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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[吉致動態(tài)]國產(chǎn)替代｜吉致電子硅片CMP拋光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]
一、CMP拋光技術(shù)：半導體制造的關(guān)鍵工藝化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半導體硅片制造的核心工藝之一，直接影響芯片性能與良率。在硅片加工過程中，CMP通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)原子級表面平坦化（粗糙度<0.2nm），滿足先進制程對晶圓表面超潔凈、超平整的要求。吉致電子CMP拋光液的三大核心作用①高效拋光：納米級磨料（如膠體SiO2）精準去除表面凸起，提升硅片平整度，減少微劃痕。②潤滑保護：特殊添加劑降低摩擦系數(shù)（<0.05），減少
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[吉致動態(tài)]吉致電子：金剛石懸浮液的作用及功效（CMP拋光專用）[ 2025-06-06 17:14 ]
在半導體制造、精密光學、硬質(zhì)合金加工等領(lǐng)域，材料表面的超精密拋光直接決定了產(chǎn)品的性能與可靠性。吉致電子憑借先進的研發(fā)實力和成熟的工藝技術(shù)，推出高性能金剛石拋光液/研磨液系列產(chǎn)品，為高硬度材料提供高效、穩(wěn)定的拋光解決方案。吉致電子金剛石懸浮液產(chǎn)品（研磨液/拋光液）可滿足不同拋光需求，根據(jù)材料特性和工藝要求分為以下幾類：1. 按晶體結(jié)構(gòu)分類單晶金剛石拋光液：晶體結(jié)構(gòu)單一，切削力均勻，適合高精度表面拋光，減少亞表面損傷。多晶金剛石拋光液：由多向晶粒組成，材料去除率高，適用于高效粗拋和中拋。類多晶金剛石拋光液：兼具單晶和多
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[吉致動態(tài)]Fujibo拋光墊國產(chǎn)替代挑戰(zhàn)與吉致電子解決方案[ 2025-05-30 11:42 ]
Fujibo（日本富士紡）是知名的拋光墊制造商，其產(chǎn)品廣泛應用于半導體、液晶顯示器（LCD）、硬盤（HDD）藍寶石襯底等精密加工領(lǐng)域。Fujibo拋光墊因其高精度拋光、均勻性、耐磨性好等特點，長期以來占據(jù)市場主導地位，但隨著國內(nèi)技術(shù)的突破和產(chǎn)業(yè)鏈的完善，國產(chǎn)拋光墊正逐步實現(xiàn)對進口產(chǎn)品的替代。吉致電子作為國內(nèi)經(jīng)驗豐富的電子行業(yè)CMP拋光材料供應商，致力于為客戶提供高性價比的國產(chǎn)拋光墊解決方案，助力企業(yè)降本增效，保障供應鏈安全。國產(chǎn)拋光墊替代Fujibo的五大優(yōu)勢1. 顯著降低成本，提升競爭力國產(chǎn)拋光墊價格比Fujib
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[吉致動態(tài)]吉致電子：半導體陶瓷CMP工藝拋光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]
在半導體陶瓷的化學機械拋光（CMP）工藝中，吉致電子（JEEZ Electronics）作為國產(chǎn)CMP耗材供應商，其拋光液（Slurry）和拋光墊（Polishing Pad）等產(chǎn)品可應用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是結(jié)合吉致電子的技術(shù)特點，半導體陶瓷CMP中的潛在應用方案：吉致電子CMP拋光液在半導體陶瓷中的應用半導體陶瓷CMP研磨拋光漿料特性與適配性CMP Slurry磨料類型：納米氧化硅（SiO2）漿料：適用于SiC、GaN等硬質(zhì)陶瓷，通過表面氧化反應（如SiC + H2O2 → SiO2 +
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[行業(yè)資訊]CMP阻尼布拋光墊：多材料精密拋光的解決方案[ 2025-05-13 15:51 ]
阻尼布拋光墊/精拋墊是CMP工藝中材料納米級精度的關(guān)鍵保障：在半導體化學機械拋光（CMP）工藝的最后精拋階段，阻尼布拋光墊（CMP精拋墊）扮演著決定晶圓最終表面質(zhì)量的關(guān)鍵角色。這種特殊絲絨狀材料的CMP拋光墊，質(zhì)地細膩、柔軟，表面多孔呈彈性，使用周期長。阻尼布拋光墊可對碳化硅襯底、精密陶瓷、砷化鎵、磷化銦、玻璃硬盤、光學玻璃、金屬制品、藍寶石襯底等材質(zhì)或工件進行精密終道拋光，在去除納米級材料的同時，實現(xiàn)原子級表面平整度，是先進制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精拋階段的特殊挑戰(zhàn)與需求與粗拋或中拋階段不同，精拋工藝面臨
