯片的誕生，都離不開從硅料提純到芯片封裝的數(shù)百道工藝環(huán)節(jié)。其中，硅片拋光作為銜接硅片切割研磨與后續(xù)光刻、薄膜沉積的關鍵工序，堪稱半導體制造的“表面精整藝術(shù)”——它以納米級的精度塑造硅片表面形態(tài)，直接決定芯片的性能、可靠性與良率。作為深耕電子領域的企業(yè)，吉致電子深知這一工藝的核心價值，本文將帶您深入解析硅片拋光的技術(shù)精髓。為何硅片拋光是半導體制造的“必答題”？硅片經(jīng)過切割、研磨等前道工序后，表面會殘留微米

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吉致電子納米氧化鈰拋光液：給半導體CMP工藝加足馬力！

在半導體芯片微型化、光學器件高精度化的發(fā)展浪潮中，化學機械拋光（CMP）作為實現(xiàn)材料表面全局平面化的關鍵工藝，其技術(shù)水平直接決定了終端產(chǎn)品的性能與品質(zhì)。氧化鈰拋光液憑借其獨特的化學機械協(xié)同作用優(yōu)勢，成為CMP工藝中的核心耗材之一。吉致電子深耕拋光材料領域多年，憑借自主研發(fā)的氧化鈰拋光液系列產(chǎn)品，為半導體、光學等多個行業(yè)提供高效、精準的拋光解決方案，助力產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。聚焦核心場景解鎖全行業(yè)拋光價值吉致電子氧化鈰拋光液基于不同行業(yè)的拋光需求，進行精準配方設計，在關鍵領域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定應用，展現(xiàn)出強大的場景適配能力。①半導體

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鍺片的核心應用與CMP精密拋光技術(shù)

吉致電子鍺片拋光解決方案——鍺片的應用與CMP拋光工藝詳解一、鍺片的應用領域 鍺片憑借高電子遷移率、高折射率、紅外透光性好等優(yōu)異特性，在多個高科技領域發(fā)揮著重要作用：①半導體器件領域作為高速半導體器件的襯底材料，鍺片可用于制作鍺硅（SiGe）異質(zhì)結(jié)晶體管（HBT）、應變鍺金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）等核心器件。這些器件主要應用于5G通信、高頻雷達、衛(wèi)星通信等對器件運行速度和頻率要求極高的前沿場景。②紅外光學領域鍺材料對2-15μm波段的紅外光具有高透過率，同時具

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磷化銦拋光液：高精度低缺陷晶圓平坦化首選

在半導體制造領域，磷化銦（InP）襯底因其優(yōu)異的電子和光學特性，成為光通信、毫米波雷達、量子通信等高端應用的核心材料。然而，InP襯底的化學機械拋光（CMP）工藝對拋光液的要求極為嚴苛，需要兼顧高效拋光速率、表面質(zhì)量、工藝穩(wěn)定性等多重因素。吉致電子針對這一需求，推出了專為磷化銦襯底設計的CMP拋光液，其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在以下幾個方面：1.高效拋光速率與表面質(zhì)量的完美平衡粗拋階段：采用較大粒徑（如5-10μm）的氧化鋁磨料，可快速去除表面余量，拋光速率可達數(shù)μm/h，顯著提升生產(chǎn)效率。精拋階段：切換至小粒徑（如50-10

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吉致電子InP磷化銦襯底拋光研磨關鍵工藝解析

磷化銦（InP）作為第三代半導體核心材料，憑借其優(yōu)異的電子遷移率、寬禁帶寬度及良好的光電特性，在光通信、毫米波雷達、量子通信等高端領域占據(jù)不可替代的地位。磷化銦襯底的表面質(zhì)量直接決定后續(xù)外延生長、器件制備的精度與可靠性，而拋光研磨工藝正是把控這一核心指標的關鍵環(huán)節(jié)。吉致電子深耕半導體材料加工領域，結(jié)合多年實踐經(jīng)驗，對磷化銦襯底拋光研磨的關鍵工藝進行系統(tǒng)解析。一、研磨工藝：奠定高精度基礎研磨工藝的核心目標是快速去除襯底表面的切割損傷層，修正幾何形狀偏差，為后續(xù)拋光工序提供平整、均勻的表面基底。其工藝參數(shù)的精準控制直接

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吉致電子：什么樣的外延工藝需要CMP？

外延工藝中CMP的應用邏輯及吉致電子技術(shù)實踐——什么樣的外延工藝需要CMP？外延工藝中是否需要CMP（化學機械拋光），取決于外延層的表面平整度要求和后續(xù)工藝兼容性，而非外延工藝本身。簡單來說，當外延生長后，晶圓表面的平整度、缺陷密度或薄膜厚度均勻性無法滿足下一步制造需求時，就需要引入CMP進行處理，而吉致電子在高精度CMP工藝及配套材料領域的技術(shù)積累，正為這類需求提供高效解決方案。一、關鍵應用場景：需要CMP的外延工藝以下三類外延工藝對表面質(zhì)量要求極高，通常需要搭配CMP，而吉致電子的專業(yè)化

