吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

碳化硅拋光墊選型指南：4道工序如何匹配CMP解決方案？

在碳化硅襯底的研磨和拋光工藝中，拋光墊的選擇需根據(jù)工序特性（粗磨、精磨、粗拋、精拋）匹配不同性能的拋光墊。以下是關(guān)鍵要點(diǎn)及吉致電子產(chǎn)品的適配方案：碳化硅拋光墊選型要點(diǎn)一、碳化硅襯底粗磨階段需求：高材料去除率、強(qiáng)耐磨性。推薦：高硬度復(fù)合無紡布拋光墊JZ-1020，壓紋/開槽設(shè)計(jì)增強(qiáng)研磨液流動(dòng)性，避免碎屑堆積。二、碳化硅襯底精磨階段需求：平衡表面平整度與中等去除率。推薦：中硬度拋光墊，特殊纖維結(jié)構(gòu)提升表面一致性，減少亞表面損傷。碳化硅SiC襯底 研磨墊（JZ-1020粗磨/精磨）三、碳化硅襯底粗拋階段需求：過渡到低表面

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Template無蠟吸附墊在半導(dǎo)體CMP中的應(yīng)用

在硅片拋光（尤其是化學(xué)機(jī)械拋光CMP）工藝中，無蠟吸附墊（Wax-free Adhesive Pad）相比傳統(tǒng)蠟粘接方式具有顯著優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在工藝性能、缺陷控制、生產(chǎn)效率和環(huán)保合規(guī)等方面。吉致電子半導(dǎo)體行業(yè)晶圓、襯底、硅片專用無蠟吸附墊Template憑借五大核心優(yōu)勢，為半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)帶來革新體驗(yàn)。?①無蠟吸附墊:消除蠟污染，提升晶圓潔凈度傳統(tǒng)蠟粘接方式固定工件晶圓易造成蠟漬擴(kuò)散、雜質(zhì)吸附，干擾光刻、刻蝕等精密工序。吉致電子無蠟吸附墊 template 從源頭杜絕蠟質(zhì)污染，為晶圓打造純凈加工環(huán)境，有效降低芯片不良

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吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應(yīng)用解析

鎢CMP拋光液：半導(dǎo)體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景鎢化學(xué)機(jī)械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對(duì)互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機(jī)理3. 關(guān)鍵性能指標(biāo)去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點(diǎn)）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇

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鉬襯底的應(yīng)用領(lǐng)域及CMP拋光技術(shù)解析

鉬（Mo）襯底憑借其高熔點(diǎn)（2623℃）、高熱導(dǎo)率（138 W/m·K）、低熱膨脹系數(shù)（4.8×10-6/K）以及優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和耐腐蝕性，在半導(dǎo)體、光學(xué)、新能源、航空航天等高科技領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。吉致電子對(duì)鉬襯底的主要應(yīng)用場景解析其化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）關(guān)鍵技術(shù)，幫助行業(yè)客戶更好地選擇和使用鉬襯底拋光液。一、鉬襯底的核心優(yōu)勢高溫穩(wěn)定性：熔點(diǎn)高達(dá)2623℃，適用于高溫環(huán)境。優(yōu)異的熱管理能力：高熱導(dǎo)率+低熱膨脹系數(shù)，減少熱應(yīng)力。高機(jī)械強(qiáng)度：耐磨損、抗蠕變，適合精密器件制造。良好的導(dǎo)電性：適

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先進(jìn)半導(dǎo)體制造中的CMP Slurry：銅/鎢/碳化硅拋光液技術(shù)與國產(chǎn)化進(jìn)展

化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝是半導(dǎo)體制造中的核心技術(shù)，其通過化學(xué)與機(jī)械協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)納米級(jí)表面精度，對(duì)集成電路性能至關(guān)重要。以下從技術(shù)、市場及國產(chǎn)化角度進(jìn)行專業(yè)分析：一、CMP工藝核心要素拋光液（Slurry）化學(xué)組分：氧化劑（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（納米SiO2/Al2O3）、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑，需針對(duì)材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。關(guān)鍵參數(shù)：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。吉致電子優(yōu)勢：25年技術(shù)積累可

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吉致電子LED藍(lán)寶石襯底研磨拋光CMP工藝方案