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[常見問題]如何解決二氧化硅拋光液結(jié)晶問題？吉致電子CMP拋光專家支招[ 2025-05-08 17:28 ]
在半導體、光學玻璃等精密制造領(lǐng)域，二氧化硅（SiO2）拋光液因其高精度、低損傷的特性被廣泛應用。然而，拋光液在存儲或使用過程中可能出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊現(xiàn)象，輕則影響拋光效果，重則導致工件劃傷甚至報廢。如何有效避免和解決這一問題？吉致電子憑借多年CMP拋光液研發(fā)經(jīng)驗，為您提供專業(yè)解決方案！一、結(jié)晶原因分析二氧化硅拋光液以高純度硅粉為原料，通過水解法制備，其膠體粒子在水性環(huán)境中形成穩(wěn)定的離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。但若水分流失、溫度波動或pH失衡，粒子會迅速聚集形成硬質(zhì)結(jié)晶。主要誘因包括：存儲不當（溫度過高/過低、未密封）拋光液停滯（流動不
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[行業(yè)資訊]吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應用解析[ 2025-04-25 10:52 ]
鎢CMP拋光液：半導體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景鎢化學機械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導體先進制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)納米級表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機理3. 關(guān)鍵性能指標去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇
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[吉致動態(tài)]鉬襯底的應用領(lǐng)域及CMP拋光技術(shù)解析[ 2025-04-23 09:51 ]
鉬（Mo）襯底憑借其高熔點（2623℃）、高熱導率（138 W/m·K）、低熱膨脹系數(shù)（4.8×10-6/K）以及優(yōu)異的機械強度和耐腐蝕性，在半導體、光學、新能源、航空航天等高科技領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。吉致電子對鉬襯底的主要應用場景解析其化學機械拋光（CMP）關(guān)鍵技術(shù)，幫助行業(yè)客戶更好地選擇和使用鉬襯底拋光液。一、鉬襯底的核心優(yōu)勢高溫穩(wěn)定性：熔點高達2623℃，適用于高溫環(huán)境。優(yōu)異的熱管理能力：高熱導率+低熱膨脹系數(shù)，減少熱應力。高機械強度：耐磨損、抗蠕變，適合精密器件制造。良好的導電性：適
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[吉致動態(tài)]藍寶石襯底CMP拋光新視野：氧化鋁與氧化硅的多元應用[ 2025-04-11 15:47 ]
在藍寶石襯底的化學機械拋光（CMP）工藝中，拋光材料的選擇直接關(guān)系到拋光效果和生產(chǎn)效率。氧化鋁和氧化硅作為兩種常用的拋光磨料，以其獨特的性能優(yōu)勢，在該領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。吉致電子憑借深厚的行業(yè)積累，為您深入剖析這兩種材料在藍寶石襯底 CMP 拋光中的特性與應用。氧化鋁在拋光中的特性硬度匹配優(yōu)勢α-氧化鋁的硬度與藍寶石極為接近，這一特性在拋光過程中具有關(guān)鍵意義。理論上，相近的硬度可能會增加劃傷藍寶石表面的風險，但在實際應用中，只要確保氧化鋁磨料的顆粒形狀規(guī)則、粒徑分布均勻，就能有效避免劃傷。在拋光壓力作用下，憑
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[行業(yè)資訊]金剛石研磨液在CMP工藝中的應用與優(yōu)勢[ 2025-04-01 15:37 ]
化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導體、光學玻璃、陶瓷、硬質(zhì)合金及精密制造行業(yè)的關(guān)鍵工藝，用于實現(xiàn)材料表面的超精密平坦化。針對藍寶石、碳化硅（SiC）、硬質(zhì)合金等高硬度材料的加工需求，傳統(tǒng)研磨液難以滿足高精度、低損傷的要求，因此CMP拋光液、CMP拋光墊是滿足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金剛石研磨液憑借其超硬特性和穩(wěn)定可控性，通過精準調(diào)控化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應（Chemo-Mechanical Synergy）實現(xiàn)實現(xiàn)亞納米級表面。1. 金剛石CMP研