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吉致電子砷化鎵襯底CMP拋光液 | 高平坦度低缺陷半導體slurry

吉致電子CMP拋光耗材廠家——精準匹配半導體高端材料拋光需求在半導體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，砷化鎵GaAs作為第二代半導體材料的代表，因其優(yōu)異的電子遷移率和直接帶隙特性，在射頻前端、光電器件和高速集成電路中扮演著不可替代的角色。然而，砷化鎵襯底的高效精密拋光一直是行業(yè)面臨的重大挑戰(zhàn)。砷化鎵CMP拋光的核心挑戰(zhàn)砷化鎵材料由兩種硬度和化學性質(zhì)差異顯著的原子構(gòu)成，在拋光過程中容易產(chǎn)生晶格損傷、表面粗糙和化學計量比失衡等問題。傳統(tǒng)的拋光工藝難以同時實現(xiàn)全局平坦化、低表面損傷和高材料去除率，這直接影響著后

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碳化硅SiC襯底CMP拋光液拋光墊

一、碳化硅CMP工藝：精密制造的“表面革命”碳化硅（SiC）以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場強特性，成為半導體功率器件、新能源汽車電子等高端領域的核心材料。而化學機械拋光（CMP）作為實現(xiàn)碳化硅襯底原子級光滑表面的關鍵工藝，其核心效能直接由拋光液與拋光墊兩大耗材決定。吉致電子深耕CMP材料領域多年，針對碳化硅襯底拋光的4道核心制程，打造了全系列適配的拋光液Slurry與拋光墊Pad產(chǎn)品，實現(xiàn)“高效去除”與“超精表面”的完美平衡。二、碳化硅拋光液：化學

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吉致電子非晶鋯拋光液有哪些（鋯基非晶合金CMP工藝）

非晶鋯（Amorphous Zirconium），也常被稱為鋯基非晶合金或鋯基大塊金屬玻璃（Zr-based Bulk Metallic Glass, Zr-BMG），是一種通過特殊工藝使鋯（Zr）與其他金屬元素（如銅、鎳、鋁、鈦等）形成的無定形晶體結(jié)構(gòu)的金屬材料，核心特征是原子排列不具備傳統(tǒng)晶體材料的長程有序性，呈現(xiàn)“玻璃態(tài)”的微觀結(jié)構(gòu)。由于其“高強度、高耐磨、高耐蝕”的綜合性能，非晶鋯已在多個高要求領域落地應用：醫(yī)療領域口腔修復：非晶鋯的硬度與牙釉質(zhì)接近，耐口腔酸

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吉致電子CMP晶圓拋光液的特性與選型指南

在晶圓制造的全局平面化環(huán)節(jié)，化學機械拋光（CMP）是關鍵工藝，而CMP拋光液作為核心耗材，直接決定晶圓表面平整度、缺陷率等關鍵指標，影響芯片最終性能與良率。吉致電子小編根據(jù)CMP拋光液的核心優(yōu)勢與選型方向，為半導體制造企業(yè)提供實用參考。一、CMP拋光液的4大核心特性CMP拋光液由磨料、氧化劑、螯合劑等組分復配而成，需兼顧“化學腐蝕”與“機械研磨”協(xié)同作用，核心特性可概括為：1.化學-機械協(xié)同精準可控拋光時，氧化劑先將晶圓表面材料氧化為易去除的氧化物，螯合劑與氧化物形成

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帶背膠的阻尼布拋光墊：CMP工藝的高效適配型輔助核心

在化學機械拋光CMP工藝中，帶背膠的阻尼布拋光墊是連接拋光盤與工件的關鍵部件，憑借精準適配性與穩(wěn)定性能，為CMP相關設備及工藝提供可靠支撐，帶背膠的阻尼布拋光墊CMP PAD優(yōu)點有以下4點：一、精準適配，安裝便捷背膠采用高粘接力特種膠（可選國產(chǎn)/3M），無需額外夾具就可直接緊密貼合拋光頭或載臺，避免高速旋轉(zhuǎn)（10-150rpm）時“跑位”，保障拋光軌跡一致；厚度公差≤±0.02mm，支持0.5～5mm多規(guī)格選擇，還能按4/8/12英寸硅片等工件尺寸靈活裁剪，適配不同CMP

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桂香迎佳節(jié)，紅旗映月圓--吉致電子祝您雙節(jié)快樂!

