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    吉致電子拋光材料 源頭廠(chǎng)家
    25年 專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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    [行業(yè)資訊]LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液[ 2024-06-06 11:46 ]
    鉭酸鋰LiTaO3作為非線(xiàn)性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現今以光技術(shù)產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應用。 晶體材料的結構與其光學(xué)性能息息相關(guān),鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料,具有很高的應用價(jià)值。LiTaO3晶體以它的化學(xué)性能穩定高(不溶與水),居里點(diǎn)高于600℃,不易出現退極化現象,介電損耗低,探測率優(yōu)值高的優(yōu)良特性,成為熱釋電紅外探測器的應用材料。  經(jīng)過(guò)CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造,尤其以它良好的機電耦合、溫度系數等綜合性
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    [吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子主要業(yè)務(wù)及CMP產(chǎn)品有哪些[ 2024-06-04 16:54 ]
    吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務(wù)及服務(wù)行業(yè)有:半導體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產(chǎn)品包括:拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產(chǎn)品質(zhì)量嚴格管控,多年研發(fā)經(jīng)驗技術(shù),已為數家百強企業(yè)提供拋光解決方案并長(cháng)期合作。吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品主要包括以下系列:半導體集成電路:Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /
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    [常見(jiàn)問(wèn)題]CMP化學(xué)機械拋光在半導體領(lǐng)域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]
      化學(xué)機械拋光(CMP)是半導體晶圓制造的關(guān)鍵步驟,這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整,達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量,CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果,對提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。  CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高,高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長(cháng)使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節。&nbs
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    [應用案例]吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光[ 2023-12-18 17:58 ]
    不銹鋼獲取高質(zhì)量的鏡面的傳統工藝主要采用的拋光技術(shù):電解拋光、化學(xué)拋光和機械拋光。隨著(zhù)對鏡面不銹鋼表面質(zhì)量要求的不斷提高,同時(shí)為了提高拋光效率,新型不銹鋼拋光工藝----CMP化學(xué)機械拋光 被廣泛應用。吉致電子針對不銹鋼表面鏡面處理,配制組成的CMP拋光液,通過(guò)化學(xué)溶液提高不銹鋼表面活性,同時(shí)進(jìn)行高速的機械拋光,用來(lái)消除表面凹凸而獲得更高質(zhì)量的光潔鏡面。CMP化學(xué)機械拋光對環(huán)境污染最小,不銹鋼鏡面拋光質(zhì)量最好,快速有效降低原始工件表面粗糙度,經(jīng)過(guò)粗拋和精拋工藝能達到鏡面效果,無(wú)劃傷、無(wú)凹坑、無(wú)麻點(diǎn)橘皮。根據金屬的種
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    [常見(jiàn)問(wèn)題]藍寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液[ 2023-10-31 16:46 ]
      氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應用廣泛,如藍寶石襯底的CMP拋光,為避免大粒徑磨料對工件造成劃傷,通常選用粒徑為50∼200nm,且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤,需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果,吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專(zhuān)業(yè)用于藍寶石拋光,氧化鋁磨料具有分布窄,粒徑小,硬度高、尺寸穩定性好,α相轉晶完全,團聚小易分散等特點(diǎn)。  吉致電子對α-Al2O3顆粒的Zeta電位,以及拋光液添加穩定劑、分散劑的種類(lèi)和質(zhì)量都有
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    [應用案例]氧化鋁陶瓷拋光液鏡面拋光[ 2023-10-20 16:16 ]
      氧化鋁陶瓷片的表面拋光具有一定難度,原因有兩個(gè),一是氧化鋁材質(zhì)硬度較高,難以研磨。其二,氧化鋁陶瓷表面吸光性較強,普通拋光難以達到鏡面效果。這就使得氧化鋁陶瓷拋光的難度無(wú)限擴大,針對這些加工難點(diǎn),吉致電子已經(jīng)具備成熟的拋光工藝和產(chǎn)品,有完善的氧化鋁陶瓷拋光方案。  客戶(hù)的氧化鋁陶瓷片,要求做鏡面加工。拋光氧化鋁陶瓷都是采用鐵盤(pán)開(kāi)粗,然后用白布拋光,但是這種效率非常慢,白布拋光要耗費30-40分鐘后才能達到鏡面,效率太低是批量加工無(wú)法接受的。吉致電子CMP拋光液和拋光墊結合,可以快速磨拋氧化鋁
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    [吉致動(dòng)態(tài)]生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液[ 2023-09-28 16:01 ]
