在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，磷化銦（InP）襯底因其優(yōu)異的電子和光學(xué)特性，成為光通信、毫米波雷達(dá)、量子通信等高端應(yīng)用的核心材料。然而，InP襯底的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝對(duì)拋光液的要求極為嚴(yán)苛，需要兼顧高效拋光速率、表面質(zhì)量、工藝穩(wěn)定性等多重因素。吉致電子針對(duì)這一需求，推出了專為磷化銦襯底設(shè)計(jì)的CMP拋光液，其核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

1.高效拋光速率與表面質(zhì)量的完美平衡

粗拋階段：采用較大粒徑（如5-10μm）的氧化鋁磨料，可快速去除表面余量，拋光速率可達(dá)數(shù)μm/h，顯著提升生產(chǎn)效率。

精拋階段：切換至小粒徑（如50-100nm）的硅溶膠磨料，能精細(xì)修整表面，確保粗糙度符合要求，速率控制在0.1-0.5μm/h，實(shí)現(xiàn)速率與表面質(zhì)量的平衡。

通過上述分階段設(shè)計(jì)，吉致電子拋光液可滿足不同工藝節(jié)點(diǎn)的需求，確保襯底表面達(dá)到納米級(jí)平整度。

2.適配的磨料硬度與選擇性

拋光液中磨料的硬度需適配InP拋光需求。例如，氧化鋁磨料（莫氏硬度9）硬度高于InP氧化層（如In₂O₃、P₂O₅），可有效實(shí)現(xiàn)機(jī)械去除；同時(shí)低于InP基體，避免過度劃傷。

通過化學(xué)添加劑的選擇性腐蝕，可減少對(duì)襯底材料的損傷，提升拋光的選擇性。這一特性使得吉致電子拋光液在處理復(fù)雜結(jié)構(gòu)時(shí)，仍能保持高精度和高一致性。

3.優(yōu)化的磨料濃度與分散性

磨料濃度精準(zhǔn)控制（如氧化鋁磨料濃度5%～15%），確保高效研磨。分散劑的添加使磨料均勻分散，提升速率并保證穩(wěn)定性。

拋光液的流動(dòng)性好，能有效避免拋光碎片再沉積到襯底表面，減少表面缺陷。這一特性使得吉致電子拋光液在處理大面積襯底時(shí)，仍能保持均勻的拋光效果。

4.化學(xué)-機(jī)械協(xié)同作用

CMP工藝結(jié)合化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨，實(shí)現(xiàn)全局平坦化能力，表面損傷小，適合高精度要求的半導(dǎo)體制造。

拋光液中的化學(xué)組分（如氧化劑）與InP表面反應(yīng)生成軟質(zhì)層，機(jī)械作用去除反應(yīng)層，實(shí)現(xiàn)高效均勻的材料去除。這一協(xié)同作用使得吉致電子拋光液在處理復(fù)雜結(jié)構(gòu)時(shí)，仍能保持高精度和高一致性。

5.工藝穩(wěn)定性與可控性

通過pH調(diào)節(jié)劑、抑制劑等成分的調(diào)控，可優(yōu)化化學(xué)反應(yīng)環(huán)境，增強(qiáng)局部選擇性蝕刻，減少對(duì)設(shè)備的損害，提升工藝穩(wěn)定性。

拋光液長(zhǎng)期穩(wěn)定性好，對(duì)圖案密度和線寬不敏感，適合復(fù)雜結(jié)構(gòu)處理。這一特性使得吉致電子拋光液在處理大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)，仍能保持高穩(wěn)定性和高一致性。

6.應(yīng)用廣泛性

磷化銦襯底CMP拋光液適用于光通信、毫米波雷達(dá)、量子通信等高端領(lǐng)域，其表面質(zhì)量直接決定后續(xù)外延生長(zhǎng)和器件制備的精度與可靠性。

吉致電子拋光液通過磨料特性、化學(xué)組分和工藝參數(shù)的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了高效、高選擇性和高穩(wěn)定性的拋光效果，是半導(dǎo)體制造中不可或缺的關(guān)鍵材料。

綜上所述，吉致電子磷化銦拋光液通過分階段設(shè)計(jì)、適配的磨料硬度與選擇性、優(yōu)化的磨料濃度與分散性、化學(xué)－機(jī)械協(xié)同作用、工藝穩(wěn)定性與可控性以及應(yīng)用廣泛性等多重優(yōu)勢(shì)，為半導(dǎo)體制造提供了高效、高精度、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。在光通信、毫米波雷達(dá)、量子通信等高端領(lǐng)域，吉致電子拋光液將成為推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的強(qiáng)大助力。 

無(wú)錫吉致電子科技有限公司

http://www.lygpingan.cn

聯(lián)系電話：17706168670