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鍺片的核心應(yīng)用與CMP精密拋光技術(shù)

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時間:2025-11-07 09:18【

吉致電子鍺片拋光解決方案——鍺片的應(yīng)用與CMP拋光工藝詳解

一、鍺片的應(yīng)用領(lǐng)域 

鍺片憑借高電子遷移率、高折射率、紅外透光性好等優(yōu)異特性,在多個高科技領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用:

①半導(dǎo)體器件領(lǐng)域

作為高速半導(dǎo)體器件的襯底材料,鍺片可用于制作鍺硅(SiGe)異質(zhì)結(jié)晶體管(HBT)、應(yīng)變鍺金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)等核心器件。這些器件主要應(yīng)用于5G通信、高頻雷達、衛(wèi)星通信等對器件運行速度和頻率要求極高的前沿場景。

②紅外光學(xué)領(lǐng)域

鍺材料對2-15μm波段的紅外光具有高透過率,同時具備機械強度高、耐環(huán)境性好的特點,成為紅外光學(xué)系統(tǒng)的核心材料。鍺片可用于制作紅外探測器窗口、透鏡、棱鏡等光學(xué)元件,廣泛應(yīng)用于軍事偵察、安防監(jiān)控、醫(yī)療紅外成像(如紅外熱像儀)、工業(yè)測溫等重要領(lǐng)域。

③太陽能電池領(lǐng)域

鍺片是Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體太陽能電池(如GaAs、InGaP)的理想襯底,具有晶格匹配度高、導(dǎo)熱性好等顯著優(yōu)勢。主要應(yīng)用于航天航空領(lǐng)域(如衛(wèi)星、空間站)的高效太陽能電池陣,在空間輻照環(huán)境下仍能保持高轉(zhuǎn)換效率和長使用壽命。

其他應(yīng)用領(lǐng)域

鍺片還可用于制作γ射線探測器(如鍺鋰探測器),應(yīng)用于核物理研究、輻射檢測等專業(yè)領(lǐng)域;同時也可作為光學(xué)纖維的摻雜劑,有效改善光纖的傳輸性能。

鍺片拋光液 吉致電子拋光液廠家 化學(xué)機械拋光漿料

二、鍺片CMP拋光工藝 

·鍺片化學(xué)機械拋光(CMP)的核心是通過"化學(xué)腐蝕+機械研磨"的協(xié)同作用,去除前道加工(如研磨)產(chǎn)生的表面/亞表面損傷,獲得低粗糙度、無缺陷的鏡面表面。工藝分為三個關(guān)鍵階段:

1.預(yù)拋光(粗拋)

·目的:快速去除研磨后的表面損傷層(如劃痕、位錯),顯著降低表面粗糙度,為精拋工序奠定基礎(chǔ)。

·工藝參數(shù):

- 拋光墊:選用硬度較高的聚氨酯拋光墊(如硬泡聚氨酯墊),提升機械研磨效率

- 拋光液:采用高切削力的氧化型拋光液,如硅溶膠磨料+強氧化劑(過硫酸氫鉀、雙氧水)+堿性調(diào)節(jié)劑(有機胺)體系

- 工藝條件:磨料粒徑100-200nm,拋光壓力20-40kPa,拋光盤轉(zhuǎn)速60-80r/min,拋光時間10~20min

·效果:表面粗糙度Ra從研磨后的數(shù)百nm顯著降至5-10nm,去除損傷層厚度達3-5μm。

 2.精拋光(終拋)

·目的:徹底去除預(yù)拋光殘留的微缺陷(如微劃痕、氧化層殘留),獲得原子級平整的鏡面表面。

·工藝參數(shù):

選用軟質(zhì)多孔聚氨酯拋光墊(如軟泡聚氨酯墊)或無紡布拋光墊,減少機械損傷

采用低切削力、高選擇性的拋光液,磨料選用粒徑更小的膠體硅溶膠(20-50nm),氧化劑選用溫和型(如稀釋雙氧水),搭配螯合劑(如EDTA)和表面活性劑

拋光壓力5-15kPa(低壓拋光,減少亞表面損傷),拋光盤轉(zhuǎn)速40-60r/min,拋光時間15~30min

·效果:表面粗糙度Ra≤0.5nm,無劃痕、無氧化殘留,亞表面損傷層厚度<10nm。

3.后處理工藝

·目的:徹底去除拋光后鍺片表面殘留的拋光液、磨料顆粒和污染物,確保不影響后續(xù)使用。

·處理步驟:

- 水洗:先用去離子水超聲清洗(功率100~150W,時間5~10min),去除表面浮塵和大部分顆粒

- 化學(xué)清洗:采用稀釋的弱酸性溶液(如稀鹽酸)浸泡2~5min,去除表面氧化層(GeO2

- 漂洗干燥:用高純度去離子水漂洗3~5次,最后采用氮氣吹干或離心干燥,避免水漬殘留

 三、工藝核心控制要點 

 化學(xué)與機械協(xié)同平衡

- 氧化劑濃度控制:濃度過高易導(dǎo)致表面過腐蝕(出現(xiàn)麻點),過低則切削力不足

- 機械壓力優(yōu)化:壓力過大易產(chǎn)生新的亞表面損傷,過小則拋光效率低下

②拋光液穩(wěn)定性控制

- 磨料分散性:嚴格控制磨料分散性,避免團聚現(xiàn)象

- pH值調(diào)節(jié):通常維持在8-10范圍內(nèi),以適配鍺的氧化反應(yīng)特性

③環(huán)境控制要求

拋光環(huán)境需保持高度潔凈(Class 100-Class 1000潔凈室標(biāo)準(zhǔn)),有效避免空氣中的顆粒污染鍺片表面。

吉致電子在鍺片加工領(lǐng)域擁有深厚的技術(shù)積累和豐富的工藝經(jīng)驗,致力于為客戶提供高品質(zhì)的鍺片產(chǎn)品和專業(yè)的加工服務(wù),歡迎垂詢合作。

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