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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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福吉電子采用精密技術(shù)，提供超高質(zhì)量產(chǎn)品
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[吉致動態(tài)]吉致電子碲鋅鎘CMP拋光液：CZT軟脆晶體拋光方案[ 2026-01-21 16:48 ]
碲鋅鎘（CdZnTe，簡稱CZT）晶體作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體材料，屬于典型的軟脆晶體范疇，其力學(xué)特性介于軟質(zhì)材料與脆性材料之間，這一獨特屬性為其襯底加工帶來了諸多挑戰(zhàn)。軟脆晶體的核心特征解析軟脆晶體的加工難度源于其兼具軟質(zhì)與脆性材料的雙重特性，具體表現(xiàn)為：軟質(zhì)特性：材料硬度偏低，莫氏硬度僅為2.0–2.5，與石膏、滑石硬度相近，在加工過程中極易發(fā)生劃傷、塑性變形等問題，影響表面完整性。脆性特性：斷裂韌性低，受力時易產(chǎn)生裂紋、斷裂，類似玻璃、單晶硅等脆性材料的特性，進一步加劇了加工過程中的損傷風(fēng)險。CZT單
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[常見問題]不銹鋼平面件CMP拋光液拋光墊選型指南[ 2026-01-14 15:11 ]
化學(xué)機械拋光（CMP）技術(shù)憑借化學(xué)作用+機械研磨的協(xié)同優(yōu)勢，成為實現(xiàn)不銹鋼表面納米級平坦化、鏡面化的優(yōu)選工藝。不銹鋼平面件CMP拋光需遵循;粗拋去余量中拋修平整;精拋提鏡面;的梯度原則，不同工序的核心目標(biāo)不同，對應(yīng)的磨料與拋光墊特性也需精準(zhǔn)匹配。吉致電子基于不銹鋼材質(zhì)特性（如304、316、430等）與不同場景的表面要求（Ra值、平整度、潔凈度），確保每一道工序都能高效銜接，最終實現(xiàn)理想的表面效果。不銹鋼CMP粗拋工藝：高效去除，奠定平整基礎(chǔ)
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[常見問題]從硅基到第三代半導(dǎo)體：吉致電子CMP拋光液技術(shù)演進與全材料覆蓋解決方案[ 2026-01-09 15:59 ]
隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點的不斷演進，化學(xué)機械拋光（CMP）工藝已成為集成電路制造中不可或缺的關(guān)鍵制程環(huán)節(jié)，其精度與穩(wěn)定性直接影響芯片的集成度、性能表現(xiàn)與整體良率。作為CMP工藝的核心耗材，CMP拋光液不僅需要滿足硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的加工要求，更要在第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的高精度拋光中展現(xiàn)出關(guān)鍵作用與持續(xù)增長的應(yīng)用潛力。聚焦關(guān)鍵應(yīng)用：CMP拋光液突破第三代半導(dǎo)體平坦化技術(shù)瓶頸以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石及氮化鋁（AlN）等為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備寬禁帶、高
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[行業(yè)資訊]吉致電子：LN/LT晶體CMP拋光解決方案，賦能光子芯片與量子通信[ 2025-12-19 14:26 ]