藍(lán)寶石（α-Al2O3）因其高硬度、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和良好的光學(xué)性能，成為LED芯片制造的主流襯底材料。然而，其高硬度（莫氏硬度9）也使得加工過程極具挑戰(zhàn)性。吉致電子憑借CMP的研磨拋光技術(shù)，確保藍(lán)寶石襯底表面達(dá)到納米級(jí)平整度，為高性能LED外延生長奠定基礎(chǔ)。本文將詳細(xì)介紹藍(lán)寶石襯底的研磨拋光工藝及其技術(shù)優(yōu)勢。1. 藍(lán)寶石襯底的特性與加工挑戰(zhàn)材料特性：單晶結(jié)構(gòu)，高透光率（80%以上），耐高溫、耐腐蝕。加工難點(diǎn)：硬度高，傳統(tǒng)機(jī)械加工效率低且易產(chǎn)生損傷。表面要求極高（Ra＜0.5nm），否則影響外延層質(zhì)量。晶向（如c面

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吉致電子TSV銅化學(xué)機(jī)械拋光液：助力3D先進(jìn)封裝技術(shù)突破

在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔技術(shù)）作為前沿的芯片互連技術(shù)，正深刻變革著芯片與芯片、晶圓與晶圓之間的連接方式。它通過在芯片及晶圓間構(gòu)建垂直導(dǎo)通的微孔，并填充銅、鎢等導(dǎo)電材料，實(shí)現(xiàn)了三維堆疊封裝中的垂直電氣互連。作為線鍵合（Wire Bonding）、TAB 和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)，TSV 技術(shù)憑借縮短的互聯(lián)長度，大幅降低信號(hào)延遲與功耗，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率和集成密度，已然成為高性能計(jì)算、5G 通信、人工智能等前沿領(lǐng)域不可或缺的核心支撐。TSV技術(shù)的

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藍(lán)寶石襯底CMP拋光新視野：氧化鋁與氧化硅的多元應(yīng)用

在藍(lán)寶石襯底的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，拋光材料的選擇直接關(guān)系到拋光效果和生產(chǎn)效率。氧化鋁和氧化硅作為兩種常用的拋光磨料，以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，在該領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。吉致電子憑借深厚的行業(yè)積累，為您深入剖析這兩種材料在藍(lán)寶石襯底 CMP 拋光中的特性與應(yīng)用。氧化鋁在拋光中的特性硬度匹配優(yōu)勢α-氧化鋁的硬度與藍(lán)寶石極為接近，這一特性在拋光過程中具有關(guān)鍵意義。理論上，相近的硬度可能會(huì)增加劃傷藍(lán)寶石表面的風(fēng)險(xiǎn)，但在實(shí)際應(yīng)用中，只要確保氧化鋁磨料的顆粒形狀規(guī)則、粒徑分布均勻，就能有效避免劃傷。在拋光壓力作用下，憑

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【國產(chǎn)替代新選擇】吉致電子IC1000級(jí)拋光墊——打破壟斷，助力中國“芯”制造！

半導(dǎo)體CMP工藝中,拋光墊是關(guān)鍵耗材，但進(jìn)口品牌長期占據(jù)市場主導(dǎo)。吉致電子作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料供應(yīng)商，成功研發(fā)生產(chǎn)高性能國產(chǎn)替代IC1000級(jí)拋光墊，以穩(wěn)定、耐用、均勻性好的獲得客戶好評(píng)及推薦，為芯片制造企業(yè)提供更優(yōu)成本與穩(wěn)定供應(yīng)！為什么選擇吉致電子IC1000拋光墊？①媲美國際大牌——采用高精度聚氨酯材質(zhì)與微孔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，拋光均勻性、去除率對(duì)標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品，滿足銅、鎢、硅等材料的CMP工藝需求。②成本優(yōu)勢顯著——國產(chǎn)化生產(chǎn)，減少供應(yīng)鏈依賴，價(jià)格更具競爭力，降低企業(yè)綜合