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[吉致動態(tài)]吉致電子半導體CMP拋光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]
在半導體制造工藝中，化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟，而拋光液（Slurry）的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進工藝，對CMP拋光液的化學穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商，吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術(shù)，助力客戶突破先進制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學添加劑和超純水組成，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用實現(xiàn)晶圓表面納米級平坦化。磨料顆粒：SiO?（二氧化硅）：廣泛用于氧化物拋光，具有高
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[行業(yè)資訊]半導體CMP拋光液Slurry：精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]
在半導體制造領(lǐng)域，半導體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關(guān)鍵材料，廣泛應用于化學機械拋光CMP工藝中。它通過獨特的機械研磨與化學反應相結(jié)合的方式，幫助實現(xiàn)晶圓表面的納米級平坦化，為高性能半導體器件的制造提供了重要保障。什么是半導體CMP拋光液Slurry？ 半導體Slurry是一種由研磨顆粒、化學添加劑和液體介質(zhì)組成的精密材料。在CMP工藝中
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液：從第一代到第三代半導體材料的精密拋光利器[ 2025-03-14 15:21 ]
隨著半導體技術(shù)的飛速發(fā)展，化學機械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導體材料中的應用第三代半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導熱率、抗輻射能力強、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能
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[吉致動態(tài)]吉致電子解析：磷化銦襯底怎么拋光研磨[ 2025-03-07 15:22 ]
磷化銦（InP）作為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的典型代表，憑借其高電子遷移率、寬禁帶寬度和良好的光電性能，在光通信器件、激光器和探測器等領(lǐng)域占據(jù)關(guān)鍵地位。其精密加工要求嚴苛，尤其是表面粗糙度需達到納米級（Ra < 0.1nm），傳統(tǒng)機械研磨易導致晶格損傷，化學機械拋光（CMP）技術(shù)則成為實現(xiàn)原子級平整表面的核心工藝。吉致電子將系統(tǒng)介紹InP磷化銦襯底CMP拋光從粗磨到精拋的流程及控制要點。一、Inp磷化銦拋光準備工作材料：準備好磷化銦工件，確保其表面無明顯損傷、雜質(zhì)。同時準備吉致電子CMP研磨墊，如聚氨酯拋光墊，其
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[常見問題]半導體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]
半導體銅化學機械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導體制造過程中銅互連層化學機械拋光（CMP）的關(guān)鍵材料。隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用，確保銅層平整化并實現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過化學腐蝕與機械研磨的結(jié)合，實現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（
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[行業(yè)資訊]突破技術(shù)壁壘：國產(chǎn)拋光墊替代Suba800的崛起之路[ 2025-02-14 16:02 ]
