半導體晶圓化學機械拋光（CMP）工藝中，化學抗性無蠟吸附墊作為關鍵耗材，其核心作用在于解決傳統(tǒng)吸附材料的局限性，同時滿足先進制程對潔凈度、穩(wěn)定性和工藝兼容性的嚴苛要求。吉致電子半導體CMP專用無蠟吸附墊產品，解決了傳統(tǒng)吸附墊在嚴苛化學環(huán)境下性能不足、適配性差的問題，還為碳化硅晶圓等精密元件的高效、高質量拋光提供了可靠的解決方案。

材料抗性設計：

采用高分子復合材料體系，通過交聯密度調控和納米填料改性，實現對KMnO₄等強氧化性漿料的化學惰性。實驗數據表明，在80℃/10%KMnO4溶液中浸泡240小時后，吸附墊的拉伸強度保持率＞90%，遠超傳統(tǒng)PVC材料的35%。

針對SiC晶圓拋光時產生的微米級磨料沖擊，表面采用梯度彈性模量設計，兼顧抗劃傷性和應力緩沖。

潔凈度保障機制：

• 創(chuàng)新性開發(fā)"物理-化學雙鎖止"防污染結構：

物理層：3D網狀結構將顆粒物截留效率提升。

化學層：表面離子聚合物有效抑制顆粒靜電吸附。

市場應用前景：

解決第三代半導體痛點：SiC晶圓拋光過程中，傳統(tǒng)石蠟粘接劑在＞200N壓力下易發(fā)生熔滲污染。吉致電子方案可將污染風險降低，幫助客戶提升拋光良率。

經濟效益測算：單片晶圓可減少無蠟墊更換次數3-5次，按年產10萬片的6英寸SiC產線計算，年節(jié)約耗材成本約$2.5M，同時減少設備停機時間。

吉致電子無蠟吸附墊核心亮點

化學抗性突出：作為無蠟吸附墊，其關鍵特性在于具備優(yōu)異的化學抗性，這使其能夠在接觸具有強氧化性的高錳酸鉀KMnO₄基漿料時保持穩(wěn)定性能，避免因化學腐蝕而影響使用壽命或產生污染。

定制化設計：采用獨家定制化設計，突破了傳統(tǒng)模板的局限。這意味著可以根據不同規(guī)格的碳化硅（SiC）晶圓以及具體的拋光工藝需求，靈活調整吸附墊的參數和結構，從而更好地適配應用場景。

高耐久與超潔凈：能保持高耐久性，減少了頻繁更換的頻率，降低了使用成本；同時，超潔凈的特性可確保在拋光過程中不會引入雜質，保障晶圓等精密元件的加工質量。

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