    生物基因芯片拋光該選擇什么類(lèi)型的研磨液/拋光液呢?通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等,但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經(jīng)過(guò)吉致電子研發(fā)和實(shí)驗,配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級磨料,粒徑均一穩定,有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過(guò)CMP工藝可有效去除基底涂層,對基底無(wú)劃傷無(wú)殘留,吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國內外同類(lèi)產(chǎn)品相比,具有易清洗、表面粗糙度
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    [常見(jiàn)問(wèn)題]半導體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區別[ 2023-08-18 16:58 ]
      常用的半導體拋光液,按拋光對象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應用于 130nm 及以下技術(shù)節點(diǎn)邏輯芯片的制造工藝,而鎢拋光液W slurry則大量應用于存儲芯片制造工藝,在邏輯芯片中用量較少。  銅拋光液,主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來(lái)腐蝕溶解銅表面,成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜,鈍化膜的形成可以保護腐蝕劑的進(jìn)一步腐蝕,并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外,CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學(xué)試劑以調節PH值,為拋光過(guò)程
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    [行業(yè)資訊]半導體先進(jìn)制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進(jìn)行中[ 2023-06-23 11:09 ]
      國內半導體制造的崛起加速推動(dòng)了半導體材料的國產(chǎn)化進(jìn)程。在政策、資金以及市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下,我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,帶動(dòng)上游材料需求增長(cháng)。先進(jìn)制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增,國產(chǎn)替代進(jìn)行中。  CMP拋光墊(CMP PAD)一般分為聚氨酯拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等,高精密研磨拋光墊應用于半導體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類(lèi)晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤(pán)基板等產(chǎn)業(yè),目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等,其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n
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    [行業(yè)資訊]CMP在半導體晶圓制程中的作用[ 2023-06-21 14:10 ]
      化學(xué)機械拋光(CMP)是實(shí)現晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝,通過(guò)化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用,利用CMP拋光液、拋光機和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡(jiǎn)單來(lái)講,半導體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節。前道指晶圓的加工制造,后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負責對晶圓表面實(shí)現平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節主要包括 7 個(gè)相互獨立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長(cháng)、擴散、離子注
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    [常見(jiàn)問(wèn)題]CMP常用化學(xué)拋光液有哪些[ 2023-05-17 10:42 ]
       CMP技術(shù)(化學(xué)機械研磨)是現代半導體制造中非常重要的一項技術(shù),在半導體制造中的應用最多,通過(guò)CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質(zhì),達到工件表面平坦化,保證晶體管等器件的性能穩定性。   拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分,它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物,以達到平坦化的效果。CMP常用化學(xué)拋光液有哪些?常見(jiàn)的CMP化學(xué)拋光液有氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鈰(CeO2)氮化硅(Si3N4)等。不同的
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    [常見(jiàn)問(wèn)題]藍寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實(shí)現高平坦度表面[ 2023-04-26 11:10 ]
      吉致電子藍寶石研磨液sapphire slurry又稱(chēng)為藍寶石拋光液。專(zhuān)業(yè)用于藍寶石襯底、外延片、窗口、藍寶石wafer的減薄和拋光。藍寶石拋光液由純度高的磨粒、復合分散劑和分散介質(zhì)組成,具有穩定性高、不沉降不易結晶、拋光速度快的優(yōu)點(diǎn)。   通過(guò)CMP工藝搭配藍寶石專(zhuān)用slurry可實(shí)現藍寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會(huì )對加工件造成物理?yè)p傷,達到精密加工。藍寶石CMP拋光液的低金屬的成分,可以有效防止產(chǎn)品受到污染。  &n
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    [應用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]
      根據半導體行業(yè)工藝不同,CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機械拋光液、阻擋層化學(xué)機械拋光液、銅化學(xué)機械拋光液、硅化學(xué)機械拋光液、鎢化學(xué)機械拋光液、TSV化學(xué)機械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機械拋光液等。  SIC CMP拋光液是半導體晶圓制造過(guò)程中所需主要材料之一,在碳化硅材料工件打磨過(guò)程中起著(zhù)關(guān)鍵作用,拋光液的種類(lèi)、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。  近年來(lái),在人工智能、5G、數據中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下,碳化硅襯底應用領(lǐng)域不斷擴大、市場(chǎng)規模不斷擴大,進(jìn)而帶動(dòng)