國產(chǎn)替代Suba800拋光墊（CMP Pad）的產(chǎn)品在近年來取得了顯著的技術(shù)進步，逐漸在半導體集成電路市場上占據(jù)一席之地。以下是Suba拋光墊國產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢和特點：一、Suba拋光墊國產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢1.成本優(yōu)勢?國產(chǎn)CMP拋光墊的價格通常比進口產(chǎn)品低，能夠顯著降低生產(chǎn)成本，尤其適合對成本敏感的企業(yè)。?減少了進口關(guān)稅和物流費用，進一步降低了采購成本。2.供應鏈穩(wěn)定?國產(chǎn)化生產(chǎn)避免了國際供應鏈的不確定性（如貿(mào)易摩擦、物流延遲等），供貨周期更短，響應速度更快。?國內(nèi)廠商通常能提供更靈活的CMP拋光耗材訂單服務，支持
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液:精密光學鏡頭制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]
CMP（化學機械拋光）技術(shù)在光學制造領(lǐng)域確實扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在高精度光學元件的加工中。CMP拋光液通過化學腐蝕和機械研磨的結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)光學玻璃表面的超平滑處理，滿足現(xiàn)代光學系統(tǒng)對表面粗糙度和形狀精度的嚴苛要求。 吉致電子光學玻璃CMP Slurry的應用領(lǐng)域：①精密光學鏡頭：在手機攝像頭、顯微鏡、望遠鏡等光學系統(tǒng)中，通過CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質(zhì)量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質(zhì)量。②航空航天光學窗口：航空航天光學窗口面臨復雜空間環(huán)
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[常見問題]影響碳化硅襯底質(zhì)量的重要工藝參數(shù)有哪些[ 2025-01-31 17:33 ]
碳化硅襯底提高加工速率和良品率的主要因素除了用對拋光液和拋光墊，在CMP拋光研磨過程的工藝參數(shù)也很重要：拋光壓力：適當增加壓力可以提高拋光效率，但過高的壓力可能導致襯底表面產(chǎn)生劃痕、損傷甚至破裂。一般根據(jù)襯底的厚度、硬度以及拋光設備的性能，壓力范圍在幾十千帕到幾百千帕之間。拋光轉(zhuǎn)速：包括襯底承載臺的轉(zhuǎn)速和拋光墊的轉(zhuǎn)速。轉(zhuǎn)速影響拋光液在襯底和拋光墊之間的流動狀態(tài)以及磨料的磨削作用。較高的轉(zhuǎn)速可以加快拋光速度，但也可能使拋光液分布不均勻，導致表面質(zhì)量下降。轉(zhuǎn)速通常在每分鐘幾十轉(zhuǎn)到幾百轉(zhuǎn)之間調(diào)整。拋光時間：由襯底需要去除
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[行業(yè)資訊]吉致電子：SIC碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案[ 2025-01-23 17:18 ]
SiC CMP拋光液是一種用于對碳化硅襯底進行化學機械拋光的關(guān)鍵材料，通過化學腐蝕和機械磨損的協(xié)同作用，實現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量，達到超光滑、無缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應用等對襯底表面質(zhì)量的嚴苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時調(diào)整化學試劑的種類和濃度，增強
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[吉致動態(tài)]2025碳化硅襯底CMP工藝流程[ 2025-01-21 16:52 ]
碳化硅襯底CMP工藝流程如下：準備工作：對碳化硅SiC襯底進行清洗和預處理，去除表面的灰塵、油污等雜質(zhì)，保證襯底表面潔凈。同時，檢查CMP拋光設備是否正常運行，調(diào)整好吉致電子碳化硅專用拋光墊的平整度和壓力等參數(shù)。拋光液涂覆：通過自動供液系統(tǒng)，按照一定的流量和頻率進行參數(shù)調(diào)整，確保拋光液在拋光過程中始終充足且均勻分布。CMP拋光過程：將SiC襯底固定在拋光機的承載臺/無蠟吸附墊，使其與涵養(yǎng)拋光液的拋光墊接觸。拋光機帶動襯底和拋光墊做相對運動，在一定的壓力和轉(zhuǎn)速下，拋光液中的磨料對碳化硅襯底表面進行機械磨削，同時拋光液
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