在光電信息、量子通信、半導(dǎo)體激光等高端產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，鈮酸鋰（LN）、鉭酸鋰（LT）晶體憑借優(yōu)異的電光、聲光及非線性光學(xué)特性，成為制造高性能器件的核心基材。而晶體表面的光潔度直接決定器件的光傳輸效率、調(diào)制性能與長期穩(wěn)定性，化學(xué)機械拋光（CMP）作為實現(xiàn)晶體超精密表面加工的關(guān)鍵工藝，其技術(shù)水準(zhǔn)與配套耗材（拋光液、拋光墊）的適配性，成為突破高端晶體應(yīng)用瓶頸的核心支撐。吉致電子深耕光電材料精密加工領(lǐng)域，針對LN/LT晶體的材質(zhì)特性，打造定制化CMP拋光解決方案，通過精準(zhǔn)匹配拋光液配方與拋光墊類型，實現(xiàn)從常規(guī)精密拋光到原子級超光
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[常見問題]半導(dǎo)體CMP耗材G804W拋光墊國產(chǎn)替代認準(zhǔn)吉致電子[ 2025-12-11 16:42 ]
全球局勢風(fēng)云多變，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全面臨“卡脖子”風(fēng)險全球CMP拋光墊市場呈現(xiàn)高度壟斷格局，美國杜邦一家企業(yè)便占據(jù)全球79% 的市場份額，日本Fujibo富士紡旗下的G804W等高端型號拋光墊的供應(yīng)更是被少數(shù)海外廠商牢牢把控。近年來，隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域國際貿(mào)易摩擦加劇，海外供應(yīng)商的出口管制政策頻發(fā)，直接沖擊國內(nèi)晶圓廠的生產(chǎn)穩(wěn)定性。2025年某國際拋光液大廠突發(fā)斷供事件，已為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈敲響警鐘 —— 核心耗材的進口依賴，將使整個芯片制造環(huán)節(jié)陷入“牽一發(fā)而動全
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[常見問題]氮化鎵晶片CMP無蠟吸附墊--解鎖半導(dǎo)體高精度制程的關(guān)鍵[ 2025-12-05 17:55 ]
氮化鎵CMP拋光工藝中無蠟吸附墊的核心必要性：解鎖高精度制程的關(guān)鍵在氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體核心材料的產(chǎn)業(yè)化進程中，化學(xué)機械拋光（CMP）是決定器件表面質(zhì)量、電性能及可靠性的核心制程環(huán)節(jié)。氮化鎵材料具有高硬度、高脆性、晶格結(jié)構(gòu)致密等特性，傳統(tǒng)CMP工藝中常用的有蠟吸附墊（如石蠟、樹脂蠟基吸附材料）已難以滿足其高精度加工需求。無蠟吸附墊憑借其獨特的材料設(shè)計與工藝適配性，成為氮化鎵CMP拋光中不可替代的關(guān)鍵組件，其必要性主要體現(xiàn)在以下五大核心維度：一、規(guī)避材料損傷，保障氮化鎵晶圓完整性氮化鎵的斷裂韌性僅為硅的1
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[行業(yè)資訊]破解G804W高成本與慢響應(yīng)：國產(chǎn)CMP拋光墊的替代邏輯[ 2025-11-20 16:07 ]
在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速迭代的今天，碳化硅（SiC）作為核心材料，正以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場強特性，重塑新能源汽車功率器件、高頻通信器件等高端制造領(lǐng)域的技術(shù)格局。而化學(xué)機械拋光（CMP）作為碳化硅加工的關(guān)鍵工序，其核心耗材——拋光墊的性能直接決定了器件的成品精度與可靠性。長期以來，日本Fujibo的G804W拋光墊憑借穩(wěn)定的性能，成為全球碳化硅CMP領(lǐng)域的主流選擇之一。如今，隨著國產(chǎn)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的崛起，吉致電子依托自主研發(fā)實力，在G804W國產(chǎn)替代賽道上實現(xiàn)關(guān)鍵突破，為產(chǎn)業(yè)鏈自主可控注入強