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吉致電子：高穩(wěn)定聚氨酯拋光墊定制專家

吉致電子聚氨酯拋光墊選用優(yōu)質(zhì)基礎(chǔ)材質(zhì)，歷經(jīng)多道復(fù)雜且精密的工藝打造。聚氨酯拋光墊具備卓越的高彈性、高耐磨性、高平坦度以及高穩(wěn)定性等特性，專為金屬、光學(xué)玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體芯片等對(duì)表面精度要求極高的精密部件拋光作業(yè)量身定制，能夠充分應(yīng)對(duì)并滿足嚴(yán)苛的工業(yè)級(jí)拋光需求。吉致電子聚氨酯拋光墊的核心優(yōu)勢①聚氨酯高效拋光性能氧化鈰拋光墊：其工作原理基于氧化鈰微粒與被加工材料表面的化學(xué)機(jī)械作用，可顯著提升材料去除速率，在對(duì)材料去除率有較高要求的場景中，能極大地縮短拋光時(shí)間，提升整體生產(chǎn)效率。氧化鋯拋光墊：氧化鋯材料憑借其獨(dú)特的微觀結(jié)

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芯片拋光液（CMP Slurry）：半導(dǎo)體平坦化的核心驅(qū)動(dòng)力

在半導(dǎo)體制造的精密世界里，納米級(jí)別的表面平整度宛如一把精準(zhǔn)的標(biāo)尺，直接主宰著芯片的性能與良率。化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學(xué)與機(jī)械的協(xié)同之力，達(dá)成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無疑是這一工藝得以順暢運(yùn)行的 “血液”，發(fā)揮著無可替代的關(guān)鍵作用。吉致電子，作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術(shù)奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中，拋光液肩負(fù)著至關(guān)重要的雙重功能：化學(xué)腐蝕其所含的活性

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氧化鋁懸浮液在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）中的應(yīng)用與優(yōu)化

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體制造、光學(xué)玻璃加工和集成電路生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝，而氧化鋁懸浮液因其優(yōu)異的機(jī)械磨削性能和化學(xué)可控性，成為CMP工藝的核心材料之一。吉致電子（JEEZ Electronics）作為CMP半導(dǎo)體精密電子材料供應(yīng)商，致力于為客戶提供高性能的氧化鋁CMP懸浮液解決方案。本文將詳細(xì)介紹氧化鋁CMP懸浮液的關(guān)鍵特性、配方優(yōu)化及行業(yè)應(yīng)用。1. 氧化鋁CMP懸浮液的核心要求在CMP工藝中，氧化鋁懸浮液（氧化鋁研磨液/拋光液）需滿足以下關(guān)鍵指標(biāo)，以確保高拋光效率、低表面損傷和長期穩(wěn)定性：性能指標(biāo)要求顆粒粒徑

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金剛石研磨液在CMP工藝中的應(yīng)用與優(yōu)勢

化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃、陶瓷、硬質(zhì)合金及精密制造行業(yè)的關(guān)鍵工藝，用于實(shí)現(xiàn)材料表面的超精密平坦化。針對(duì)藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）、硬質(zhì)合金等高硬度材料的加工需求，傳統(tǒng)研磨液難以滿足高精度、低損傷的要求，因此CMP拋光液、CMP拋光墊是滿足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金剛石研磨液憑借其超硬特性和穩(wěn)定可控性，通過精準(zhǔn)調(diào)控化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同效應(yīng)（Chemo-Mechanical Synergy）實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)表面。1. 金剛石CMP研

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陶瓷基板CMP工藝：無蠟吸附墊技術(shù)解析與應(yīng)用優(yōu)勢

在半導(dǎo)體、LED、功率電子等領(lǐng)域，陶瓷基板因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性和機(jī)械強(qiáng)度被廣泛應(yīng)用?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）是陶瓷基板表面精密加工的關(guān)鍵工藝，而傳統(tǒng)的蠟粘接固定方式存在污染、效率低、平整度受限等問題。無蠟吸附墊技術(shù)作為新一代CMP固定方案，憑借其高精度、環(huán)保性和成本優(yōu)勢，正逐步成為行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。無蠟吸附墊技術(shù)原理無蠟吸附墊通過非接觸式固定技術(shù)取代傳統(tǒng)蠟粘接，主要采用以下兩種方式：一、真空吸附技術(shù)①采用多孔陶瓷或聚合物材料，通過真空負(fù)壓均勻吸附基板②適用于各類硬脆材料（如Al?O?、AlN、SiC等）③可調(diào)節(jié)吸附力，

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硅片拋光液（Slurry）在半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵作用與技術(shù)特性

