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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[吉致動(dòng)態(tài)]半導(dǎo)體拋光墊---吉致電子Suba pad替代[ 2024-12-10 15:14 ]
 在半導(dǎo)體硅片、襯底、光學(xué)玻璃以及精密陶瓷等材料的加工領(lǐng)域，CMP拋光工藝是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，而CMP拋光墊（CMP Pad）則是這一環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵因素之一。其中，由陶氏公司（Dow）生產(chǎn)的SUBA拋光墊（Suba Pad）備受矚目。   陶氏公司生產(chǎn)的SUBA拋光墊在CMP化學(xué)機(jī)械研磨方面有著優(yōu)異的拋光性能，尤其在拋光半導(dǎo)體晶圓方面效果顯著。半導(dǎo)體晶圓和襯底是現(xiàn)代集成電路產(chǎn)業(yè)的基石，晶圓和襯底表面的平坦度、光潔度等直接影響芯片的性能和質(zhì)量。SUBA拋光墊憑借其獨(dú)特的材料和結(jié)構(gòu)，能夠使拋光過(guò)程達(dá)到一
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[吉致動(dòng)態(tài)]碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝[ 2024-01-26 16:25 ]
 碳化硅拋光工藝的實(shí)質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。 根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標(biāo)準(zhǔn)如圖所示。  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機(jī)械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機(jī)械拋光的關(guān)鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報(bào)道較少，相關(guān)工藝
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[吉致動(dòng)態(tài)]金屬鉬片的CMP拋光工藝[ 2023-12-13 17:09 ]
  工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產(chǎn)品合格率下降，也造成后續(xù)加工難度，這與金屬鉬的特性有關(guān)，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達(dá)到鏡面效果。  鉬的特點(diǎn)：鉬是一種難溶金屬，具有很多優(yōu)良的物力化學(xué)和機(jī)械性能。由于原子間結(jié)合力極強(qiáng)，所以在常溫和高溫下強(qiáng)度均非常高。它的膨脹系數(shù)低，導(dǎo)電率大，導(dǎo)熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應(yīng)，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對(duì)大多數(shù)液態(tài)金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當(dāng)穩(wěn)定。&
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[吉致動(dòng)態(tài)]半導(dǎo)體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液[ 2023-10-31 17:20 ]
  拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無(wú)損傷的平坦化表面。對(duì)于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝來(lái)進(jìn)行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達(dá)到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導(dǎo)體襯底，需要經(jīng)過(guò)單晶生長(zhǎng)、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過(guò)程。由于磷化銦硬度小、質(zhì)地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過(guò)最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯(cuò)密度并降低表面粗糙度。  吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁