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[常見問題]鍺片的核心應(yīng)用與CMP精密拋光技術(shù)[ 2025-11-07 09:18 ]
吉致電子鍺片拋光解決方案——鍺片的應(yīng)用與CMP拋光工藝詳解一、鍺片的應(yīng)用領(lǐng)域 鍺片憑借高電子遷移率、高折射率、紅外透光性好等優(yōu)異特性，在多個高科技領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用：①半導(dǎo)體器件領(lǐng)域作為高速半導(dǎo)體器件的襯底材料，鍺片可用于制作鍺硅（SiGe）異質(zhì)結(jié)晶體管（HBT）、應(yīng)變鍺金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等核心器件。這些器件主要應(yīng)用于5G通信、高頻雷達、衛(wèi)星通信等對器件運行速度和頻率要求極高的前沿場景。②紅外光學(xué)領(lǐng)域鍺材料對2-15μm波段的紅外光具有高透過率，同時具
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[常見問題]磷化銦拋光液：高精度低缺陷晶圓平坦化首選[ 2025-11-04 10:22 ]
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，磷化銦（InP）襯底因其優(yōu)異的電子和光學(xué)特性，成為光通信、毫米波雷達、量子通信等高端應(yīng)用的核心材料。然而，InP襯底的化學(xué)機械拋光（CMP）工藝對拋光液的要求極為嚴苛，需要兼顧高效拋光速率、表面質(zhì)量、工藝穩(wěn)定性等多重因素。吉致電子針對這一需求，推出了專為磷化銦襯底設(shè)計的CMP拋光液，其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在以下幾個方面：1.高效拋光速率與表面質(zhì)量的完美平衡粗拋階段：采用較大粒徑（如5-10μm）的氧化鋁磨料，可快速去除表面余量，拋光速率可達數(shù)μm/h，顯著提升生產(chǎn)效率。精拋階段：切換至小粒徑（如50-10
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[行業(yè)資訊]吉致電子砷化鎵襯底CMP拋光液 | 高平坦度低缺陷半導(dǎo)體slurry[ 2025-10-21 11:35 ]
吉致電子CMP拋光耗材廠家——精準(zhǔn)匹配半導(dǎo)體高端材料拋光需求在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，砷化鎵GaAs作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，因其優(yōu)異的電子遷移率和直接帶隙特性，在射頻前端、光電器件和高速集成電路中扮演著不可替代的角色。然而，砷化鎵襯底的高效精密拋光一直是行業(yè)面臨的重大挑戰(zhàn)。砷化鎵CMP拋光的核心挑戰(zhàn)砷化鎵材料由兩種硬度和化學(xué)性質(zhì)差異顯著的原子構(gòu)成，在拋光過程中容易產(chǎn)生晶格損傷、表面粗糙和化學(xué)計量比失衡等問題。傳統(tǒng)的拋光工藝難以同時實現(xiàn)全局平坦化、低表面損傷和高材料去除率，這直接影響著后
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[常見問題]碳化硅SiC襯底CMP拋光液拋光墊[ 2025-10-15 14:55 ]
一、碳化硅CMP工藝：精密制造的“表面革命”碳化硅（SiC）以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場強特性，成為半導(dǎo)體功率器件、新能源汽車電子等高端領(lǐng)域的核心材料。而化學(xué)機械拋光（CMP）作為實現(xiàn)碳化硅襯底原子級光滑表面的關(guān)鍵工藝，其核心效能直接由拋光液與拋光墊兩大耗材決定。吉致電子深耕CMP材料領(lǐng)域多年，針對碳化硅襯底拋光的4道核心制程，打造了全系列適配的拋光液Slurry與拋光墊Pad產(chǎn)品，實現(xiàn)“高效去除”與“超精表面”的完美平衡。二、碳化硅拋光液：化學(xué)