在半導(dǎo)體制造工藝中，硅片的全局平坦化是確保集成電路性能與可靠性的關(guān)鍵步驟?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技術(shù)通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)硅片表面的納米級(jí)平整，而硅片拋光液（Slurry）作為CMP工藝的核心耗材，其性能直接影響拋光效率與表面質(zhì)量。吉致電子（Geeze Electronics）作為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，致力于提供高性能硅片拋光液解決方案，助力先進(jìn)制程的發(fā)展。1. 硅片拋光液的核心組成硅片拋光液是一種精密配制的膠體懸浮液，主要

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吉致電子：半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry解析

在半導(dǎo)體制造工藝中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟，而拋光液（Slurry）的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點(diǎn)不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進(jìn)工藝，對(duì)CMP拋光液的化學(xué)穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商，吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術(shù)，助力客戶突破先進(jìn)制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學(xué)添加劑和超純水組成，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)晶圓表面納米級(jí)平坦化。磨料顆粒：SiO?（二氧化硅）：廣泛用于氧化物拋光，具有高

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比鉆石更硬核！揭秘吉致電子單晶金剛石研磨液密碼

在半導(dǎo)體、光學(xué)元件、精密模具等高端制造領(lǐng)域，材料的超精密加工對(duì)表面質(zhì)量的要求近乎苛刻。傳統(tǒng)的研磨拋光技術(shù)難以滿足納米級(jí)精度需求，而單晶金剛石研磨液憑借其超高的硬度、穩(wěn)定的切削性能和優(yōu)異的表面處理能力，成為超精密加工的核心耗材。吉致電子作為精密研磨材料的領(lǐng)先供應(yīng)商，提供高純度、高一致性的單晶金剛石研磨液，助力客戶突破加工極限。1. 單晶金剛石研磨液的核心組成單晶金剛石研磨液是一種由高純度單晶金剛石微粉、分散劑、穩(wěn)定劑和液體載體（去離子水或油基）組成的精密拋光材料。其核心優(yōu)勢在于：單晶金剛石微粉：莫氏硬度10，是目前自

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行業(yè)聚焦：硅片CMP研磨拋光液，如何重塑芯片制造格局

在半導(dǎo)體制造的前沿領(lǐng)域，Si硅片CMP研磨拋光液占據(jù)著舉足輕重的地位，是實(shí)現(xiàn)芯片制造精度與性能突破的關(guān)鍵要素。拋光液（CMP Slurry）、拋光墊（CMP Pad）作為硅片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的核心耗材，為構(gòu)建微觀世界的精密電路網(wǎng)絡(luò)奠定了基石。一、核心構(gòu)成，協(xié)同增效硅片 CMP 研磨拋光液是一個(gè)精心調(diào)配的多元體系，每一組分都各司其職，協(xié)同作用，共同塑造卓越的拋光效果。精密磨料，微米級(jí)雕琢：體系中搭載了納米級(jí)的二氧化硅、氧化鋁或氧化鈰等磨料顆粒。

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半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry：精密制造的核心材料

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關(guān)鍵材料，廣泛應(yīng)用于化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中。它通過獨(dú)特的機(jī)械研磨與化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的方式，幫助實(shí)現(xiàn)晶圓表面的納米級(jí)平坦化，為高性能半導(dǎo)體器件的制造提供了重要保障。什么是半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry？ 半導(dǎo)體Slurry是一種由研磨顆粒、化學(xué)添加劑和液體介質(zhì)組成的精密材料。在CMP工藝中

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CMP化學(xué)機(jī)械工藝中金剛石研磨液的關(guān)鍵特性剖析

在現(xiàn)代先進(jìn)制造領(lǐng)域，CMP 化工學(xué)機(jī)械工藝作為實(shí)現(xiàn)材料表面高精度加工的核心技術(shù)，發(fā)揮著舉足輕重的作用。該工藝融合了化學(xué)作用與機(jī)械磨削，能夠在原子尺度上對(duì)材料表面進(jìn)行精確修整，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)元件、精密模具等眾多高端產(chǎn)業(yè)。而在 CMP 工藝的復(fù)雜體系中，金剛石拋光液堪稱其中的關(guān)鍵要素，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎最終的拋光質(zhì)量與加工效率。用于 CMP 化工學(xué)機(jī)械工藝的金剛石拋光液，其粒徑大小通常在 10 - 150nm 之間。該拋光液具有以下特點(diǎn)：高硬度與強(qiáng)切削力，金剛石是自然界硬度最高的物質(zhì)，具有出色的切削能力。在 C

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