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[常見(jiàn)問(wèn)題]如何解決氧化硅拋光液結(jié)晶問(wèn)題[ 2023-05-09 17:17 ]
 二氧化硅拋光液在拋光過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊的現(xiàn)象，雖然不是大問(wèn)題但如果處理不當(dāng)，很可能會(huì)導(dǎo)致工件表面劃傷甚至報(bào)廢，那么怎么解決氧化硅拋光液結(jié)晶問(wèn)題呢？  首先要了解硅溶膠拋光液的特點(diǎn)屬性。二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)水解法離子、交換法制備成的一種高純度低金屬離子型產(chǎn)品。在水性環(huán)境中容易形成一種離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而一脫離了水份，表面積迅速凝結(jié)形成結(jié)晶塊，所以只要保持水分基本上是不會(huì)出現(xiàn)結(jié)晶現(xiàn)象。在實(shí)際CMP拋光工藝當(dāng)中硅溶膠拋光液會(huì)一直在研磨盤轉(zhuǎn)動(dòng)、流動(dòng)，結(jié)晶情況較少。  因此氧化
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[常見(jiàn)問(wèn)題]不銹鋼工件原始品質(zhì)對(duì)CMP拋光效果的影響[ 2023-02-16 15:22 ]
  不銹鋼鏡面拋光效果的優(yōu)良，不僅取決于拋光方案設(shè)計(jì)、拋光耗材（CMP拋光液、拋光墊）選擇和拋光參數(shù)設(shè)置，不銹鋼拋光工件的原始品質(zhì)也影響到最終的拋光的效果。當(dāng)拋光效果不盡人意時(shí)，不僅要對(duì)拋光方案、所使用耗材的品質(zhì)進(jìn)行評(píng)估和優(yōu)化，同時(shí)對(duì)于工件的質(zhì)量也要有所考慮。  不銹鋼工件品質(zhì)對(duì)CMP拋光工藝的影響1.優(yōu)質(zhì)的的不銹鋼工件是獲得良好拋光質(zhì)量的前提條件，工件表面硬度不均或特性上有差異都會(huì)對(duì)拋光產(chǎn)生一定的困難。金屬工件中的夾雜物和氣孔都是影響拋光的不利因素。2.電火花加工后的金屬表面難以研磨，若未在加
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[常見(jiàn)問(wèn)題]吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用[ 2023-02-09 13:14 ]
  CMP化學(xué)機(jī)械拋光應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。  CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求，需要調(diào)整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結(jié)構(gòu)及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。  在半導(dǎo)體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中，也存在
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[吉致動(dòng)態(tài)]硅溶膠研磨液--精密工件鏡面拋光效果秘密[ 2023-01-06 13:52 ]
  吉致電子硅溶膠研磨液/拋光液采用的是納米級(jí)工藝，主要粒徑在10-150nm。適用于各種材質(zhì)工件的CMP表面鏡面處理。以硅溶膠漿料為鏡面的平面研磨的材料有半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、3C電子金屬元件、藍(lán)寶石襯底、LED顯示屏等高精密元件。  硅溶膠拋光液也稱二氧化硅拋光液、氧化硅精拋液，SiO2是硅溶膠的化學(xué)名，適用范圍已擴(kuò)展到半導(dǎo)體產(chǎn)品的CMP拋光工藝中。  CMP拋光機(jī)可以將氧化硅研磨液循環(huán)引入磨盤，同時(shí)起到潤(rùn)滑和冷卻的作用，通過(guò)拋光液和拋光墊組合拋磨可以使工件表面粗糙度達(dá)到0.2um
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[應(yīng)用案例]藍(lán)寶石晶圓研磨拋光[ 2022-12-28 13:57 ]
  藍(lán)寶石晶片拋光的目的是將襯底的最終厚度減小到所需的目標(biāo)值，具有優(yōu)于+/- 2μm的TTV和小于2nm的表面粗糙度。這些操作要求需要具有高精度，高效率和高穩(wěn)定性的機(jī)器和工藝，使用吉致電子藍(lán)寶石拋光液和拋光墊進(jìn)行CMP研磨拋光即可實(shí)現(xiàn)這一過(guò)程。  通過(guò)使用CMP拋光工藝，可以達(dá)到理想的表面粗糙度。每個(gè)拋光的藍(lán)寶石晶片在加工過(guò)程中都會(huì)有均勻一致的材料去除，并且表面光潔度始終如一。通過(guò)改變壓力負(fù)載，可以實(shí)現(xiàn)每小時(shí)1-2μm的材料去除率（MRR）。  藍(lán)寶石晶片拋光分為A向拋光和C向拋光。從
