當(dāng)前位置：首頁» 常見問題 » 不銹鋼平面件CMP拋光液拋光墊選型指南

不銹鋼平面件CMP拋光液拋光墊選型指南

文章出處：責(zé)任編輯：人氣：-發(fā)表時間：2026-01-14 15:11【大中小】

化學(xué)機械拋光（CMP）技術(shù)憑借“化學(xué)作用+機械研磨”的協(xié)同優(yōu)勢，成為實現(xiàn)不銹鋼表面納米級平坦化、鏡面化的優(yōu)選工藝。不銹鋼平面件CMP拋光需遵循“粗拋去余量→中拋修平整→精拋提鏡面”的梯度原則，不同工序的核心目標(biāo)不同，對應(yīng)的磨料與拋光墊特性也需精準(zhǔn)匹配。吉致電子基于不銹鋼材質(zhì)特性（如304、316、430等）與不同場景的表面要求（Ra值、平整度、潔凈度），確保每一道工序都能高效銜接，最終實現(xiàn)理想的表面效果。

不銹鋼logo拋光流程吉致電子CMP拋光液金屬拋光液

不銹鋼CMP粗拋工藝：高效去除，奠定平整基礎(chǔ)

粗拋的核心目標(biāo)是快速去除不銹鋼表面的前道磨痕、氧化層與加工余量（通常去除余量>5μm，初始Ra>0.5μm），需優(yōu)先選擇切削力強、分散穩(wěn)定性好的磨料與支撐性優(yōu)異的拋光墊。

推薦拋光液：吉致電子α-氧化鋁（α-Al₂O₃）拋光液
吉致電子氧化鋁拋光液選用，α-氧化鋁磨料，莫氏硬度高達(dá)9，具備極強的機械切削能力，可實現(xiàn)>2μm/min的去除速率，快速攻克不銹鋼工件表面粗糙問題。
推薦拋光墊：聚氨酯拋光墊（硬墊）

選用70–80 Shore D硬度的聚氨酯拋光墊，拋光墊CMP PAD表面開槽設(shè)計。為粗磨提供穩(wěn)定支撐，保證研磨壓力均勻傳遞，既能快速排屑、散熱，又能避免磨料殘留導(dǎo)致的二次劃傷。

不銹鋼CMP中拋工序：精細(xì)修整，消除過渡劃痕

中拋作為粗拋與精拋的過渡環(huán)節(jié)，需在保證一定去除率的同時，消除粗拋殘留的劃痕，將表面粗糙度Ra控制在0.1–0.5μm。

推薦磨料：吉致電子納米金剛石拋光液
采用0.5–1μm水基分散型納米金剛石磨料，兼具超硬性與粒徑均勻性，機械切削力適中，既能有效修整粗拋表面，又不會產(chǎn)生新的深劃痕。
推薦拋光墊：吉致電子無紡布復(fù)合墊
選用40–60 Shore D硬度的無紡布+聚合物中間層復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面設(shè)計同心圓紋理，具備良好的彈性與切削均勻性。相較于硬墊，無紡布復(fù)合墊能更好地貼合工件表面減少壓力集中。

不銹鋼CMP精拋工序：鏡面成型，實現(xiàn)低損傷高光潔度

精拋的核心目標(biāo)是實現(xiàn)納米級鏡面效果（通常要求Ra<0.05μm，甚至Ra<0.02μm），精細(xì)拋光避免表面缺陷。

推薦磨料：吉致電子膠體二氧化硅（SiO₂）拋光液選用0.05–0.2μm超細(xì)膠體二氧化硅磨料，質(zhì)地溫和，通過堿性體系（pH 9–11）與不銹鋼表面發(fā)生適度化學(xué)反應(yīng)，形成易被去除的氧化層，實現(xiàn)低損傷研磨。
推薦拋光墊：吉致電子阻尼布拋光墊選用20–40 Shore D硬度的微細(xì)纖維絨毛墊，表面具備豐富的微孔結(jié)構(gòu)，儲液性優(yōu)異，能持續(xù)為拋光區(qū)域提供均勻的拋光液供給。配合膠體二氧化硅磨料，在3–5psi的低壓條件下即可實現(xiàn)鏡面效果，尤其適用于醫(yī)療部件、半導(dǎo)體不銹鋼、手機logo等對表面質(zhì)量要求極高的場景。