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[吉致動態(tài)]吉致電子CMP晶圓拋光液的特性與選型指南[ 2025-10-11 16:15 ]
在晶圓制造的全局平面化環(huán)節(jié)，化學(xué)機械拋光（CMP）是關(guān)鍵工藝，而CMP拋光液作為核心耗材，直接決定晶圓表面平整度、缺陷率等關(guān)鍵指標(biāo)，影響芯片最終性能與良率。吉致電子小編根據(jù)CMP拋光液的核心優(yōu)勢與選型方向，為半導(dǎo)體制造企業(yè)提供實用參考。一、CMP拋光液的4大核心特性CMP拋光液由磨料、氧化劑、螯合劑等組分復(fù)配而成，需兼顧“化學(xué)腐蝕”與“機械研磨”協(xié)同作用，核心特性可概括為：1.化學(xué)-機械協(xié)同精準(zhǔn)可控拋光時，氧化劑先將晶圓表面材料氧化為易去除的氧化物，螯合劑與氧化物形成
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[行業(yè)資訊]藍寶石襯底CMP拋光為什么要用吸附墊[ 2025-09-25 17:12 ]
在藍寶石襯底的化學(xué)機械拋光（CMP）加工中，吸附墊（也常稱為 “真空吸附墊” 或 “承載吸附墊”）是連接拋光機工作臺與藍寶石襯底的核心輔助部件，其作用貫穿 “襯底固定 - 壓力傳遞 - 拋光穩(wěn)定性 - 表面質(zhì)量保障” 全流程，直接影響 CMP 加工的效率、精度與成品良率。以下從核心作用和技術(shù)意義兩方面展開詳細解析：一、吸附墊的核心作用吸附墊的本質(zhì)是通過 “物理吸附 + 柔性適配” 實現(xiàn)襯底與工作臺的可靠結(jié)合，具體功能可拆
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[常見問題]覆銅陶瓷基板為什么選擇CMP拋光工藝（AMB/DPC/DBC陶瓷板）[ 2025-09-25 16:58 ]
陶瓷覆銅板（如Al2O3、AlN陶瓷基覆銅板）作為高功率電子器件（如IGBT、LED芯片）的關(guān)鍵載體，對表面質(zhì)量和性能有嚴苛要求：極低表面粗糙度：陶瓷基板與金屬銅層的結(jié)合面需平整光滑，否則會導(dǎo)致覆銅時出現(xiàn)氣泡、分層，影響導(dǎo)熱性和電氣可靠性；無損傷表面：陶瓷材料脆性高，傳統(tǒng)機械拋光易產(chǎn)生劃痕、微裂紋，破壞絕緣性能和結(jié)構(gòu)強度；高精度厚度控制：部分高頻、高功率場景下，陶瓷基板厚度公差需控制在±5μm內(nèi)，直接影響器件封裝密度和散熱效率。這些需求恰好與化學(xué)機械拋光（CMP）“化學(xué)腐蝕+機械研磨&rd
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[行業(yè)資訊]吉致電子鉬片CMP拋光液—高效低損傷，適配高精度鉬加工[ 2025-09-23 11:39 ]
鉬片的CMP化學(xué)機械拋光工藝是實現(xiàn)其高精度表面制備的核心技術(shù)，尤其適用于半導(dǎo)體、航空航天等對鉬片/鉬圓/鉬襯底表面粗糙度、平坦度要求嚴苛的領(lǐng)域。鉬合金工件的CMP加工及拋光液推薦需結(jié)合工藝原理、應(yīng)用場景及實際生產(chǎn)需求綜合分析：一、鉬片CMP工藝的核心優(yōu)點CMP的本質(zhì)是“化學(xué)腐蝕 + 機械研磨”的協(xié)同作用，相比傳統(tǒng)機械拋光（如砂輪拋光、金剛石刀具拋光）或純化學(xué)拋光/電解拋光等，CMP工藝在鉬片加工中展現(xiàn)出不可替代的優(yōu)勢：1.表面質(zhì)量極高，滿足精密領(lǐng)域需求鉬作為高硬度金屬（莫氏硬度5.5，熔點2
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[常見問題]無蠟吸附墊成精密拋光新核心？吉致電子賦能蘋果Logo品質(zhì)突破[ 2025-09-11 14:18 ]
從iPhone、MacBook的不銹鋼Logo，到iWatch的鈦合金部件，再到iPad的鋁合金標(biāo)識，其鏡面級的視覺與觸感體驗，已成為全球消費者對高端品質(zhì)的直觀認知。而這一驚艷效果的實現(xiàn)，背后離不開化學(xué)機械拋光CMP工藝的核心突破，其中無蠟吸附墊（Template） 更是決定蘋果Logo拋光精度與品質(zhì)的關(guān)鍵技術(shù)支撐。一、蘋果Logo的CMP拋光為何必須“去蠟”？傳統(tǒng)工藝的三大致命局限長期以來，消費電子精密部件拋光多依賴蠟粘固定工藝，即將
