碲鋅鎘（CdZnTe，簡稱CZT）晶體作為一種關鍵的半導體材料，屬于典型的軟脆晶體范疇，其力學特性介于軟質材料與脆性材料之間，這一獨特屬性為其襯底加工帶來了諸多挑戰(zhàn)。

軟脆晶體材質特征解析

軟脆晶體的加工難度源于其兼具軟質與脆性材料的雙重特性，具體表現為：

1. 軟質特性：材料硬度偏低，莫氏硬度僅為2.0–2.5，與石膏、滑石硬度相近，在加工過程中極易發(fā)生劃傷、塑性變形等問題，影響表面完整性。

2. 脆性特性：斷裂韌性低，受力時易產生裂紋、斷裂，類似玻璃、單晶硅等脆性材料的特性，進一步加劇了加工過程中的損傷風險。

CZT單晶襯底的加工難點

碲鋅鎘（CZT）單晶襯底同時具備上述軟脆雙重特性，使得其在切割、研磨、拋光等核心加工環(huán)節(jié)面臨嚴峻挑戰(zhàn)：易出現表面裂紋、邊緣崩缺、表面損傷層過厚等問題，而紅外及輻射探測器等高端應用場景，對CZT襯底的表面平整度、損傷層厚度及化學計量比穩(wěn)定性均有著極高要求，傳統(tǒng)加工方案難以兼顧高效去除與低損傷加工的需求。

吉致電子CZT單晶襯底拋光液：精準破解加工難點

針對碲鋅鎘（CZT）晶體軟脆易損傷、表面質量要求嚴苛的核心痛點，吉致電子專項研發(fā)了碲鋅鎘（CZT）單晶襯底拋光液，憑借創(chuàng)新技術與優(yōu)化配方，為CZT襯底加工提供高效、低損傷的解決方案。

吉致電子拋光液配方優(yōu)勢

吉致電子半導體CMP Slurry采用低損傷納米磨料技術（如超細膠體SiO₂），搭配智能平衡型化學配方，實現“機械研磨+化學作用”的精準協(xié)同，在保障高效材料去除率的同時，可獲得原子級光滑表面與亞納米級損傷層，從源頭規(guī)避加工損傷問題。

1. 通過專用金屬絡合劑與表面活性劑的優(yōu)化配比，能夠有效抑制拋光過程中富Te層的生成及各類加工缺陷，確保CZT襯底化學計量比穩(wěn)定；

2. 寬工藝窗口設計可靈活適配多種拋光設備參數，無需復雜調試即可投入生產；

3. 同時兼顧環(huán)保需求，優(yōu)化配方降低了廢液處理難度與成本，符合綠色生產理念。

采用吉致電子CZT單晶襯底拋光液進行加工，可顯著提升后續(xù)HgCdTe外延生長質量與器件良率，為高性能紅外探測器、輻射探測器等高端器件的制備奠定堅實基礎。同時，產品具備長使用壽命與高化學穩(wěn)定性，能夠有效減少拋光液更換頻次與損耗，降低整體加工綜合成本，是CZT單晶襯底高端制備場景的理想選擇。

吉致電子CMP Slurry/PAD定制化服務

注：CZT單晶襯底拋光液的具體技術參數以吉致電子官方發(fā)布的技術文檔為準。針對不同客戶的襯底規(guī)格（如晶向、Zn含量等），吉致電子可提供定制化拋光液方案及樣品評估服務，精準匹配客戶個性化加工需求。

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