桂香迎佳節(jié)，紅旗映月圓致吉致電子的各位伙伴：丹桂浮香，皓月凌空；紅旗漫卷，九州同慶。當中秋的清輝邂逅國慶的榮光，便暈染出最動人的時代畫卷。承蒙諸君攜手同行，我們于歲月中沉淀初心，在征程上共筑華章。此刻，愿這輪明月承載團圓的期盼，愿這方沃土延續(xù)盛世的安康。謹以中秋的皎潔、國慶的赤誠，祝君闔家圓滿，事業(yè)昌隆，家國同輝，歲歲無憂。                            

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藍寶石襯底CMP拋光為什么要用吸附墊

在藍寶石襯底的化學機械拋光（CMP）加工中，吸附墊（也常稱為 “真空吸附墊” 或 “承載吸附墊”）是連接拋光機工作臺與藍寶石襯底的核心輔助部件，其作用貫穿 “襯底固定 - 壓力傳遞 - 拋光穩(wěn)定性 - 表面質(zhì)量保障” 全流程，直接影響 CMP 加工的效率、精度與成品良率。以下從核心作用和技術(shù)意義兩方面展開詳細解析：一、吸附墊的核心作用吸附墊的本質(zhì)是通過 “物理吸附 + 柔性適配” 實現(xiàn)襯底與工作臺的可靠結(jié)合，具體功能可拆

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覆銅陶瓷基板為什么選擇CMP拋光工藝（AMB/DPC/DBC陶瓷板）

陶瓷覆銅板（如Al2O3、AlN陶瓷基覆銅板）作為高功率電子器件（如IGBT、LED芯片）的關鍵載體，對表面質(zhì)量和性能有嚴苛要求：極低表面粗糙度：陶瓷基板與金屬銅層的結(jié)合面需平整光滑，否則會導致覆銅時出現(xiàn)氣泡、分層，影響導熱性和電氣可靠性；無損傷表面：陶瓷材料脆性高，傳統(tǒng)機械拋光易產(chǎn)生劃痕、微裂紋，破壞絕緣性能和結(jié)構(gòu)強度；高精度厚度控制：部分高頻、高功率場景下，陶瓷基板厚度公差需控制在±5μm內(nèi)，直接影響器件封裝密度和散熱效率。這些需求恰好與化學機械拋光（CMP）“化學腐蝕+機械研磨&rd

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吉致電子鉬片CMP拋光液—高效低損傷，適配高精度鉬加工

鉬片的CMP化學機械拋光工藝是實現(xiàn)其高精度表面制備的核心技術(shù)，尤其適用于半導體、航空航天等對鉬片/鉬圓/鉬襯底表面粗糙度、平坦度要求嚴苛的領域。鉬合金工件的CMP加工及拋光液推薦需結(jié)合工藝原理、應用場景及實際生產(chǎn)需求綜合分析：一、鉬片CMP工藝的核心優(yōu)點CMP的本質(zhì)是“化學腐蝕 + 機械研磨”的協(xié)同作用，相比傳統(tǒng)機械拋光（如砂輪拋光、金剛石刀具拋光）或純化學拋光/電解拋光等，CMP工藝在鉬片加工中展現(xiàn)出不可替代的優(yōu)勢：1.表面質(zhì)量極高，滿足精密領域需求鉬作為高硬度金屬（莫氏硬度5.5，熔點2

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告別傳統(tǒng)蠟粘，藍寶石襯底CMP吸附墊真香！

在藍寶石襯底化學機械拋光CMP工藝中，無蠟吸附墊Template是實現(xiàn)襯底穩(wěn)定固定、保障拋光精度與良率的核心輔助部件，TP墊的作用是圍繞“無損傷固定”“精準工藝控制”“高效生產(chǎn)”三大核心目標展開，具體可拆解為以5個關鍵維度：1.藍寶石襯底吸附墊的功能：替代傳統(tǒng)蠟粘，實現(xiàn)“無損傷固定”傳統(tǒng)藍寶石襯底CMP中，常采用熱蠟粘貼方式將襯底固定在陶瓷吸盤上（通過加熱蠟層融化后貼合、冷卻后固化），但存在明顯缺陷：蠟層殘留需額外清洗（

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從性能到場景：吉致電子CMP Pad軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)墊的區(qū)別

在精密拋光領域（如半導體晶圓、光學玻璃、藍寶石襯底等加工），拋光墊CMP PAD的硬度是影響拋光效果的核心參數(shù)之一。CMP化學機械拋光工藝中軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)拋光墊的差異，本質(zhì)上是“材料形變能力”與“機械作用強度”的對立與適配，其優(yōu)點和差別主要體現(xiàn)在拋光效率、表面質(zhì)量、適用場景等多個維度，具體可通過以下對比清晰呈現(xiàn)：一、核心定義與材質(zhì)差異首先需明確二者的本質(zhì)區(qū)別：硬質(zhì)拋光墊：通常以高分子聚合物（如聚氨酯、聚酰亞胺）為基材，添加剛性填料（如氧化鈰、氧化鋁、碳化硅微粉），整

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