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[行業(yè)資訊]阻尼布精拋墊：硬脆材料CMP拋光高精度解決方案[ 2025-09-02 16:33 ]
在CMP化學(xué)機械拋光工藝中適，拋光墊CMP Pad的性能對精密元件表面處理效果影響極大。吉致電子阻尼布拋光墊（精拋墊）質(zhì)地細膩，表面柔軟、多孔、彈性好且使用周期長，用于晶圓、金屬、脆硬材料的最終拋光。吉致電子阻尼布精拋墊采用特殊纖維結(jié)構(gòu)，構(gòu)建起三維網(wǎng)絡(luò)孔隙。這些孔隙如同細密的管道，在拋光時能夠高效輸送拋光漿料，讓漿料均勻覆蓋元件表面，從而提升拋光表面的一致性。同時，拋光墊的孔隙能迅速將拋光過程中產(chǎn)生的碎屑排走，有效避免碎屑在元件表面反復(fù)摩擦，降低表面被劃傷的風(fēng)險，極大提升了拋光后元件的表面質(zhì)量。在碳化硅SiC襯底、
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[常見問題]半導(dǎo)體CMP工藝核心：金屬互聯(lián)層與介質(zhì)層Slurry拋光液的類型劃分[ 2025-08-28 16:59 ]
在半導(dǎo)體芯片制造中，化學(xué)機械拋光CMP是關(guān)鍵工藝，其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材，直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無論是 導(dǎo)線;（互連層）還是絕緣骨架（介質(zhì)層），都需靠它實現(xiàn)精準(zhǔn)平整。下面吉致電子小編就來拆解下半導(dǎo)體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質(zhì)層CMP拋光液的類型和應(yīng)用場景。一、金屬互連層CMP拋光液（后端 BEOL 核心）核心需求是選擇性除金屬、護絕緣 / 阻擋層，主流類型有：銅（Cu）CMP 拋光液14n
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[常見問題]CMP拋光墊怎么選？吉致電子聚氨酯拋光墊適配全工序需求[ 2025-08-27 13:56 ]
在化學(xué)機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝中，聚氨酯拋光墊（Polyurethane Polishing Pad）是實現(xiàn)化學(xué)作用與機械研磨協(xié)同” 的核心耗材之一，直接決定拋光后的表面平整度（Global Planarity）、表面粗糙度（Surface Roughness）及拋光效率，其應(yīng)用可從功能定位、關(guān)鍵作用、選型邏輯及使用要點四個維度展開：一、核心功能定位：CMP工藝的;機械研磨載體CMP 的本質(zhì)是通過
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[常見問題]國產(chǎn)CMP拋光墊：吉致電子無紡布墊如何比肩Fujibo？[ 2025-08-14 14:46 ]
在化學(xué)機械拋光CMP工藝中，拋光墊CMP PAD對精密元件表面處理質(zhì)量影響重大，高端市場長期被國際巨頭壟斷，國產(chǎn)替代拋光墊/研磨墊的需求強烈。無錫吉致電子憑借多年技術(shù)積累，研發(fā)的高性能無紡布及半導(dǎo)體拋光墊系列產(chǎn)品，可實現(xiàn)對Fujibo(富士紡)等進口品牌的替代，在拋光效率、使用壽命和本土定制化服務(wù)上優(yōu)勢顯著。無紡布拋光墊的技術(shù)特點、應(yīng)用場景及國產(chǎn)化突破意義，為相關(guān)行業(yè)提供高性價比拋光方案。吉致電子無紡布拋光墊，以特殊纖維結(jié)構(gòu)和創(chuàng)新工藝，實現(xiàn)高耐磨性與優(yōu)異拋光性能的結(jié)合。相比傳統(tǒng)聚氨酯拋光墊，其三維網(wǎng)絡(luò)孔隙能更有效輸
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