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    [行業(yè)資訊]CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點(diǎn)及應用[ 2023-03-03 14:01 ]
    吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點(diǎn):(1)磨料類(lèi)型多樣化,包含單晶、多晶、類(lèi)多晶及納米級金剛石等;(2)金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型;(3)金剛石研磨液粘度可調整,包含低粘度、中等粘度和高粘度;吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應用領(lǐng)域:1、拋光液CMP半導體晶片加工:藍寶石、碳化硅、氮化鎵等半導體晶片;2、拋光液陶瓷加工:氧化鋯指紋識別片、氧化鋯陶瓷手機后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工:不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠(chǎng)家,產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進(jìn)口slurry,CMP拋光液粒度規
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    [吉致動(dòng)態(tài)]CMP拋光液---納米氧化鈰拋光液的優(yōu)點(diǎn)[ 2023-03-03 09:15 ]
      通?;瘜W(xué)機械研磨拋光工藝使用的CMP拋光液有金剛石拋光液、氧化硅拋光液、氧化鋁拋光液及氧化鈰拋光液(又稱(chēng)稀土拋光液)。  納米氧化鈰為水性液體是吉致電子采用先進(jìn)的分散工藝,將納米氧化鈰粉體分散在水相介質(zhì)中,形成高度分散化、均勻化和穩定化的納米氧化鈰水性懸浮液。1.在拋光材料應用中,納米CeO2拋光液相對硅溶膠,具有拋光劃傷少、拋光速度快、易清洗良品率高等優(yōu)勢,且PH中性,使用壽命長(cháng)、對拋光表面污染小,不易風(fēng)干。2.在拋光軍用紅外激光硅片、異型硅、超薄硅片方面上,尤其是拋光超薄硅片,納米氧化鈰
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    [吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子常見(jiàn)的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]
      CMP 化學(xué)機械拋光液slurry的主要成分包括:磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類(lèi)根據產(chǎn)品適用場(chǎng)景也有所不同,分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含:金屬絡(luò )合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含:各種調節去除速率和選擇比的添加劑。  根據拋光對象不同,拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類(lèi)別。其中,銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲芯片制造過(guò)程,在10nm 及以下技術(shù)節點(diǎn)中,鈷將部分代替銅作為導線(xiàn);硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過(guò)程中。吉致電子常見(jiàn)的CMP研
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    [行業(yè)資訊]拋光液廠(chǎng)家--CMP拋光液用于幾代半導體材料?[ 2023-02-17 15:50 ]
      CMP拋光液用于幾代半導體材料?  CMP拋光液越來(lái)越多的應用于第三代半導體材料的拋光,科研方向朝著(zhù)攻克拋光液技術(shù)門(mén)檻和市場(chǎng)壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加,對CMP材料種類(lèi)和用量的需求也在增加。更先進(jìn)的邏輯芯片工藝可能會(huì )要求拋光新的材料,為CMP拋光材料帶來(lái)了更多的增長(cháng)機會(huì )。  目前,第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料。這代半導體具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力
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    [常見(jiàn)問(wèn)題]不銹鋼工件原始品質(zhì)對CMP拋光效果的影響[ 2023-02-16 15:22 ]
      不銹鋼鏡面拋光效果的優(yōu)良,不僅取決于拋光方案設計、拋光耗材(CMP拋光液、拋光墊)選擇和拋光參數設置,不銹鋼拋光工件的原始品質(zhì)也影響到最終的拋光的效果。當拋光效果不盡人意時(shí),不僅要對拋光方案、所使用耗材的品質(zhì)進(jìn)行評估和優(yōu)化,同時(shí)對于工件的質(zhì)量也要有所考慮。  不銹鋼工件品質(zhì)對CMP拋光工藝的影響1.優(yōu)質(zhì)的的不銹鋼工件是獲得良好拋光質(zhì)量的前提條件,工件表面硬度不均或特性上有差異都會(huì )對拋光產(chǎn)生一定的困難。金屬工件中的夾雜物和氣孔都是影響拋光的不利因素。2.電火花加工后的金屬表面難以研磨,若未在加
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    [行業(yè)資訊]CMP拋光液廠(chǎng)家---蘋(píng)果Logo專(zhuān)用拋光液[ 2023-02-09 16:35 ]
      果粉們時(shí)常被MacBook,Iphone上閃閃發(fā)光的Apple Logo所驚艷到,那么蘋(píng)果手機和筆記本上的金屬Logo是如何實(shí)現鏡面工藝的呢?
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    [常見(jiàn)問(wèn)題]吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導體行業(yè)的應用[ 2023-02-09 13:14 ]
      CMP化學(xué)機械拋光應用于各種集成電路及半導體行業(yè)等減薄與平坦化拋光,吉致電子拋光液在半導體行業(yè)的應用,主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。  CMP一般包括三道拋光工序,包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據工件參數要求,需要調整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結構及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素,直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。  在半導體行業(yè)CMP環(huán)節之中,也存在
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