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[行業(yè)資訊]稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類[ 2022-11-29 16:27 ]
  隨著光學(xué)技術(shù)和集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)光學(xué)元件的精密和超精密拋光以及集成電路的CMP拋光工藝的要求越來(lái)越高，甚至達(dá)到了極其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。鈰系稀土拋光液因其切削能力強(qiáng)、拋光精度高、拋光質(zhì)量好、使用壽命長(zhǎng)，在光學(xué)精密拋光領(lǐng)域發(fā)揮了極其重要的作用。吉致電子氧化鈰拋光液的種類和固含量可按拋光工件的用途來(lái)分：根據(jù)氧化鈰的含量，氧化鈰拋光液可分為低鈰、中鈰和高鈰拋光液，其切削力和使用壽命也由低到高。1.含95%以上氧化鈰的鈰拋光液呈淡黃色，比重約7.3。主要適用于精密光學(xué)鏡片的
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[應(yīng)用案例]玉石拋光液---玉石表盤的CMP拋光工藝[ 2022-11-15 14:12 ]
  一款玉石制成的腕表，優(yōu)雅大氣，彰顯如玉的君子氣質(zhì)。和田玉表盤的去粗及拋磨拋亮，是可以通過(guò)CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)。  玉石表面亮度還受兩個(gè)因素的影響：一是玉料的材質(zhì)，二是玉料的結(jié)構(gòu)，雖然大多數(shù)玉料都是晶體結(jié)構(gòu)，但晶體的粒度和分布狀況不同，呈纖維狀的玉料易于拋光，呈粒狀纖維的玉料不容易拋光。  通過(guò)吉致電子玉石拋光液與拋光墊的組合拋磨，去除毛坯料表面凹凸不平劃痕，還原玉石本真的光澤，拋光后表盤工件看起來(lái)綿密細(xì)膩、油脂感足。通過(guò)CMP拋光玉石的優(yōu)點(diǎn)是可以快速減薄尺寸，拋光效率快、亮
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[行業(yè)資訊]陶瓷覆銅板DPC/DBC研磨拋光液工藝[ 2022-11-10 13:32 ]
  陶瓷覆銅板的制作工藝主要是DPC工藝和DBC工藝，DPC產(chǎn)品具備線路精準(zhǔn)度高與表面平整度高的特性,非常適用于覆晶/共晶工藝,配合高導(dǎo)熱的陶瓷基體,顯著提升了散熱效率,是最適合高功率、小尺寸發(fā)展需求的陶瓷散熱基板。陶瓷覆銅基板需要用到CMP拋光工藝，利用拋光液和拋光墊達(dá)到表面光潔度或鏡面效果。  CMP拋光液對(duì)陶瓷覆銅基板的拋光研磨，可以做到粗拋、中拋、精拋效果。粗拋工藝，陶瓷覆銅板表面去除率高，快速拋磨。精拋工藝，基板表面無(wú)劃痕，可達(dá)反光鏡面效果。吉致電子針對(duì)陶瓷覆銅板制備的拋光研
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[吉致動(dòng)態(tài)]不銹鋼拋光液的CMP鏡面拋光[ 2022-11-04 16:11 ]
  手機(jī)、電腦、平板電腦等移動(dòng)終端設(shè)備，會(huì)用到不銹鋼、鈦合金、鋁合金等金屬材質(zhì)，為了達(dá)到增強(qiáng)光澤度和平坦度，金屬手機(jī)工件需要Logo拋光、攝像頭保護(hù)件拋光、手機(jī)按鍵拋光、手機(jī)邊框拋光等工藝流程。目前3C電子設(shè)備用到最多的拋光方式為CMP拋光工藝，最常用的金屬拋光液--不銹鋼拋光液。  吉致電子不銹鋼拋光液針對(duì)這些不銹鋼工件的拋光設(shè)計(jì)而成，適用于拋光304、316和316L等不銹鋼材料?？捎糜诓讳P鋼件的粗拋、中拋和精拋工藝，以達(dá)到鏡面效果。不銹鋼拋光液經(jīng)過(guò)特殊配方調(diào)配，化學(xué)拋光作用溫和，對(duì)機(jī)臺(tái)和工
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[行業(yè)資訊]藍(lán)寶石拋光液如何選？[ 2022-08-17 17:07 ]
  隨著科技的發(fā)展和迭代，3C科技產(chǎn)品對(duì)玻璃面板的要求越來(lái)越高，需要硬度更高且不容易劃傷的玻璃，因此藍(lán)寶石材質(zhì)的應(yīng)用和需求越來(lái)越廣泛，如手機(jī)藍(lán)寶石屏幕、藍(lán)寶石攝像頭、藍(lán)寶石手表等。藍(lán)寶石的特點(diǎn)是硬度高，脆性大，所以加工難度也大。  因此，很有必要研究并升級(jí)CMP拋光工藝在藍(lán)寶石窗口上的應(yīng)用。目前國(guó)內(nèi)批量生產(chǎn)藍(lán)寶石襯底的技術(shù)還不成熟，切割出來(lái)的藍(lán)寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后容易形成麻點(diǎn)或劃痕。在藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)中，裂紋和崩邊的情況比較高，占總數(shù)的5%-8%。拋光過(guò)程中影響拋光質(zhì)量的因素很多，如
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